固体物理学(2)-复习-4.ppt

1、第七章半导体中的电子状态、复习，第七章基本要求掌握典型的半导体晶体结构和耦合型。 掌握半导体中电子态的描述，了解其能谱的对称性和三个能谱的形象。 掌握导体、半导体和绝缘体的能带结构特征和电子向乐队的填充情况。 把握有效质量的概念，深入理解其物理意义。 了解半导体的导电机制，了解空穴概念的引入和半导体导电机制的重要意义。 了解回旋共振法测量有效质量的原理和方法。 已知通过掌握硅、锗的传导带、价电子带结构(极端值位置、方向及同方向)的回旋加速器共振法决定Si、Ge等的能量面的方法。 了解化合物半导体(GaAs )能带结构的一般特征。 了解半导体中的杂质类型、杂质原子在晶体结构中的位置的杂质能级的概

2、念和掌握硅、锗中的杂质能级位于乐队中的位置的杂质补偿的物理意义。 了解化合物半导体中的杂质和其导入的杂质能级杂质的两性行为。 调查热缺陷、变位对半导体导入的能级和半导体能带结构的影响。 了解状态密度的概念，掌握平衡态非简并性半导体导带底部、价格带顶部状态密度的计算方法. 了解了费米分布及其物理意义，深入了解了费米能级的概念及其物理意义，掌握了半导体传导带中电子浓度和价电子带中空穴浓度的计算方法和结果。 了解本征半导体的电中性条件，掌握其费米能级位置及其载流子分布的计算方法。 了解电子和空穴在杂质能级的分布。 掌握非本征半导体的电中性条件、费米能级的位置以及载流子的分布，调查各温区的费米能级位置

3、、载流子浓度、温度和杂质浓度的关系。 掌握了一般半导体的电中性条件、费米能级的位置以及载流子浓度、温度和杂质浓度的关系。 理解半导体简并性的概念，掌握简并性半导体的载流子分布、简并性条件、简并性半导体的性质。 掌握欧姆定律，了解迁移率、漂移速度、电导率和电阻率的概念。 了解载流子散射的概念，掌握半导体中的主要散射机制和相应的散射概率。 定性掌握平均自由时间概念与载流子散射概率的关系的电导率、迁移率与平均自由时间的关系、迁移率与杂质浓度与温度的关系。 定性地掌握电阻率、杂质浓度和温度的关系。 深入理解玻尔兹曼方程及其物理意义，掌握玻尔兹曼方程在弱场的求解方法和结果。 理解强电场效应和热载流子的概

4、念。 了解多能谷散射现象，了解负微分电导的物理意义的耿氏效应及其形成原理。 理解非平衡载体的概念，理解非平衡载体的注入和复合的概念。 了解非平衡载体寿命的意义，了解测量非平衡载体寿命的实验方法。 准确理解准费米能级的概念及其能带结构的图像。 了解非平衡载流子复合的主要微观反应历程，了解直接复合和间接复合的复合概率。 理解载流子扩散的宏命令规律。 了解漂移和扩散的本质，掌握爱因斯坦的关系。 了解连续性方程的形式及其物理意义，掌握连续性方程的简单应用。半导体物理学的基本概念，有效质量空穴回旋共振施主和受主，杂质电离能n-型半导体和p-型半导体的浅能级杂质和深能级杂质补偿， 直接乐队间隙和间接乐队间隙热平衡状态和非平衡态的电中性条件非简并性半导体、简并性半导体固有半导体和非本征半导体的多载流子和少数载流子费米分布和费米能级漂移速度迁移率、电导率、电阻率、散射概率、平均自由时间强电场效应、热载流子多能量谷散射， 负微分电导率(电阻)非平衡载流子注入与复合少子寿命的直接复合和间接复合、表面复合、体内复合、俄歇