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文档简介

1、MOSFET损失计算MOSFET在开关中产生一定程度的损失，主要包括以下部分：开通损失开通过程中电压、电流和功率波形类似于以下内容：Pswitch-on=1/2 * VDS id * (T2-t0) * F传导损耗Pon=id2 * rds (on) * ton * F其中：Rds(on):通过查看数据表中的相关曲线，可以获得实际连接温度的传导阻力。Id:传导电流有效值；通：一个周期的传道时间；f:开关频率。d:占空比d=ton * F根据电流，操作模式可以分为以下三种：电流模式Id吨0波形计算公式常数值Ipeak吨0Pon=rds (on) * id2 * D电流不连续Pon=1/3 * r

2、ds (on) * ipeak 2 * D电流连续Ipeak2吨0Ipeak1pon=1/3 * rds(on)*ipeak 12 ipeak 1 * ipeak 2 ipeak 2 2* d切断损失关机期间的电压、电流和功率波形类似于以下内容：pswitch-off=1/2 * VDS id *(t5-T3)* f抛光损失Poff=VDS * IDSS * toff * F其中：VDS:截止时D-S之间的电压IDSS:闭合时实际连接温度下的泄漏电流Toff:一个期间的结束时间除了上述4茄子损耗外，门驱动器和输出电容也消耗一定的功耗。文极损失P gate=qg * vgs * f * rg/(

3、rg r驱动器)其中：QG:灌嘴充填总电荷RG :MOSFET内部部门非常寄生输入电阻Rdrive:外部灌嘴驱动阻抗输出容量损失Pcoss=1/2 * co (er) * vds2 * F其中：Co(er):等效输出电容(特定能量)；VDS:截止时D-S之间的电压牙齿损失通常需要考虑，因为开关频率高，硬开关工作时尺寸高。有时，MOSFET的内部半寄生二极管通过电流产生一定的功耗，寄生二极管的功率Pdiode计算可以参考二极管的功率计算方法。总之，MOSFET的总损失为：p total=p switch-on pon pswitch-off poff p gate pcoss p diode，说明：(1)Poff、Pgate、Pcoss三种茄子损失在总体损失中所占的比重很小，设计时无需重点考虑。(2)由于电路拓扑、软开关技术、负载、开关

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