FET特性与应用电路

1、FET特性與應用電路,NMOS-FET (enhancement ),Drift current by S/D electrical field Uni-carrier transportation Amplifier at saturation region,ID - VG,ID & VGS,ID = K2(VGS-Vt)VDS - VDS2,ID & VG,ID & VG,Id - Vg & Id - Vd,MOSFET的特性,四個端點: 閘極（Gate；G極）、源極（Source；S極）、汲極（Drain；D極）、基板（Body；B極） PMOS和NMOS原理亦同，只是操作極性相反。 可

2、分為兩種: 空乏型（Depletion MOS: normal-on），另一種為增強型（Enhancement MOS: normal-off）,NMOS-FET (depletion),植入通道,MOSFET特性,截止區（Cut-off Region）：VGSVt, ID受到VGS影響,也隨VDS的大小而改變，VDS愈大ID愈大。 ID = K2(VGS-Vt)VDS - VDS2 飽和區或夾止區（Saturation or Pinch-off Region）： Vt VDS-VGS FET像個定電流源，由VGS控制電流的大小，ID不受VDS大小的影響(理想上)。這個區域也是一般放大電路經常

3、使用的區域。 ID = K(VGS-Vt)2,MOSFET的特性,N-Channel 增強型 特性曲線,MOSFET的特性,N-Channel 空乏型 特性曲線,型號及腳位,LAB 1,1.Vt (3SK81 N-channel Depletion MOS)： 如 (a)接線，其中的DVM為電表電壓檔 如 (b)接線，求出VT (看RD的跨壓) 2.Vt (IRF630 N-channel Enhancement MOS)： 如 (c)接線 如 (b)接線，求出VT (看RD的跨壓) 3.IDSS：如(b)接線，當VGS=0時(VGG=0)，此時的ID即為IDSS，求MOSFET的 IDSS

4、(看RD的跨壓),VDD = 10V RD = 1K RG = 1M,LAB 1,4.Curve Tracer (2 pics) (3SK81, IRF630) 5.如右圖接線， VDD=5V，RD=10K，輸入改成100Hz、波谷0V、波峰5V的弦波。 分別觀察A、C兩點波形並畫下。(一個圖) 使用X-Y mode觀察A-C的波形(VA為X軸、VC為Y軸)。(一個圖) (請記得XY要使用DC,歸零),LAB 2 偏壓電路,VDD = 5V, RG = 1M RD=1K 1.如(a)接線，調整VGG使VD = 2.5V，量出VD、VS、VG及ID。 2.換入另一個同樣的FET，量出VD、VS、

5、VG及ID ，計算ID偏移量。 3.如(d)，其中R1 = 1K、R2 = 3K，調整RS到ID為步驟(1)的ID值，量出VD、VS、VG及ID ，重複步驟(2)。(Hint: VD=2.5V) 4.如(e)，其中RD為200串1K可變電阻，調整RD到ID為步驟(1)的ID值，量出VD、VS、VG及ID ，重複步驟(2)。,LAB 3,LAB 3,VDD = 10V R11 = 1K, R2 = 10K R12選用可變電阻100K 2.調整R12使VDS = 5V: 輸入100mV、10KHz的弦波，用DC檔觀察輸出波形，計算相位差與電壓增益。作出此電路的頻率響應。（2 pics） 拿掉Cs，重複上述步驟記錄在第6步驟. （2 pics） 3.調整輸入到”最大而不失真”的狀態，記錄Vi跟Vo的振幅大小。 4.調整R12使VDS 6V: 以步驟(3)所得訊號輸入，此時放大器的輸出訊號