模拟电子技术复习题(填空选择)

1、。填空1.常温下，硅二极管的阈值电压约为0.5V，导通后大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的阈值电压约为0.1，锗二极管在较高电流下导通后的正向压降约为0.2。2.二极管的正向电阻很小；大反向电阻。3.二极管最重要的特性是单向导电性。当对PN结施加直流电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。4.二极管的主要电特性是单向导电性。使用齐纳二极管时，齐纳二极管与负载并联，并且必须在齐纳二极管和输入电源之间添加一个电阻。5.电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两部分，其中研究在平稳连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术称为模拟电子技术。6.当PN结被反向偏置时，PN结的内部电场增加

2、。PN具有单向导电性。7.硅二极管导通后，其管压降恒定，不随电流变化，典型值为0.7伏；并且阈值电压Vth约为0.5v.8.当二极管被正向偏置时，其正向传导电流由多数载流子的扩散运动形成。9.P型半导体的多重态是空穴，N型半导体的多重态是自由电子，本征半导体的载流子是电子空穴对。10.由于掺杂杂质的不同性质，杂质半导体可分为空穴半导体和电子半导体。11.二极管最重要的特性是单向导电性。它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12.在常温下，硅二极管的导通电压约为0.5 V，在较高电流下，硅二极管导通后的正向压降约为0.7 V。13、频率响应是指输入正弦信号，输

3、出随频率连续变化的稳态响应。15.氮型半导体中的大多数载流子是电子，少数载流子是空穴。17.在阻容耦合多级放大电路中，耦合电容和旁路电容影响低频信号的放大，结电容影响高频信号的放大。18.在由NPN三极管组成的基本共发射极放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的增大，IBQ增大，ICQ增大，UCEQ减小。19.三极管的三个工作区域是截止、饱和和放大。集成运算放大器是一种直接耦合的放大电路。20、放大器电路中的一个晶体管，其管脚电压Va=1.2V，Vb=0.5V，Vc=3.6V是在工作状态下测得的。请询问晶体管是一个硅管(材料)，NPN型晶体管，其集电极是C在a，b和C.22三极管放大的外部

4、条件是发射极结的正向偏置和集电极结的反向偏置。放大器电路中的三极管的管脚电压Va=-1V，VB=Vb=-3.2V，Vc=-3.9V，它们是硅管(硅和锗)，NPN型，集电极管脚是a、b。23.放大电路有三种不同的耦合方式：RC耦合、直接耦合和变压器耦合，其中直接耦合可以放大缓慢变化的信号。24.在多级放大电路中，后一级的输入电阻为前一级的负载，前一级的输出电阻可视为后一级信号源的内阻。多级放大器电路的总通带比每级的通带窄。25.当负载开路时，放大器电路的输出电压为4V，当负载电阻为12k时，输出电压降至3V，这意味着放大器电路的输出电阻为4k。26、为了保证三极管在放大区工作，要求：发射极结正向

5、偏置，集电极结反向偏置。对于npn三极管，vbc应0。27.放大级之间的耦合方式主要有RC耦合、直接耦合和变压器耦合。28.在由三极管组成的三种不同结构的放大电路中，共发射极和共基极结构具有电压放大，共发射极和共集电极结构具有电流放大，共发射极结构具有反相；共置配置负载能力强，对信号源的电流要求低，频率响应好。29.三极管放大电路的三种基本配置是共集电极、共基极和共发射极。30.多级放大器级间的耦合连接方式一般包括直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。31.在单级共发射极放大电路中，如果输入为正弦曲线，用示波器观察VO和VI的波形，VO和VI之间的相位差为1800；当它是公共集电极电路时，VO和VI

6、之间的相位差为0。32.放大器有两种失真，即饱和失真和截止失真。33.当晶体管工作在饱和区时，发射极结和集电极结；在放大区工作，集电极结B和发射极结A。(填写正偏置、负偏置和零偏置)34.在共发射、共收集和共基极三种放大电路配置中，预计电压放大系数较大，输出电压和输入电压反相，因此可以选择共发射配置；预计输入电阻将很大，输出电压将与输入电压同相，因此可以选择公共设置配置。37.当三极管在放大区工作时，其发射极结保持正向偏置，集电极结保持反向偏置。39.在多级放大电路中，总通带比每级的通带窄。41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管可以被认为是电流控制电流型器件。52.差动放大

7、电路中的长尾电阻RE或恒流管用于引入共模负反馈。53、已知一个差分放大电路Ad=100，KCMR=60dB，其交流=0.1。集成电路运算放大器一般由差分输入级、中间级、输出级和偏置电路组成。54、差分放大电路可以放大DC和交流信号，它具有放大差模信号的能力，它具有抑制共模信号的能力。55、差分放大器电路可以抑制零漂移和共模输入信号。56.电路如图1所示。T1、T2和T3的特性完全相同，I2 0.4毫安，I30.2毫安，R310k。图157、集成运算放大器通常由输入级、中间级组成；输出级和偏置级。58、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈意味着反馈信号削弱了净输入信号。59.电流并联负反馈可

8、以稳定电路的输出电流，同时降低输入电阻。60.负反馈可以通过提高增益稳定性、降低非线性失真、抑制反馈环路中的噪声、扩展频带、改变输入电阻和输出电阻来改善放大电路的性能。61、为了分别满足以下要求，应该引入什么样的反馈：降低电路对信号源的要求电流：串联负反馈。当环境温度变化或使用不同值的三极管时，放大器电路的静态工作点要求稳定：DC负反馈。稳定输出电流：电流负反馈。62、电压串联负反馈可以稳定电路输出电压，同时使输入电阻变大。63.如果负反馈放大电路的开环放大倍数为A=100000，反馈系数为F=0.01，则闭环放大倍数为100。64、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是。65.负反馈放大电路的四

9、种基本类型是电压串联、电压并联、电流串联和电流并联。66、为了稳定电路的输出信号，电路应采用负反馈。为了产生正弦波信号，电路应采用正反馈。67、理想集成运算放大器的理想条件是Aud=，Rid=，KCMR=，RO=068、Avd=无穷大的理想化条件下的理想运算放大器69、电流源电路的特点是小DC等效电阻和大交流等效电阻。70.电流源的特点是输出电流恒定，DC等效电阻小，交流等效电阻大。71.工作在线性区域的理想集成运算放大器有两个重要结论：虚故障和虚短路。72，理想运算放大器，Ad=无穷大，Ri=无穷大，Ro=0。73.当形成电压比较器时，集成运算放大器工作在开环或正反馈状态。74、如果有用信号

10、频率高于1000赫兹，可以选择高通滤波器；如果你想要低于500赫兹的有用信号，你可以选择低通滤波器。75.当选择频率高于1000赫兹的信号时，可以选择高通滤波器；带阻滤波器可用于抑制50赫兹的交流干扰；如果你想抑制低于500赫兹的信号，你可以选择高通滤波器。76、有用信号频率高于1000赫兹时，可选择高通滤波器；为了抑制50 Hz交流电源的干扰，可以使用带阻滤波器；如果您只想通过500赫兹到1千赫兹的有用信号，您可以选择带通滤波器。77、按工作信号频率范围滤波器可分为：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。78.在线性状态和理想工作条件下，集成运算放大器得出两个重要结论：虚断路和虚短

11、路。79.通用集成运算放大器的输入级大多采用差分放大电路，输出级大多采用公共集电极电路。80.正弦波振荡电路由放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节四部分组成。81.当正弦波振荡电路振荡时，振幅平衡条件是相位平衡条件为n=0，1，2。82.信号发生器的原理是=-1当电路是负反馈时，如自激电路。例如，在正反馈=1时，文丘里振荡器电路。83、石英晶体振荡器是LC振荡电路的一种特殊形式，因此振荡频率具有很高的稳定性。84、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是，相位平衡条件是，n是整数，为了使电路振荡，振幅条件是。85、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四部分组成。86.当

12、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时，有：=3、=、=。87、正弦波自激振荡电路的振荡平衡条件是，n是整数。88、正弦波振荡电路的振荡条件是，n是整数。89、有用信号频率高于1000赫兹时，可以选择高通滤波器。维恩桥式振荡器中放大电路的电压放大系数Af3可以满足启动条件。90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用交流负反馈。为了产生正弦波信号，电路应采用正反馈。91.DC电源是将交流电压转换成DC电压的能量转换电路。92.三端集成稳压器7805输出5伏，7915输出-15伏93.DC电源一般由以下四部分组成：电源变压器、滤波电路、稳压电路和整流电路。稳压集成电路W7810的输出电压为10伏94.

13、将交流电转换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的DC电压平均值等于输入交流电压有效值(即变压器二次电压)的0.45倍；全波整流电路输出的平均DC电压等于输入交流电压有效值(即变压器次级电压)的0.9倍。95.三端集成稳压器7915的输出电压为-15伏。96.串联稳压电路中放大环节放大的对象是输出采样电压。97.开关DC电源比线性DC电源更有效的原因是调节管的状态不同。98、低功率稳压电源一般由电源变压器、整流电路、滤波器、稳压电路等四部分组成。99.振幅失真和相位失真总是被称为频率失真。100.串联反馈稳压电路由调节管、比较放大器、参考电压和采样环节组成。多重选择1、半导体二极管和直流电压，有(一)甲、大电流小电阻乙、大电流大电阻c、小电流小电阻D、小电流大电阻2.当PN结正向偏置时，其内部电场为a，削弱b，加强c，不变d，不确定性3、半导体齐纳二极管正常电压时，应工作在(A)a、反向偏置击穿状态b、反向偏置非击穿状态c，正向偏置导通状态d，正向偏置非导通状态(a)掺杂到本征半导体中以形成p型半导体。a、三价元素b、四价元素c、五价元素d和六价元素5.PN结伏安特性的表达式如(一)所示甲、乙、c、D、6.与每个单级放大电路相比，多级放大电路的通带a、加宽b、缩小c、不变d，独立于每个单级放大电路7.当负载开路时，放大器电路的输出电压为4V。连接12 k负载电阻