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文档简介

1、1.4场效应晶体管,Field-Effect Transistors (FETs),内容提要,1.4.1结型场效应管,原理、输出特性与转移特性 1.4.2绝缘栅型场效应管,原理、输出特性与转移特性 1.4.3场效应管的主要参数 1.4.5场效应管与晶体管的比较,1.4.1结型场效应管的结构和符号,图1.4.2 N沟道结型场效应管的结构示意图,图1.4.3 uDS 0时uGS对导电沟道的控制作用,沟道变窄,沟道消失,图1.4.4 UGS(off)0的情况,预夹断,恒流,DS间为电阻特性,图1.4.5 场效应管的输出特性,1 2 3,图1.4.6 场效应管的转移特性曲线,图1.4.7 N沟道增强型

2、MOS管结构示意图 及增强型MOS的符号,图1.4.8 uDS 0时uGS对导电沟道的影响,图1.4.9 uGS为大于UGS(th)的某一值时 uDS对iD的影响,图1.4.10 N沟道增强型MOS管的特性曲线,图1.4.11 N沟道耗尽型MOS管结构 示意图、符号及转移特性,图1.4.13 场效应管的符号及特性,1.4.3场效应管的主要参数,直流参数 交流参数 极限参数,夹断电压,开启电压,饱和漏极电流,直流输入电阻,低频跨导,极间电容,最大漏极电流,击穿电压,最大耗散功率,例 1.4.2 试分析 为0V,8V和10V情况下 分别为多少？,如图所示电路,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V，饱和漏电流IDSS=4mA。试问，为保证负载电阻RL上的电流为恒流， RL的取值范围为多少？,1.4.5场效应管与晶体管的比较,流控？压控？ 温度稳定性 噪声 管

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