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文档简介
1、1、第3章集成逻辑门电路、1、逻辑门电路、2、数字集成电路的分类、3、本章内容、3.1个别元件门电路、1、二极管“and”电路、2、二极管“or”电路、3、3.3 ECL和I2L门电路的概要、1、ECL门电路、 CMOS反相器,2,其他类型的CMOS电路,3,3 .地位,第3章集成逻辑门电路,1 74/54AC/ACT,2 .按制造工艺分类,双极型,TTL ECL I2L,MOS型,PMOS NMOS CMOS,4000,54/74 SAS 3.1个别元件栅极电路,结论: F=AB,一、二极管“and”电路,二极管是理想的,8、结论: F=AB,二、二极管“”,在数字电路中,只有截止区域(截止
2、状态)和饱和区域(导通状态),ton、toff是电路的最高工作(3)三极管瞬时开关特性、ton (打开时间)、toff (关闭时间)、10、2 .三极管逆变器、(1)工作原理、1、a、f、() iB、iC、RC、d、R2、3.4V、0.2V、(a )电路、图3.1.4晶体管逆变器电路电流负载、UIH=3.4V UIL=0.2V Uon=0.7V VCC=5V、(1) A=B=1、(2) A=0、B=1、Y=0的阈值电压: UT=1.4V、关门电平、开门电平及噪声容限、主要的静态残奥定仪表、输出逻辑哈3.4V、2.4V、0.2V、0.4V、低电平UOL -1.5 -2.0、-1.0-0.51.0
3、1.52 ui/v、1.4、(a )输入特性、(b )测试电路,图3。 (14 )当输入负载特性,且uI 1.3V时,t5 off、T2 off或T2 on,但是分流作用被忽略,并且处于放大状态。 在uI=1.4V时,T5被接通,并被钳位于1.4V,如果稳定地输出高电平,则RI 0.91、15、直流5V级内阻20K 5、多栅输入端的处理与信号端连接。 通过一个电阻(大于1 )连接电源的正极并接地。 飞针为1.4V左右、16、(4)输出特性、引入电流负载、栅极电流负载、17、扇入系数: NI、扇出系数: NO,从输出特性曲线可知容许的最大引入电流和栅极电流。 (例如高电平2.4V; 低电平0.4
4、 V ),通常为NO8。 18、(5)动态特性、传输延迟、图3.2.11 TTL和逆变器的传输延迟、19、54/74系列、10ns左右、tpd=10ns、20已知的动态尖峰电流、图3.2.12动态尖峰电流、21、二降低图3.2.13 54H/74H系列和变频器(54h/)、(2)电阻的电阻值,为tpd 6ns,增大了电路的静态功耗。 减小了栅极电路输出高电平时的输出电阻。 提高晶体管的开关速度制作了tpd。 导入22、2.54s/74s系列、图3.2.14 54S/74S系列和变频器(54S/74S00 )的电路结构、(1)耐饱和晶体管。 (2)引入有源漏极电路。 tpd=35ns,电路的静态
5、功耗仍然很大。 减轻晶体管的饱和深度,使之成为tpd。加速T5的on或off,变成tpd。 23、图3.2.14 54S/74S系列和变频器(54S/74S00 )的电路结构、24、3.54ls/74ls系列、图3.2.1654ls。 (1)提高电阻值。 (2)引入耐饱和晶体管和有源发射电路。 (3)引入SBD (无电荷蓄积效应)代替多发射极晶体管。 (4)导入d 3、D4加速断开状态的开启程序。25、表3.2.1不同系列TTL门的性能比较、26、3、其他类型的TTL门,典型的TTL和反相器的输入输出特性仍适用于1.TTL反相器、2.TTL反相器、2.TTL反相器、27、大输出高电平固定,缺乏
6、灵活性。 (2)OC门、概念、逻辑符号、使用时,需要外接电源和电阻,(28 )、(3)外接电阻RL的确定,并设n门,驱动m个负载门的输入端。 所有OC栅极都输出高电平,IIH:负载栅极输入漏电流。 IOH:OC栅极输出漏电流,29,OC栅极输出低电平:I IL :负载栅极低电平输入电流,I G(max):OC栅极最大栅极电流,30,作为驱动器,(4)OC栅极的应用,线路,330 TTL,CMOS,作为驱动器1、ECL门电路、原因:ECL门电路中的晶体管的工作为非饱和和浅截止状态,ECL门电路中的电阻电阻值小,且逻辑振幅(高、低电平之差)低。 33,2 .工作原理,3 .残奥仪表,tpd一般可以
7、在35ns下减少到现在0.1ns以内。高电平-0.8V、低电平-1.6V、阈值电压、噪声容限为0.2V左右、1 .构成、电流开关、基准电压源、发射极输出器。 34、因为是发射极输出,所以能够实现“线或”功能。 4 .应用、ECL电路的产品仅限于中小型集成电路(因功耗大),主要用于高速、超高速的数字系统和设备。 (国产ECL电路分为CE10K、CE100K两个系列),Y1=A B C D,ECL电路采用例-3、35、2、I2L门电路,进一步提高集成度进行了研制。 各逻辑单元的电路结构非常简单,功耗低。 1. I2L基本逻辑单元的工作原理,图3.3.2 I2L基本逻辑单元,I2L基本门电路,36,
8、2 .残奥仪表,高电平0.7V,低电平0.1V; 一般的tpd 10ns。 3 .应用,现在I2L电路主要用于制作大规模集成电路的内部逻辑电路(为了提高抗噪声性,接口电路与TTL电平兼容),很少用于制作中小规模集成电路。37、第4节CMOS栅极电路、CMOS栅极电路的特征:CMOS反相器(串联互补)、CMOS传输门(并联互补)是CMOS集成电路的基本组件。 制造工艺简单、集成度高、工作电源容许变化范围宽、功耗低、输入阻抗高、扇出系数大、抗干扰性高。 38、1、CMOS反相器、1 .电路结构、NMOS、PMOS管串联互补。 导通电压分别是UTN、UTP,是正常动作,要求:2 .动作原理,3 .电压传输特性和电流传输特性,39,静态残奥仪表,噪声容限,UOL=0V,UOH=VDD,40,4 .电源接通后,CMOS器件的输入端悬空由于输入阻抗高,容易受到干扰噪声的干扰,容易在使电路产生误动作的栅极上引起静电,成为栅极破坏的原因。 41、42、其他类型的CMOS电路中,2个反相器的负载管并联连接,驱动管串联连接。cmos与非门、(1)电路配置、(2)操作原
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