MOSFET管驱动电路的设计ppt课件.ppt

1、MOS管驱动电路设计、生命信息和仪器工程学院、有关MOSFET的基础知识，一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。但是，如果MOS的G S级别2之间存在电容器，则驱动MOS并不是那么简单，因为牙齿电容。MOSFET的基本知识是MOS管开关速度越快越好。开关时间越短，开关损耗越小，开关电源期间开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定电源供应设备的效率。对于MOS管，将GS之间的电压从0拖到管道的开口电压所需的时间越短，MOS管打开的速度就越快。同样，将MOS管的GS电压从开放电压降低到0V的时间越短，MOS管关闭的速度就越快，对MOSFET的基本知识也就越快。因

2、此，我们可以看到，如果想在更短的时间内提高或降低GS电压，就必须给MOS关口一个更大的瞬时驱动电流。你常用的PWM筹码输出是直接驱动MOS或放大到三极管后驱动MOS的方法。事实上，瞬间驱动电流有很大的缺陷。建议使用专用的MOSFET车手芯片(如TC4420)驱动MOS管道。这些芯片通常具有较大的瞬时输出电流，与TTL级输入、MOSFET车手芯片的内部结构兼容。MOS驱动的电路设计需要注意，因为寄生电感、寄生电感和MOS管道的连接电容器形成了LC。如果直接将驱动芯片的输出连接到MOS管闸，PWM波的上升和下降将产生巨大的振动，导致MOS管突然加热或爆炸。一般的解决方法是降低10欧元左右的电阻、L

3、C振动电路Q值，使振动快速衰减。(约翰f肯尼迪，Northern Exposure(美国电视电视剧)MOS驱动电路设计由于MOS关口的高输入阻抗特性，可能会误导MOS管线，因此建议在MOS管线G S之间并行使用一个10K的电阻，以减少输入阻抗。如果担心附近电力线上的干扰耦合，可以制造瞬间的高压破坏MOS管。GS之间18V左右的TVS瞬态抑制二极管，TVS是反应速度快的稳定管，瞬间可承受的功率达数百千瓦，可用于吸收瞬间的干扰脉冲。请参阅MOS管驱动电路，MOS管驱动电路布线设计，MOS管驱动电路的回路面积必须尽可能小。否则，必须尽可能接近车手芯片上的VCC和GND针，以引入外部电磁干扰车手芯片。

4、否则，线路电感芯片的瞬时输出电流，请参阅mos管驱动电路布线，典型的MOS管驱动波形，典型的MOS管驱动波形.很多时间管道都在线性区域工作，损失很大。一般来说，接线太长，电感太大，因为闸电阻救不了你。只能重画木板。常见的MOS管驱动波形，高频铃声严重的外观方波。(大卫亚设，美国电视电视剧).上升和下降的冲击很大，在这种情况下，管道一般瞬间死亡。和前面的情况相似，进入线性区域。BOOM！原因也类似。主要是接线问题，常见的MOS管驱动波形，胖圆形猪波。上升和下降由于阻抗不一致而很慢。筹码驱动容量太低，或灌嘴电阻大小太大。果断改变大电流的驱动筹码，门电阻小调整，OK，常见的MOS管驱动波形，浮肿的脸

5、正弦，方波在他们家出生的三角波驱动电路阻抗超大规模头部。这是管道必杀技。解决方法是这样的。常见的MOS管驱动波形，大众脸型，人们喜欢的方波。高低不平，牙齿可以叫水平。因为是平的。边缘陡峭，开关速度快，损耗小，有轻微振动，可以接受，管道不能进入线性区域，强迫症时适当地进入栅极电阻，常见的MOS管驱动波形，正方形的美南波无贝尔五剑杆无线损耗的三无产品。这是最完美的波形。驱动MOS的筹码，TC4420:峰值电流6A MIC4452:针脚和TC4420完全兼容，但是峰值电流9A非常适合驱动更大的MOS，通过驱动较小的MOS，可以获得极高的开关速度。效率(波可能会增大)IR2110:半桥引导驱动器，2A

6、输出用于驱动半桥和整个桥。我推荐阻止高压反灌溉，烧毁主人，驱动MOS的芯片。TLP 250: 2A推拉输出的光耦合器可用于驱动隔离的MOS管，但由于光耦合器延迟较大，建议不要使用高于50K的频率。建议采用h桥隔离驱动。IXDD430:牙齿变态，30A瞬间驱动电流，适合像13年局部战争问题一样完全不考虑文波，只关心效率的情况。当然，价钱也很感人。不得不建议使用，扩大知识，在中小型电力全校和半桥开关电源中使用闸驱动变压器驱动MOS管更大功率的开关电源和变频器通常使用悬浮驱动电路。(威廉莎士比亚，北极(美国电视电视剧)，需要多个隔离电源供应设备，使用光电耦合器或脉冲变压器传递驱动信号，电路复杂，但性能很好。驱动大功率MO