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文档简介

1、12.6 位移电流 Maxwell方程组,验证：非稳恒电流时安 培环路定理,稳恒电流：,一、位移电流,非稳恒电流：,(传导)电流：,(传导)电流密度：,矛盾根源：非稳恒电流的不连续性。,解决办法：引入位移电流，使电流在空间连续。,对平板电容器：,两板间 D 的通量：,验证：非稳恒电流时安 培环路定理,位移电流：通过某一截面的位移电流通过该截面 D 通量对 t 的变化率。,位移电流密度：某一点位移电 流密度该点D 矢 量对对 t 的变化率。,Fig. 位移电流只存在于 变化的电场中,麦克斯韦(James Clerk Maxwell)，英国 物理学家，经典电磁理论奠基人，气体 动理论创始人之一。他

2、提出感生电场和 位移电流概念，建立了经典电磁理论， 并预言了以光速传播的电磁波的存在。 一生中主要从事电磁理论、分子物理 学、统计物理学、光学、力学、弹性理论方面的研究。 尤其是他建立的电磁场理论，将电学、磁学、光学统一 起来，是19世纪物理学发展的最光辉的成果，是科学史 上最伟大的综合之一。,18311879,由宏观的电荷移动产生,由变化的电场产生,有热效应,无热效应,传导电流与位移电流的比较：,只存在于导体中,存在于变化的电场中,相同点：皆可激发磁场。,二、全电流 全电流定律,全电流 is 传导电流 ic + 位移电流 id,或,H沿任意闭合回路的环流等于 穿过该闭合回路所围曲面的全 电流

3、。全电流安培环路定理,例 柱形电容器的单位长度上电量 ，求其内 部位移电流密度及 h 段内“流到”外筒的位移电流。,解,在其内部作一高斯面：封闭圆柱面,位移电流密度：,h 段内“流到”外筒的位移电流：,( the end ),例 如图所示，平板电容器从q0开始充电，试画出充 电过程中，极板间 1、2 两点处的电场强度和磁场强度 的方向。,与 同向。,三、Maxwell方程组,电场：,静 电 场：,涡旋电场：,磁场：,由传导电流激发的磁场：,由位移电流激发的磁场：,电磁场：,电场部分：,磁场部分：,1. 电场性质：,静 电 场：,涡旋电场：,2. 磁场性质：,B 线皆闭合,3. 变化的电场 磁场：,传导电流：,位移电流：,4.变化的磁场 电场：,静 电 场：,涡旋电场：,( 相互独立 ),例 Maxwell方程组也可写成：,判断下列结论包含或等效于哪一个Maxwell方程式：,1. 变化的磁场一定伴随有电场： ；,2. 磁感应线是无头无尾： ；,3. 电荷总伴随有电场： ；,( The end ),1. 位移

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