光电检测技术基础

1、光电检测技术,教材： 雷玉堂编，光电检测技术，中国计量出版社 参考教材： 光电检测技术与应用 郭培源 北京航空航天大学出版社 光电信号检测 吴杰 哈尔滨工业出版社 光电检测技术 高稚允 国防工业出版社,2,人类通过自身的感觉器官从外界获取信息,3,再次认识人眼,高灵敏度：光的辐射通量2*10-172*10-5W 高分辨力 P2 对不同波长光灵敏度不同：存在明暗视见函数 0.1s的视觉暂留时间和50ms的动态响应时间,4,材料的检测与控制技术,4/60,5,五官与传感器,6,狭义：“光电子材料”替代“人眼”,7,各种光电传感器：,8,第一章 光电检测技术基础,1.1 辐射度量和光度量 1.2 半

2、导体物理基础 1.3 光电效应,9,1.1 辐射度量和光度量,一、光的基本性质 光的微粒流学说 牛顿，17世纪:反射、折射 光的波动学说:电磁波 惠更斯，杨氏，麦克斯韦（1860）：干涉、衍射、偏振 光的波粒二象性 电磁波(光传播时)：干涉、衍射、偏振、反射、折射 光子流 (与物质作用)：发射、吸收、色散、散射,10,11,光的基本特性 光谱范围：1pm1mm，波长短 可见光波长：380nm780nm 真空中光速: 光在媒质中传播速度: v=/n 光子能量：E= h 光子动量：p = h/c = h/ 普朗克常数:,一、光的基本性质,1.1 辐射度量和光度量,12,二、光辐射度量,1.1 辐射

3、度量和光度量,13,三、光谱辐射度量：光谱分布,1.1 辐射度量和光度量,14,四、光度量：可见光,根据人眼的视觉强度来定义 能量相同而波长不同的光引起人眼的视觉强度不同 光谱光视效率（视见函数）V() 国际照明委员会CIE定义 明视觉时：555nm处最大，V（）=1 明视觉：白天正常光照 暗视觉：夜间弱光照射,15,1.1 辐射度量和光度量,16,1.辐射度学,对各种电磁辐射进行定量评价,工具：光接收器件,结果：,与光能量相关的各种物理量,评价对象：电磁辐射,2.光度学,工具：人眼,对象：可见光辐射,对可见辐射作用于人眼所引起的“光”感觉进行定量评价，是一种生理效应,用下标(e),无（e）下

4、标或用下标(v),辐射度学和光度学物理量的定义比较,17,1. 辐射功率（辐射通量）,对于辐射源说-单位时间内向空间各个方向发射的总能量。,单位：W（瓦特）,对于电磁波的传播-单位时间通过某一截面的电磁波能量,对于电磁波的接收-单位时间内某一截面接收到的电磁能,如果是多波长辐射，则有：,光谱功率谱密度,辐射度学基本物理量,18,点光源: 在某一方向上，在单位立体角内发出的辐射通量（描述辐射体在不同方向上的辐射特性）。,2、辐射强度,单位：,向空间各个方向辐射均匀的点光源：,如果辐射是多波长的电磁波则：,如果辐射不均匀，则方向上的辐射强度，可表示为：,19,3、辐射亮度,单位：,-表征发光面发光

5、强弱并与发光面特性有关的物理量。 面元dS 在方向的光亮度定义为： 此面元在方向d体积角内的的辐射通量de 除立体角的大小d 和此面元在观测方向上的表观面积cos(dS) 。,如果是多波长辐射则：,如果辐射不均匀，则方向上的辐亮度，可表示为：,20,4、辐射出射度,- 光源单位时间由单位表面积辐射出的电磁能（包括所有方向） ，或者说单位辐射面发出的辐通量。用来描述辐射体表面不同位置的辐射特性。,单位：W/m2,- 受照面上单位时间单位表面积接受的辐射能，或单位表面积接受的辐通量。,5、辐照度,单位：W/m2,同样有：,同样有：,21,光度学基本物理量,（一）光度学量和辐射度学量的关系,1. 光

6、谱灵敏度K 及 视见函数V,相同,波长（）不同,产生对人眼不同的刺激程度,人眼对光的感受是光波长的函数,单位时间内发射、传播或接收的光谱光量(人眼) 单位时间内发射、传播或接收的光量(人眼),(1)光谱灵敏度,22,定义: 视见函数,(2)视见函数,23,24,（二）光度学量,25,26,-面元dS在方向d体积角内的的光通量dv 除立体角的大小d 和此面元在观测方向上的表观面积cos(dS)。,3、光亮度,单位：,辐射亮度,-面元dS在方向d体积角内的的辐通量de 除立体角的大小d 和此面元在观测方向上的表观面积cos(dS)。,2,2,27,4、光出射度,- 光源单位时间由单位表面积辐射出的

7、光量（包括所有方向） ，或者说单位辐射面发出的光通量。,单位：lm/m2,辐射出射度,- 光源单位时间由单位表面积辐射出的电磁能（包括所有方向） ，或者说单位辐射面发出的辐通量。,单位：W/m2,28,- 受照面上单位时间单位表面积接受的光量，或单位表面积接受的光通量。,5、（光）照度,单位：lm/m2,- 受照面上单位时间单位表面积接受的辐射能，或单位表面积接受的辐通量。,辐照度,单位：W/m2,(lx 勒克斯）,29,其它基本概念,1. 点源,某面元上的照度与面元到光源的距离的平方成反比-平方反比定律 同时也与面源的方向有关,I,对于沿各方向匀均辐射的点源,点源对面的（光）照度-（与强度的

8、关系）,总光通量为：,30,2. 扩展源-有一定面积的辐射源,朗伯源 或称为 余弦辐射体,向空间各个方向的辐射亮度相同，理想化的扩展源,发光强度I 与方向角满足余弦定律的发光体。大部分发光体都有此性质,常数,31,根据辐射出射度的定义,根据亮度的定义,可证：,32,3. 漫反射面,-把入射光向各个方向均匀的散射的各种表面,设某一漫反射面dS所受的光照度为E，则此面接收到的光通量为：,设此反射面的反射系数为K，则它反射的光通量为：,透明漫反射体亮度减半,33,4. 定向辐射体,-光线的发射方向比较集中,如：激光器,太阳的辐射亮度只有3*108W/(sr.m2),34,1.2 半导体物理基础,电阻

9、率介于导体和绝缘体之间的物质。 一、半导体的特性 半导体特性 电阻温度系数是负的，对温度变化敏感。 导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。 半导体的导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界作用的影响而发生显著的变化。 常见半导体材料有： 元素半导体：硅、锗、硒 化合物半导体：GaAs、铝砷化镓、InSb,CdS,PbS 氧化亚铜的氧化物：砷化镓磷化镓固熔半导体 有机半导体、玻璃半导体、稀土半导体 半导体器件:利用半导体的特殊电学特性制成的器件,35,二、能带理论,1.2 半导体物理基础,原子中电子的能级 原子由带正电的原子核与一些带负电的电子组成 电子绕核运动，具有完全确定的能量 能

10、级：电子运动的每一量子态所具有的确定能量称为能级。 原子中的电子没有完全确定的轨道 泡利不相容原理： 在每一个能级中，最多只能容纳两个自旋方向相反的电子,36,晶体中电子的能带 晶体：原子（粒子）以一定的周期重复排列所构成的物体 晶体中电子的共有化：原子之间距离很近，致使离原子核较远的电子轨道发生交叠，使电子不再属于某个原子，有可能转移到相邻原子及更远的原子壳层上去，成为整个晶体所共有 电子只能在能量相同的量子态之间转移 N个原子排列成晶体时，原来分属于N个原子的相同能级必须对应分裂成属于整个晶体的N个能量稍有差别的能级 能带：与此相对应的能量密集的能级称为能带。,37,二、能带理论,1.2

11、半导体物理基础,38,原子的能限和结晶格中的能带之比较,图1.1.1-3导体内的能带,半导体内的能带,外加电场时，非满带形成电流；而严格满带不产生电流。 半导体在有限温度时，理论的严格满带会变得不满。,39,二、能带理论,价带中的空穴,导带中的电子,3. 半导体的导电机制 电流：电场作用电子的定向运动 导电条件: 1)向电子提供能量; 2)电子要跃入的能级是空的 价带中的电子离开所留空位称为空穴 电子和空穴统称为载流子 外加电场时，非满带载流子在无规则热运动中迭加了定向运动，形成电流；而满带不产生电流。 导带中电子越多，导电能力越强； 价带中空穴越多，导电能力越强,为什么半导体在有限温度时，理

12、论的严格满带会变得不满，导带的电子及价带的空穴如何产生：分两种情况讨论（本征半导体和杂质半导体）。,40,3. 半导体的导电机制 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体称为本征半导体 本征激发：电子由价带直接激发跃迁到导带 本征半导体的载流子只能依靠本征激发产生 导带电子和价带空穴相等,二、能带理论,1.2 半导体物理基础,价带,导带,禁带,本征激发（热或者光等外界因素）,常温下,不导电,弱导电性,41,3. 半导体的导电机构 杂质半导体： 半导体中人为地掺入少量杂质形成掺杂半导体，杂质对半导体导电性能影响很大（晶体的缺陷也有类似效果）。 杂质能级和晶体中其它能级不同，可处于晶体能带间的禁带中

13、（对导电性影响巨大） N型半导体：主要由电子导电（此时电子又称为多子） 在四价原子硅（Si）晶体中掺入五价原子，例如磷（P）或砷（As），形成N型半导体，电子为多数载流子 通常，施主能级离导带底较近，导带中电子多于价带中空穴 P型半导体：主要由空穴导电（此时空穴被称为多子） 在四价原子硅（Si）晶体中掺入三价原子，例如硼（B），形成P型半导体，空穴为少数载流子 受主能级离价带顶较近，价带中空穴多于导带中电子,1.2 半导体物理基础,42,常温下,43,价带,导带,杂质能级,低温下,杂质激发+本征激发,44,三、热平衡载流子,在一定温度下，若没有其他的外界作用，半导体中的自由电子和空穴是由热激发

14、产生的。载流子的激发和复合（电子找到空穴相互抵消）两种过程处于热平衡状态，载流子浓度为某一稳定值。,1.2 半导体物理基础,本征半导体中的载流子,开始时：激发复合,一段时间后：激发=复合,（载流子浓度增大）,（载流子浓度稳定）,设由低温到高温的过程,45,三、热平衡载流子,根据量子理论和泡利不相容原理，能态分布服从费米统计分布规律，能量为E的能态被电子占据的概率f(E)由费米-狄拉克函数给出，即 导带电子浓度n和价带空穴浓度p,f(E)：费米分布函数，能量E的概率函数 k：波耳兹曼常数，1.3810-23J/K T：绝对温度 EF：费米能级（一般认为：低于费米能级处满带）,1.2 半导体物理基

15、础,N_：导带的有效能级密度 N+：价带的有效能级密度 E_：导带底 E+：价带顶,46,本征半导体中，电子和空穴浓度相等，即n=p, 本征载流子浓度为一恒定值 式中Eg=E_-E+为禁带宽度，说明热平衡时两种载流子浓度的乘积等于一个常数（杂质半导体中乘积满足相同常数）。 本征半导体费米能级（基本位于禁带中央）,1.2 半导体物理基础,三、热平衡载流子,杂质半导体费米能级 N型位于施主能级和导带底的正中间（近似填满） P型位于受主能级和价带底的正中间（近似空带） 温度升高时逐渐向本征费米能级靠近（杂质对低温导电影响大）,47,热平衡态下，半导体内部电子和空穴的产生率和复合率相等，系统保持相对平

16、衡状态 半导体在外界条件有变化（如受光照、外电场作用、温度变化）时，载流子浓度要随之发生变化，此时系统的状态称为非热平衡态。 非热平衡时导带和价带中电子和空穴的浓度为 n=n0+ n p=p0+ p 保持外界条件不变，系统将逐渐达到新的平衡状态，载流子浓度增加。撤掉外界条件，系统又将恢复原来的平衡状态,四、非平衡载流子,1.2 半导体物理基础,48,四、非平衡载流子,描述复合的参数-寿命 使非平衡载流子浓度增加的运动称为产生 使非平衡载流子浓度减少的运动称为复合 复合率：=n/(或p/) 非平衡载流子寿命（P32） 它表征复合的强弱，小表示复合快，大表示复合慢 非平衡载流子的衰减随时间的变化关

17、系 它决定了光电器件的时间特性 非平衡载流子从产生到复合之前的平均存在时间,1.2 半导体物理基础,49,四、非平衡载流子,非平衡载流子的复合方式（P33图2-13） 直接复合： 导带中电子直接跳到价带，与价带中空穴复合。 间接复合：通过复合中心复合 复合中心指禁带中杂质（深能级杂志）及缺陷 间接复合：电子从导带落入到复合中心称电子俘获；电子从复合中心落入价带称空穴俘获；。 体内复合与表面复合： 材料表面在研磨、抛光时会出现许多缺陷与损伤，从而产生大量复合中心。发生于半导体表面的复合过程称为表面复合。,1.2 半导体物理基础,杂质除了改变载流子，提供复合中心，还可以充当陷阱，积累载流子（形式上

18、与施主、受主作用相反）。,50,陷阱效应 半导体内杂质上的电子数会因某种原因增加或减少,形成累积非平衡载流子的作用就叫陷阱作用 所有杂质均有一定的陷阱作用，但有显著陷阱作用的杂质能级称为陷阱 显著陷阱作用的条件 俘获电子和空穴的能力差别大（称作电子陷阱或空穴陷阱） 陷阱对少子作用更明显（宽禁带、低温），对于多数载流子，除非陷阱密度较大到可与多子相比拟时，陷阱效应才不能忽略 杂质能级的位置：如对于电子陷阱，杂质能级得在费米能级之上较深的位置（有空位，且热激发尽量弱），即能够尽量与费米能级重合,陷阱效应最显著（空穴陷阱类似也得尽可能与费米能级重合） 陷阱效应影响半导体的性质:寿命,灵敏度等（如少子

19、陷阱，增加了多子的寿命，提高定态光电导灵敏度；多子陷阱，减少多子数目，减弱定态光电导灵敏度。）,四、非平衡载流子,1.2 半导体物理基础,51,五、载流子的运动：扩散和漂移,1.扩散运动:高浓度 低浓度 载流子浓度不均匀情况下的无规则热运动的结果 扩散流与浓度梯度成正比 2.漂移运动:外电场驱使 载流子在电场的加速作用下，除热运动之外获得的附加运动 忽略扩散，漂移+散射平均漂移速度: 3.混合运动:扩散+漂移 扩散系数与迁移率关系（适用平衡及非平衡情况，一般情况漂移电流多子贡献，扩散电流少子贡献）,1.2 半导体物理基础,52,1.本征吸收(吸收系数105，发生在微米量级的表面层内，表面状态影

20、响大) 光子作用使电子由价带跃迁到导带 入射光子能量大于禁带宽度时(hEg)才能发生本征吸收 长波限0：0 =ch/Eg=1.24/Eg(m) 2.杂质吸收 杂质能级中的电子与空穴吸收光子后跃迁 杂质电子吸收光子，会从杂质能级跃迁到导带；价带电子吸收光子，会从价带能级跃入杂质能级 长波限0：0 =ch/Ei=1.24/Ei(m) 出现在本征吸收限外的长波区,六、半导体对光的吸收,1.2 半导体物理基础,53,3.自由载流子吸收 自由载流子在同一能带内不同能级之间的跃迁 吸收系数与波长的关系（吸收光谱）： 光子牵引效应（外加动量的传递，光生伏特效应） 4.激子吸收 吸收光子形成可动的电子-空穴对

21、(激子)，整体自由运动、电中性 激子能量小于电子，能级处于禁带中（长波限的长波侧形成尖锐的吸收线） 5.晶格吸收 光子直接转变成晶格原子的振动 晶格原子振动能量的变化为h的整数倍（光谱范围与晶格振动频率在一个数量级）,1.2 半导体物理基础,54,七、PN结及金属与半导体的接触,半导体:P型、N型、本征型(i型) 合而成结（过渡区）：Pi结、Ni结、PN结 .结原理 对半导体分别掺P型和N型杂质,形成从P型区到N型区之间的过渡区称为PN结 扩散形成内建电场(微米量级，强电场) 热平衡下的PN结 内建电势 正向导电性 平衡过程将两个费米能级拉平（两种理解：经典扩散理论或量子论化学势角度）,1.2

22、 半导体物理基础,55,势垒形成及外场作用,56,p-n结单向导电的原因在于：由于结区中载流子浓度很低，是高阻区，如果加上正向偏压V，V使P区电势升高，则势垒降低，电子不断从n区向P区扩散，空穴也不断从p区向n区扩散，由于是多子运动，所以随外加电压的增加。扩散电流显著增加；反之施加反向偏压-V时，外加电场与自建电场一致，使势垒升高，由于是少子运动，所以反向电流很小，且不随反向电场的增大而增加。,57,非平衡态下的PN结 电子、空穴浓度积： 准费米能级 平衡时，V=0， PN结加正向电压（或光照）时，V0，增加的载流子形成正向电流（势垒VD降为VD-V） PN结加反向电压时，V0，减少的载流子形

23、成反向电流（提高势垒，易饱和） PN结伏安特性公式（纯扩散）,1.2 半导体物理基础,指数关系,58,七、PN结及金属与半导体的接触,2.半导体异质结 禁带宽度不同的两种不同质半导体材料接触而组成的结 两种不同的半导体材料构成的结 金属、绝缘体与半导体构成的结 Anderson假设 晶格完全匹配：晶格结构、晶格常数、热膨胀系数相同 具有不同的禁带宽度、介电常数、功函数（费米能级到真空能级差）、电子亲和能（导带到真空能级差） 异质结能带结构 晶格失配系数1% 内建电场为两种材料两个内建电场电压之和 异质结的电流-电压特性：指数规律,1.2 半导体物理基础,阻止电子扩散的势垒远比阻止空穴的势垒小（

24、空穴扩散忽略，仅考虑正反向电子电流，且有V1V2）,59,七、PN结及金属与半导体的接触,3.肖特基势垒 金属与半导体接触界面耗尽层势垒 阻挡接触（理解右图） 金属与N型(a):耗尽层 金属与P型(b):空穴势垒 加正向偏压(c) (d) 加反向偏压(e) (f) 电流-电压关系 电流是多数载流子越过势垒的热离子发射产生的,1.2 半导体物理基础,与PN结完全类似的指数关系 （正向偏置：使势垒降低，注意金属端的极性）,N,P,注意：输运实验中要避免肖特基接触！,60,4.注入接触（I-V超线性关系）与欧姆接触（线性关系） 金属与N型半导体的接触(a) 金属的费米能级高于半导体 电子由金属注入半

25、导体,构成负空间电荷区 金属与P型半导体的接触(b) 半导体的费米能级高于金属 电子由半导体注入金属,构成正空间电荷区 注入接触:空间电荷区 欧姆接触:金属与半导体逸出功相同,无电荷转移,1.2 半导体物理基础,61,1.3 光电效应,光电效应：因光照而引起物体电学特性改变的现象 发射电子、导电率变化、产生光电动势 外光电效应（金属及金属氧化物）:光电管、光电倍增管 受光照后向外发射电子的现象 内光电效应（半导体及绝缘体） 光照后所产生的光电子只在物质内部运动而不会逸出物质外部 光电导效应:光照后载流子显著增加而电阻减小 光生伏特效应:光照时在半导体两侧产生光电动势,62,硫化物、氧化物、卤化

26、物 光照时电阻减少 本征光电导 光照使电子获得足够能量越过禁带而跃入导带，产生大量光生载流子参与导电 长波阀值：0=1.44/Eg 杂质光电导 P、N型半导体 杂质光电导比本征光电导微弱（杂质原子少） 描述参数： 1.灵敏度 2.弛豫时间 3.光谱分布,一、光电导效应,1.3 光电效应,63,一、光电导效应,1.光电导体的灵敏度 给定条件下,单位照度所引起的光电流 用光电增益G表示：,，电场强度 ，迁移率：载流子在单位电场作用下的漂移速度 l,光电导体两极间距 U，外加电源电压 与非平衡载流子寿命、迁移率成正比,与电极间距平方成反比 若电子空穴都参与导电,，量了产额(量子效率)：吸收一个光子所

27、产生的电子空穴对数 ，光生载流子寿命 tL，载流子在光电导两极间的渡越时间,64,一、光电导效应,2.光电导的弛豫（光生载流子的产生与复合不是瞬时完成） 光照后光电导重新达到稳态所需时间 弛豫时间长，惯性大；弛豫时间短，则惯性小 光生载流子浓度（与光电导增量成正比）与光强的关系： 直线性光电导（定态 ） 定态情形（光持续稳定或持续没有，即平衡态，此时复合率等于产生率）： 非定态情形（1）：刚开始光照时 非定态情形（2）：刚结束光照：,1.3 光电效应,65,抛物线性光电导（定态 ） 假设：复合率与光生载流子密度的平方成正比，即=b(n)(n) 定态条件： 光生载流子密度及电导率增量与光强平方根

28、近似成正比； 光电流随时间按双曲线性规律下降 光强越高，抛物线性光电导 的弛豫时间越短 惯性小（弛豫时间小），定态 灵敏度低；定态灵敏度高，惯性大,1.3 光电效应,考虑非定态情形：,66,一、光电导效应,3.光电导的光谱分布： 光电导的大小与照射光的波长有关 本征光电导的光谱分布 不同的半导体材料有不同的光谱响应曲线 光谱分布有一长波限（曲线峰值左右不对称的解释P46） 杂质光电导的光谱分布 杂质光电导的光谱响应波长比本征光电导的长（电离能小） 杂质光电导效应微弱（杂质少） 杂质光电导的测量是研究杂质能级的重要方法（低温条件下）,1.3 光电效应,67,二、光生伏特效应,光照使半导体中光生电

29、子和空穴在空间分开而产生电位差的现象 内建电场(势垒效应) PN结、异质结、肖特基势垒都存在内建电场 光照时接触界面起了电池作用 结上光电压与光电流关系,1.3 光电效应,a)无光照时，NP型半导体有统一的费米能级，势垒高度为qUD=EFN-EFP。 b)稳定光照下P-N结开路，由于光生载流子积累而出现光生电压Uoc不再有统一费米能级，势垒高度为q(UD-Uoc)。 c)稳定光照下P-N结短路，P-N结两端无光生电压，势垒高度为qUD，光生电子空穴对被内建电场分离后形成短路电流。 d)有光照有负载，一部分光电流在负载上建立起电压Uf，另一部分光电流流经外电路，势垒高度为q(UD-Uf)。,68

30、,体积光生伏特效应（第二类光生伏特效应） 丹倍效应:由于光生载流子的扩散速度（跟有效质量成反比）的不同而导致在光的传播方向上产生电位差的现象 表面至内部的载流子浓度梯度 丹倍电压或扩散电压（通常较低） 丹倍电压与载流子迁移率之差成正比，小信号时还与光强成正比： 输出功率低：未照部分电阻高，压降高（P49） 光磁电效应（跟扩散和迁移率有关）：相当大光强度范围内，开路电压与光强度成正比,光子牵引效应：光子与自由载流子作用，速度快（无复合问题10-10s），但效率低（kW级输入mV级输出）,69,1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，获得1921年诺贝尔物理学奖。,三、光电发

31、射效应,光照时光敏物质中电子能逸出表面,70,过程（激发传输逸出表面） （1）电子吸收光子以后产生激发，即得到能量（吸收系数尽量大）； （2）得到光子能量的电子（受激电子，又称热电子）从发射体内向真空界面运动（电子传输过程，传输距离用逸出深度表示）； （3）这种受激电子越过表面势垒向真空逸出（到达表面电子能量大于逸出功）。,71,三、光电发射效应,光电发射过程： 激发传输逸出表面 金属的光电发射 电子逸出功：T=0K时真空能级与EF之差 半导体的光电发射 电子亲和势：导带底上的电子向真空逸出时所需的最低能量，数值上等于真空能级（真空中静止电子能量）与导带底能级Ec之差。 负电子亲和势（NEA，

32、Negative Electron Affinity）：是指体内的有效电子亲和势，而不是指表面电子亲和势。,1.3 光电效应,72,三、光电发射效应,外光电效应的几个规律 光电发射第一定律-斯托列托夫定律 频谱成分不变时，光电发射电流与被阴极所吸收的光通量成正比 Ik=SkFk （Sk：光电器件的灵敏度） 光电发射第二定律-爱因斯坦定律 发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，与入射光强（光子数目多少）无关 光电发射的红限 使电子能逸出的入射光的最长波长 波长红限,1.3 光电效应,380nm 3.2ev 780nm 1.6ev,光电发射的瞬时性（高频响，无惯性）：光电发射的延迟时间不超过310 -13s的数量级。光电发射具有表面和体积效应。,73,1辐射度量、光谱辐射度量、光度量定义的差别？重点掌握光度量的定义，包括其单位等。以光度量为例，弄清出射度、照度、亮度的区别。 2朗伯辐射体（又名均匀漫反射体）其辐射满足余弦定律，能够证明其亮度与空间角度无关，且出射度在数值上是亮度的pi倍。 3视网膜上的锥状细胞和杆状细胞对光强和颜色分辨有何不同，明暗视觉各