集成电子技术基础教程 第一篇第3章要点(5)_第1页
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第三章要点,集成电子技术基础教程,第一篇 电子器件与电子电路基础,FET的种类,各类FET对偏置电压的要求,场效应管的主要参数,直流参数,增强型管开启电压VGS(th)(VT),耗尽型管夹断电压VGS(off)(VP),耗尽型管在VGS=0时的饱和漏极电流IDSS,交流参数,低频跨导(互导)gm 转移特性曲线的斜率,交流输出电阻rds,FET放大电路的特点,三种基本组态：共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG),场效应管正常工作，各电极间必须加上合适的偏置电压,两种常见偏置电路：自给偏压，分压式自给偏压),FET是一种电压控制器件，只需提供栅极偏压，而不需 提供栅极电流,场效应管的偏置电路,自给偏压电路,分压式自给偏压电路,FET放大电路的静态工作点计算,图解法分析,自给偏压电路,公式法分析,FET放大电路的静态工作点计算,分压式自给偏压电路,FET的工作区域及其应用,可变电阻区：非线性电阻，用作可控电阻,放大区（恒流区，饱和区）：用作线性放大,截止区：非线性（开关）应用,

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