集成电子技术基础教程 第一篇第4章(5)_第1页
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文档简介

1、集成电子技术基础教程,第一篇 电子器件与电子电路基础,第四章 集成电路中的电子器件,集成电路分类,二极管、三极管、场效应管、电阻、电容,各种连线,集成电路同一块硅片制作特殊功能电路,集成电路器件之间绝缘,小规模SSI 、中规模MSI 、大规模LSI和超大规模VLSI,模拟集成电路，数字集成电路,介质(如SiO2)隔离模拟集成电路,PN结隔离数字集成电路,1.4.1 复合管,两只或两只以上的半导体三极管(或场效应管) 按一定方式连接成Darlington结构,常见达林顿管组合：,合的近似程度：,结论：,等效复合管的管型取决于第一只管子的类型,等效复合管的12,等效复合管的输入电流可大大减小，T1

2、可采用小功率管,组成复合管时也可由晶体管和场效应管或多个晶体管进行复合,1.4.2 多集电极管和多发射极管,多集电极管,集电极电流之比IC1/IC2约等于集电区面积之比,利用它的多个集电极可以构成多个具有比较稳定电流关系的电流源,多发射极三极管,多发射极三极管常作为门电路的输入级电路,在数字集成电路中，影响门电路转换速度的主要因素是晶体管的开关时间，多发射极管的引入可以加快后级晶体管存储电荷的消散，缩短开关时间，从而提高门电路的转换速度,1.4.3 肖特基三极管,肖特基三极管：普通双极型三极管的集电结上，并接一个肖特基势垒二极管(SBD),三极管的开关速度受存储时间的影响最大，三极管饱和越深，存储时间越长,SBD的开启电压约为0.3V，正向压降0.4V(比普通二极管低0.20.3V) ，本身又没有电荷存储效应，开关时间短，利

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