固体物理—简答题

1、1 试述位错反应及其能否进行的条件。答： 由几个位错合成为一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程称为位错反应。位错反应能否进行，取决于两个条件： 几何条件，即反应前各位错的柏氏矢量之和应等于反应后的柏氏矢量之和。 能量条件，即反应后各位错的总能量应小于反应前的总能量。由于位错的能量正比于柏氏矢量的平方，故此条件可写为 2 解释在固熔强化效果上间隙机制优于置换机制的原因。答：间隙式熔质原子的强化效果一般要比置换式熔质原子更显著。这是因为间隙式熔质原子往往择优分布在位错线上，形成间隙原子“气团”，将位错牢牢钉扎住，从而造成强化。相反，置换式熔质原子往往均匀分布，虽然由于熔质和熔剂原子尺寸不同

2、，造成点阵畸变，从而增加位错运动的阻力，但这种阻力比间隙原子气团的钉扎力小得多，因而强化作用也小得多。3 简述纯金属晶体长大的机制及其与固液界面结构的关系。答：晶体长大机制是指晶体微观长大方式，它与液固界面结构有关。具有粗糙界面得物质，因界面上约有50的原子位置空着，这些空位都可接受原子，故液体原子可以单个进入空位与晶体相连接，界面沿其法线方向垂直推移，呈连续式长大。具有光滑界面的晶体长大，不是单个原子的附着，而是以均匀形核的方式，在晶体学小平面上形成一个原子层厚的二维晶核与原界面形成台阶，单个原子可以在台阶上填充，使二维晶核侧向长大，当该层填满后，则在新的界面上形成新的二维晶核，继续填满，如

3、此反复进行。若晶体的光滑界面存在有螺型位错的露头，则该界面称为螺旋面，并形成永不消失的台阶，原子附着到台阶上使晶体长大。4 脱熔分解与调幅分解在形成析出相时最主要的区别是什么？答：两者在形成析出相时最主要的区别在于形核驱动力和新相的成分变化。脱熔分解时，形成新相要有较大的浓度起伏，新相与母相的成分相比较有突变，因而产生界面能，这也就需要较大的形核驱动力以克服界面能，亦即需要较大的过冷度。而对调幅（Spinodal）分解，没有形核过程，没有成分的突变，任意小的浓度起伏都能形成新相而长大。5.何谓同素异构现象？试以铁为例加以阐述，并分析a-Fe g-Fe的体积变化情况。答：材料在不同的条件下（非成

4、分）改变其结构（空间点阵或分子结构）的现象。a-Fe g-Fe相变后其致密度增大，即体积缩小。6.为何亚共析钢的正常淬火加热温度应在Ac3以上适当的温度，而过共析钢的正常淬火加热温度应在Ac1和Accm之间一定的温度？答：亚共析钢的正常淬火加热温度在Ac3以上适当的温度便可实现完全A化。过共析钢的正常淬火加热温度在Ac1和Accm之间一定的温度便可实现A化又使二次渗碳体有适量的溶解配位数：它是表示晶体中原子排列紧密程度的方法之一，计算每个原子周围最近邻且等距离的原子数目。固熔体：固态下一种组元（熔质）熔解在另一种组元（熔剂）中而形成的新相，其特点是具有熔剂组元的点阵类型。动态过冷度：晶核生长时

5、液固界面要继续向液体中移动，就必须在液固界面前沿液体中有一定的过冷，这种过冷度称为动态过冷度。伪共晶：在不平衡凝固时，成分在共晶点附近的合金也可能获得全部共晶组织，这种由非共晶成分的合金所得到的共晶组织称为伪共晶。自扩散：纯物质晶体中的扩散称为自扩散。由于不存在浓度梯度，自扩散产生于晶体中原子的无规则随机运动。滑移变形：晶体的一部分相对于另一部分的滑动所形成的变形；其机理是位错移动。固溶强化：溶质原子对固溶体造成的晶格畸变致使固溶体强度升高的现象。组织细化强化：由相变、塑变等工艺措施致使材料组织细化（晶粒、亚晶粒、畴等）造成材料强度升高的现象。单晶体：是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排

6、列。线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷。主要为位错dislocations。多晶体：是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体（晶粒）组成点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。包括空位vacancies、间隙原子interstitial atoms、杂质impurities、溶质原子solutes等

7、。面缺陷（Planar defects）：在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也称为二维缺陷。包括晶界grain boundaries、相界phase boundaries、孪晶界twin boundaries、堆垛层错stacking faults等。晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动，当振动能足够大时，将克服周围原子的制约，跳离原来的位置，使得点阵中形成空结点，称为空位vacancies肖脱基（Schottky）空位：迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，使晶体内部留下空位。弗兰克尔（Frenkel）缺陷：挤入间隙位置，在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。晶

8、格畸变：点缺陷破坏了原子的平衡状态，使晶格发生扭曲，称晶格畸变。从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降；电阻升高，密度减小等。热平衡缺陷：由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷（thermal equilibrium defects），这是晶体内原子的热运动的内部条件决定的。过饱和的点缺陷：通过改变外部条件形成点缺陷，包括高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照等，这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度，称为过饱和的点缺陷(supersaturated point defects) 。位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称作位错刃型位错

9、：当一个完整晶体某晶面以上的某处多出半个原子面，该晶面象刀刃一样切入晶体，这个多余原子面的边缘就是刃型位错。刃型位错线可以理解为已滑移区和未滑移区的分界线，它不一定是直线螺型位错：位错附近的原子是按螺旋形排列的。螺型位错的位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线混合位错：一种更为普遍的位错形式，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度。可看作是刃型位错和螺型位错的混合形式。柏氏矢量 b: 用于表征不同类型位错的特征的一个物理参量，是决定晶格偏离方向与大小的向量，可揭示位错的本质。位错的滑移（守恒运动）：在外加切应力作用下，位错中心附近的原子沿柏氏矢量b方向在滑移面上不断作少量位

10、移（小于一个原子间距）而逐步实现。 交滑移：由于螺型位错可有多个滑移面，螺型位错在原滑移面上运动受阻时，可转移到与之相交的另一个滑移面上继续滑移。如果交滑移后的位错再转回到和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双交滑移。位错密度：单位体积内所包含的位错线总长度。 r = L / V (cm-2)一般，位错密度也定义为单位面积所见到的位错数目 r = n / A (cm-2) 位错滑移的特点1) 刃型位错滑移的切应力方向与位错线垂直，而螺型位错滑移的切应力方向与位错线平行； 2) 无论刃型位错还是螺型位错，位错的运动方向总是与位错线垂直的；（伯氏矢量方向代表晶体的滑移方向） 3) 刃型位错引起

11、的晶体的滑移方向与位错运动方向一致，而螺型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向垂直； 4) 位错滑移的切应力方向与柏氏矢量一致；位错滑移后，滑移面两侧晶体的相对位移与柏氏矢量一致。5) 对螺型位错，如果在原滑移面上运动受阻时，有可能转移到与之相交的另一滑移面上继续滑移，这称为交滑移 (双交滑移）派-纳力：晶体滑移需克服晶体点阵对位错的阻力，即点阵阻力位错的攀移（非守恒运动）：刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动，主要是通过原子或空位的扩散来实现的（滑移过程基本不涉及原子的扩散）。位错在某一滑移面上运动时，对穿过滑移面的其它位错（林位错）的交割。包括扭折和割阶。扭折：位错交割形成的曲折线段在位错

12、的滑移面上时，称为扭折。割阶：若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为割阶。位错交割的特点1) 运动位错交割后，在位错线上可能产生一个扭折或割阶，其大小和方向取决于另一位错的柏氏矢量，但具有原位错线的柏氏矢量(指扭折或割阶的长度和方向)2) 所有的割阶都是刃型位错，而扭折可以是刃型也可是螺型的。 3) 扭折与原位错线在同一滑移面上，可随位错线一道运动，几乎不产生阻力，且在线张力的作用下易于消失；4）割阶与原位错不在同一滑移面上，只能通过攀移运动，所以割阶是位错运动的障碍- 割阶硬化 位错的应变能：位错周围点阵畸变引起的弹性应力场，导致晶体能量的增加，称为位错的应变能或位错的能量。重合位置点阵：当

13、两个相邻晶粒的位相差为某一值时，若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵。全位错 Perfect dislocation：柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错，全位错滑移后晶体原全位错滑移后晶体原子排列不变不全位错 Imperfect dislocation：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错，不全位错滑移后晶体原子排列规律变化部分位错 Partial dislocation：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 堆垛层错：实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层错，简

14、称层错。位错反应：位错线之间可以合并或分解，称为位错反应界面interface：通常包含几个原子层厚的区域，其原子排列及化学成分不同于晶体内部，可视为二维结构分布，也称为晶体的面缺陷。包括：外表面和内界面外表面：指固体材料与气体或液体的分界面。它与摩擦、吸附、腐蚀、催化、光学、微电子等密切相关。 内界面：分为 晶粒界面、亚晶界、孪晶界、层错、相界面等。 表面能：晶体表面单位面积自由能的增加，可理解为晶体表面产生单位面积新表面所作的功 = dW/ds 小角度晶界：（Low-angle grain boundary）相邻晶粒的位相差小于10亚晶界一般为2左右。对称倾斜晶界：(symmetric t

15、ilt boundary) 晶界两侧晶体互相倾斜 晶界的界面对于两个晶粒是对称的，其晶界视为一列平行的刃型位错组成。大角度晶界：（High-angle grain boundary） 相邻晶粒的位相差大于10 孪晶 Twins：两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成镜面对称的位相关系，这两个晶体称为孪晶；这一公共晶面称为孪晶面(孪晶界) Twin plane (boundary)。 相界：具有不同结构的两相之间的分界面称为“相界” 非共格界面(non-coherent interface)：当两相邻晶体在界面处的晶面间距相差很大时，这种相界与大角度晶界相似，可看成是由原子不规则排列的

16、薄过渡层构成 变形塑性变形的方式：主要通过滑移和孪生、还有扭折。滑移是指晶体的一部分沿一定的晶面和晶向相对于另一部分发生滑动位移的现象。滑移带：滑移线的集合构成滑移带，滑移带是由更细的滑移线所组成，滑移系：一个滑移面和其上的一个滑移方向构成一个滑移系临界切应力：滑移只能在切应力的作用下发生，产生滑移的最小切应力称临界切应力。滑移是通过滑移面上的位错的运动来实现的孪生是指晶体的一部分沿一定晶面和晶向相对于另一部分所发生的切变。发生切变的部分称孪生带或孪晶，沿其发生孪生的晶面称孪生面 孪生与滑移的主要区别1 孪生通过晶格切变使晶格位向改变，使变形部分与未变形部分呈镜面对称；而滑移不引起晶格位向改变

17、。2 孪生时，相邻原子面的相对位移量小于一个原子间距；而滑移时滑移面两侧晶体的相对位移量是原子间距的整数倍。3 孪生所需要的切应力比滑移大得多，变形速度大得多退火孪晶：由于相变过程中原子重新排列时发生错排而产生的，称退火孪晶位错的塞积：当位错运动到晶界附近时，受到晶界的阻碍而堆积起来,称位错的塞积细晶强化：通过细化晶粒来同时提高金属的强度、硬度、塑性和韧性的方法称细晶强化因为晶粒越细，单位体积内晶粒数目越多，参与变形的晶粒数目也越多，变形越均匀，使在断裂前发生较大的塑性变形。强度和塑性同时增加,金属在断裂前消耗的功也越大，因而其韧性也比较好。固溶强化：随溶质含量增加，固溶体的强度、硬度提高，塑

18、性、韧性下降，称固溶强化原因：由于溶质原子与位错相互作用的结果，溶质原子不仅使晶格发生畸变，而且易被吸附在位错附近形成柯氏气团，使位错被钉扎住，位错要脱钉，则必须增加外力，从而使变形抗力提高柯氏Cotrell气团溶质原子的偏聚现象。在位错线附近存在溶质原子偏聚，位错的滑移受到约束和钉扎作用，塑性变形难度增加，金属材料的强度增加。弥散强化：当在晶内呈颗粒状弥散分布时，第二相颗粒越细，分布越均匀，合金的强度、硬度越高，塑性、韧性略有下降，这种强化方法称弥散强化或沉淀强化。原因：由于硬的颗粒不易被切变，因而阻碍了位错的运动，提高了变形抗力加工硬化：随冷塑性变形量增加，金属的强度、硬度提高，塑性、韧性

19、下降的现象称加工硬化原因：随变形量增加, 位错密度增加，由于位错之间的交互作用(堆积、缠结)，使得位错难以继续运动，从而使变形抗力增加；这是最本质的原因。57、置换固溶体:当溶质原子溶入溶剂中形成固溶体时，溶质原子占据溶剂点阵的阵点，或者说溶质原子置换了溶剂点阵的部分溶剂原子，这种固溶体就称为置换固溶体。形变织构：由于晶粒的转动，当塑性变形达到一定程度时，会使绝大部分晶粒的某一位向与变形方向趋于一致，这种现象称形变织构或择优取向。内应力是指平衡于金属内部的应力。是由于金属受力时, 内部变形不均匀而引起的。金属发生塑性变形时,外力所做的功大部分转化为热能，只有10%转化为内应力残留于金属中. 回

20、复与再结晶回复recovery：是指新的无畸变晶粒出现前所产生的亚结构和性能变化的阶段。金属中的点缺陷及位错近距离迁移而引起的晶内某些变化。如空位与其他缺陷合并、同一滑移面上的异号位错相遇合并而使缺陷数量减少等。再结晶recrystallization：是指出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程。在开始阶段，在畸变较大的区域里产生新的无畸变的晶粒核心，即再结晶的形核过程；然后通过逐渐消耗周围变形晶粒而长大，转变成为新的等轴晶，直至冷变形晶粒完全消失。晶粒长大grain growth：是指再结晶结束后晶粒的长大过程，在晶界界面能的驱动下，新晶粒会发生合并长大，最终达到一个相对稳定的尺寸多边

21、形化：由于位错运动使其由冷塑性变形时的无序状态变为垂直分布，形成亚晶界，这一过程称多边形化 去应力退火：利用回复现象将冷变形金属低温加热，既稳定组织又保留加工硬化，这种热处理方法称去应力退火回复阶段退火的作用： 提高扩散 促进位错运动 释放内应变能回复退火产生的结果： 电阻率下降 硬度、强度下降不多 降低内应力再结晶的形核率是指单位时间、单位体积内形成的再结晶核心的数目，一般用N表示；晶核一旦形成便会继续长大至相邻晶粒彼此相遇，长大速率用G表示再结晶温度：再结晶不是一个恒温过程，它是自某一温度开始，在一个温度范围内连续进行的过程，发生再结晶的最低温度称再结晶温度。再结晶退火：把消除加工硬化的热

22、处理称为再结晶退火晶粒的长大：正常长大，异常长大。正常长大：大多数晶粒几乎同时长大，晶粒长大的驱动力是降低其界面能，晶粒界面的不同曲率是造成界面迁移的直接原因，界面总是向曲率中心的方向移动。异常长大（不连续晶粒长大、二次再结晶）：少数晶粒突发性不均匀长大，使晶粒之间尺寸差别显著增大，直至这些迅速长大的晶粒完全相互接触为止。退火孪晶:再结晶退火后出现的孪晶。是由于再结晶过程中因晶界迁移出现层错形成的再结晶织构:再结晶退火后形成的织构。退火可将形变织构消除，也可形成新织构低于再结晶温度的加工变形称为冷加工高于再结晶温度的加工变形称为热加工热加工：在加工变形的同时产生加工硬化和动态回复与再结晶，并且

23、热加工产生的加工硬化很快被回复再结晶产生的软化所抵消，所以热加工体现不出加工硬化现象。动态回复：在塑变过程中发生的回复。动态再结晶：在塑变过程中发生的再结晶。 特点：反复形核，有限长大，晶粒较细。 包含亚晶粒，位错密度较高，强度硬度高。107、小角度晶界：相邻亚晶粒之间的位相差小于10o，这种亚晶粒间的晶界称为小角度晶界，一般小于2o，可分为倾斜晶界、扭转晶界、重合晶界等。108、临界分切应力：滑移系开动所需的最小分切应力；它是一个定值，与材料本身性质有关，与外力取向无关。105、间隙化合物：当非金属（X）和金属（M）原子半径的比值rX/rM0.59 时，形成具有复杂晶体结构的相，通常称为间隙

24、化合物。106、大角度晶界：多晶材料中各晶粒之间的晶界称为大角度晶界，即相邻晶粒的位相差大于10o的晶界。101、布拉菲点阵：除考虑晶胞外形外，还考虑阵点位置所构成的点阵。102、配位多面体：原子或离子周围与它直接相邻结合的原子或离子的中心连线所构成的多面体，称为原子或离子的配位多面体。超塑性：某些材料在特定变形条件下呈现的特别大的延伸率90、范德华键：由瞬间偶极矩和诱导偶极矩产生的分子间引力所构成的物理键。91、位错滑移：在一定应力作用下，位错线沿滑移面移动的位错运动。99、同质异构体：化学组成相同由于热力学条件不同而形成的不同晶体结构。100、再结晶温度：形变金属在一定时间（一般1h）内刚

25、好完成再结晶的最低温度。1、晶体:原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、各向异性。2、中间相:两组元A 和B 组成合金时，除了形成以A 为基或以B 为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B 两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。3、亚稳相:亚稳相指的是热力学上不能稳定存在，但在快速冷却成加热过程中，由于热力学能垒或动力学的因素造成其未能转变为稳定相而暂时稳定存在的一种相。4、配位数:晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。5、再结晶:冷变形后的金属加热到一定温度之后，在原变形组织中重新产生了无畸变的新晶粒，而性能也

26、发生了明显的变化并恢复到变形前的状态，这个过程称为再结晶。（指出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程）7、交滑移:当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。9、形变强化:金属经冷塑性变形后，其强度和硬度上升，塑性和韧性下降，这种现象称为形变强化。10、固溶强化:由于合金元素（杂质）的加入，导致的以金属为基体的合金的强度得到加强的现象。11、弥散强化:许多材料由两相或多相构成，如果其中一相为细小的颗粒并弥散分布在材料内，则这种材料的强度往往会增加，称为弥散强化。14、螺型位错:位错线附近的原子按螺旋形排列的位错称为螺型

27、位错。15、包晶转变:在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。16、共晶转变由一个液相生成两个不同固相的转变。17、共析转变:由一种固相分解得到其他两个不同固相的转变。19、间隙扩散:这是原子扩散的一种机制，对于间隙原子来说，由于其尺寸较小，处于晶格间隙中，在扩散时，间隙原子从一个间隙位置跳到相邻的另一个间隙位置，形成原子的移动。30、马氏体相变:钢中加热至奥氏体后快速淬火所形成的高硬度的针片状组织的相变过程。36、非晶体:原子没有长程的周期排列，无固定的熔点，各向同性等。40、间隙相:当非金属（X）和金属（M）原子半径的比值rX/rM0.59 时，形成的具

28、有简单晶体结构的相，称为间隙相。41、全位错:把柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为全位错。42、滑移系:晶体中一个滑移面及该面上一个滑移方向的组合称一个滑移系。45、刃型位错:晶体中的某一晶面，在其上半部有多余的半排原子面，好像一把刀刃插入晶体中，使这一晶面上下两部分晶体之间产生了原子错排，称为刃型位错。46、细晶强化:晶粒愈细小，晶界总长度愈长，对位错滑移的阻碍愈大，材料的屈服强度愈高。晶粒细化导致晶界的增加，位错的滑移受阻，因此提高了材料的强度。51、柯氏气团:通常把溶质原子与位错交互作用后，在位错周围偏聚的现象称为气团，是由柯垂尔首先提出，又称柯氏气团。52、形变织构:多晶体形变过

29、程中出现的晶体学取向择优的现象叫形变织构。53、点阵畸变:在局部范围内，原子偏离其正常的点阵平衡位置，造成点阵畸变。54、稳态扩散:在稳态扩散过程中，扩散组元的浓度只随距离变化，而不随时间变化。55、包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。56、非共格晶界:当两相在相界处的原子排列相差很大时，即错配度很大时形成非共格晶界。同大角度晶界相似，可看成由原子不规则排列的很薄的过渡层构成。58、间隙固溶体:溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体称为间隙固溶体。59、二次再结晶:再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。61、肖脱基空位:在个体中晶体中，当某一原子具有足够

30、大的振动能而使振幅增大到一定程度时，就可能克服周围原子对它的制约作用，跳离其原来位置，迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上而使晶体内部留下空位，称为肖脱基空位。62、弗兰克尔空位:离开平衡位置的原子挤入点阵中的间隙位置，而在晶体中同时形成相等数目的空位和间隙原子。63、非稳态扩散:扩散组元的浓度不仅随距离x 变化，也随时间变化的扩散称为非稳态扩散。66、相律:相律给出了平衡状态下体系中存在的相数与组元数及温度、压力之间的关系，可表示为：f=C+P-2,f 为体系的自由度数，C 为体系的组元数，P 为相数。67、合金:两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼、烧结或其他方法组合而成并具有金属特

31、性的物质。68、孪晶:孪晶是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为孪晶，此公共晶面就称孪晶面。69、相图:描述各相平衡存在条件或共存关系的图解，也可称为平衡时热力学参量的几何轨迹。70、孪生:晶体受力后，以产生孪晶的方式进行的切变过程叫孪生。71、晶界:晶界是成分结构相同的同种晶粒间的界面。72、晶胞:在点阵中取出一个具有代表性的基本单元（最小平行六面体）作为点阵的组成单元，称为晶胞。73、位错:是晶体内的一种线缺陷，其特点是沿一条线方向原子有规律地发生错排；这种缺陷用一线方向和一个柏氏矢量共同描述。74、偏析:合金中化学成分的不均匀性。75、金

32、属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。76、固溶体:是以某一组元为溶剂，在其晶体点阵中溶入其他组元原子（溶剂原子）所形成的均匀混合的固态溶体，它保持溶剂的晶体结构类型。77、亚晶粒:一个晶粒中若干个位相稍有差异的晶粒称为亚晶粒。78、亚晶界:相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。79、晶界能:不论是小角度晶界或大角度晶界，这里的原子或多或少地偏离了平衡位置，所以相对于晶体内部，晶界处于较高的能量状态，高出的那部分能量称为晶界能，或称晶界自由能。80、表面能:表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量称为表面自由能（或表面能）。81、界面能:界面上的原子处在断键状态，具有超额

33、能量。平均在界面单位面积上的超额能量叫界面能。86、珠光体:铁碳合金共析转变的产物，是共析铁素体和共析渗碳体的层片状混合物。87、莱氏体:铁碳相图共晶转变的产物，是共晶奥氏体和共晶渗碳体的机械混合物。88、柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向，也使位错扫过后晶体相对滑动的量。89、空间点阵:指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列，是人为的对晶体结构的抽象。1.简述空间点阵和晶体结构的区别空间点阵是由周围环境相同的阵点在空间排列的三维列阵，其中一个节点可以为原子、分子、离子或原子集团；晶体结构是在点阵晶胞的范围内，标出相应的晶体结构中各原

34、子的位置，即其中一个点代表一个原子。空间点阵将构成晶体的实际质点的体积忽略，抽象成为纯粹的几何点，晶体结构是指原子的具体排列。2.简述间隙固溶体、间隙化合物和间隙相的区别间隙固溶体属于固溶体，保持溶剂的晶格类型，表达式为、，强度硬度较低，塑性、韧性好；间隙相与间隙化合物属于金属间化合物，形成与其组元不同的新点阵，用分子式MX、M2X等表示，强度硬度高，塑性韧性差。间隙相和间隙化合物的主要区别是原子半径比不同，用rx、rm分别表示化合物中的金属与非金属的原子半径，当rx/rm0.59时，形成具有复杂晶体结构的相，称为间隙化合物。3.在正温度梯度下，纯金属和单相固溶体凝固形貌的区别在正温度梯度下，

35、纯金属以平直界面方式推移长大（此时，界面上任何偶然的、小的凸起伸入液体时，都会使其过冷度减小、长大速率减小或者停止生长，即被周围部分赶上，保持平直界面的推移），长大中晶体沿平行温度梯度方向生长或者沿散热方向反向生长，其他方向生长受到抑制。单相固溶体中不仅存在热过冷，还可能存在成分过冷，当G/Rmv0(1-k0)/Dk0时，即存在成分过冷，平面生长被破坏。当成分过冷较小时，凸起部分不可能有较大的伸展，使界面形成胞状组织；若成分过冷区较大，则界面可形成树枝状组织。温度梯度较小不形成成分过冷时，仍可保持平直状生长。4.铝板在轧制一天后和四天后在同一温度下进行退火，退火时间相同，将它们进行再结晶时温度有何不同，为什么？放置四天后的铝板再结晶温度较高。原因：再结晶驱动力是变形金属储存的