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文档简介

微型计算机的组成,一、CPU 二、硬盘 三、内存 四、光驱 五、显示卡 六、显示器 七、主板,八、网卡 九、声卡 十、机箱 十一、电源 十二、CPU风扇 十三、机箱风扇,CPU主要参数及规格型号,一、CPU架构,就是CPU核心的设计方案。目前CPU大致可以分为X86、IA64、RISC等多种架构,而个人电脑上的CPU架构,其实都是基于X86架构设计的,称为X86下的微架构,常常被简称为CPU架构。 更新CPU架构能有效地提高CPU的执行效率,但也需要投入巨大的研发成本,因此CPU厂商一般每2-3年才更新一次架构。近几年比较著名的X86微架构有Intel的Netburst(Pentium 4/Pentium D系列)、Core(Core 2系列)、Nehalem(Core i7/i5/i3系列),以及AMD的K8(Athlon 64系列)、K10(Phenom系列)、K10.5(Athlon II/Phenom II系列)。,二、CPU制造工艺:,我们常说的CPU制作工艺是指生产CPU的技术水平,改进制作工艺,就是通过缩短CPU内部电路与电路之间的距离,使同一面积的晶圆上可实现更多功能或更强性能。制作工艺以纳米(nm)为单位,目前CPU主流的制作工艺是45nm和32nm。对于普通用户来说,更先进的制作工艺能带来更低的功耗和更好的超频潜力。,三、CPU位宽,32/64位指的是CPU位宽,更大的CPU位宽有两个好处:一次能处理更大范围的数据运算和支持更大容量的内存。对于前者,普通用户暂时没法体验到其优势,但对于后者,很多用户都碰到过,一般情况下32位CPU只支持4GB以内的内存,更大容量的内存无法在系统识别(服务器级除外)。于是就有了64位CPU,然后就有了64位操作系统与软件。,四、主频、倍频、外频、前端总线频率、超频:,CPU主频,就是CPU运算时的工作频率,一般以MHz和GHz为单位。主频=外频x倍频。而我们常说的超频,就是通过手动提高外频或倍频来提高主频。前端总线FSB(Front Side Bus)是处理器与主板北桥芯片或内存控制集线器之间的数据通道,五、核心数、线程数:,虽然提高频率能有效提高CPU性能,但受限于制作工艺等物理因素,早在2004年,提高频率便遇到了瓶颈,于是 Intel/AMD只能另辟途径来提升CPU性能,双核、多核CPU便应运而生。目前主流CPU有双核、三核和四核, 六核也将在今年发布。 其实增加核心数目就是为了增加线程数,因为操作系统是通过线程来执行任务的,一般情况下它们是1:1对应关系,也就是说四核CPU一般拥有四个线程。但Intel引入超线程技术后,使核心数与线程数形成1:2的关系,如四核Core i7支持八线程(或叫作八个逻辑核心),大幅提升了其多任务、 多线程性能。,六、缓存:,缓存,Cache,它也是决定CPU性能的重要指标之一。为什么要引入缓存?在解释之前必须先了解程序的执行过程,首先从硬盘执行程序,存放到内存,再给CPU运算与执行。由于内存和硬盘的速度相比CPU实在慢太多了,每执行一个程序CPU都要等待内存和硬盘,引入缓存技术便是为了解决此矛盾,缓存与CPU速度一致,CPU从缓存读取数据比CPU在内存上读取快得多,从而提升系统性能。当然,由于CPU芯片面积和成本等原因,缓存都很小。目前主流级CPU都有一级和二级缓存,高端的甚至有三级缓存。,CPU的工作电压就是CPU正常工作所需的电压,与制作工艺及集成的晶体管数相关。正常工作的电压越低,功耗越低,发热减少。CPU的发展方向,也是在保证性能的基础上,不断降低正常工作所需要的电压。例如老核心Athlon XP的工作电压为1.75v,而新核心的Athlon XP其电压为1.65v,七、工作电压,TDP功耗:TDP的英文全称是“Thermal Design Power”,中文翻译为“热设计功耗”,是反应一颗处理器热量释放的指标,它的含义是当处理器达到负荷最大的时候,释放出的热量,单位为瓦(W)。 CPU的TDP功耗并不是CPU的真正功耗。CPU的功耗(功率)等于流经处理器核心的电流值与该处理器上的核心电压值的乘积。而TDP是指CPU电流热效应以及其他形式产生的热能,他们均以热的形式释放。显然CPU的TDP小于CPU功耗。换句话说,CPU的功耗很大程度上是对主板提出的要求,要求主板能够提供相应的电压和电流;而TDP是对散热系统提出要求,要求散热系统能够把CPU发出的热量散掉,也就是说TDP功耗是要求CPU的散热系统必须能够驱散的最大总热量。,八、TDP功耗:,封装是采用特定的材料将CPU芯片或CPU模块固化在其中以防损坏的保护措施,从大的分类来看通常采用Socket插座进行安装的CPU使用PGA(Ceramic Pin Grid Arrau Package插针栅格阵列)方式封装,现在还有PLGA(Plastic Land Grid Array)、OLGA(Organic Land Grid Array)等封装技术。由于市场竞争日益激烈,目前CPU封装的发展方向以节约成本为主。,九、封装形式(体积、散热、安装方便可靠),PLGA即塑料焊盘栅格阵列封装。由于没有使用针脚,而是使用了细小的点式接口,具有更小的体积、更少的信号传输损失和更低的生产成本,可以有效提升处理器的信号强度、提升处理器频率,同时也可以提高处理器生产的良品率、降低生产成本。目前Intel公司Socket 775接口的CPU采用了此封装。,OPGA封装(有机管脚阵列)。这种封装的基底使用的是玻璃纤维,类似印刷电路板上的材料。 此种封装方式可以降低阻抗和封装成本。OPGA封装拉近了外部电容和处理器内核的距离,可以更好地改善内核供电和过滤电流杂波。AMD公司的AthlonXP系列CPU大多使用此类封装。,自处理器诞生起,处理器命名编号的变化便贯穿其中.早期处理器的命名方式相当直接、明了,比如P3-933、P4-2.4GHzC,让大家一看就知道处理器的规格及功能. 现在引入了新的“数字”命名规范.这项命名方式的改变主要是希望将处理器的重点不再只集中在“频率”, 凸显出每个产品的性能差异. 如T开头的为笔记本CPU,E、X、Q开头的为台式PC的CPU,其中E开头的是双核,X、Q开头的是四核.,10、规格型号,台式CPU 、 CPU内核 Conroe CPU架构 EM64T 双核心 内核电压(V) 0.85V-1.3525V 制作工艺(微米) 0.065 微米 CPU频率主频(MHz) 2660MHz 总线频率(MHz) 1066MHz 倍频(倍) 10 外频 266MHz,E6700,Socket 775 针脚数 775pin CPU缓存L1缓存(KB) 64KB L2缓存(KB) 2MB*2 CPU技术超线程技术 不支持,i3 530 CPU频率 主频 2930MHz 外频 133MHz 倍频 22倍 插槽类型 LGA 1156 针脚数目 1156pin CPU内核 核心数量 双核心 线程数 四线程 制作工艺 32纳米 核心类型 Clarkdale CPU架构 Nehelem 热设计功耗(TDP) 73W 内核电压 0.6-1.4V 晶体管数量 1.77亿 核心面积 114平方毫米 CPU缓存 一级缓存 264K 二级缓存 2256K 三级缓存 4MB,i3 530,二、硬盘参数及规格型号,1、硬盘参数 (1)硬盘外形:3.5英寸全高硬盘,3.5英寸半高硬盘, 2.5英寸硬盘 (2)硬盘容量:单位GB,如320GB、500GB。 (3)硬盘盘片数:单片、两片等 (4)硬盘接口类型:ATA、SCSI,SATA硬盘 (5)硬盘转速: 4200转/分,5400转/分,7200转/分,10000转/分,15000转/分。 (6)硬盘缓存容量:2MB缓存,8MB缓存、16MB缓存等。,2 硬盘规格型号,例如: HDP725050GLA360 H = Hitachi(日立标识) D = Deskstar P = P7K500系列(S代表Standard) 72 = 7200转 50 = 此系列产品的最大容量为500GB(10=1000GB) 50 = 此款硬盘容量为500GB(16=160GB,25=250GB,32=320GB, 50=500GB, 75=750GB,10=1000GB) G = 系列代号 L = 标准尺寸 A3 = SATA 3.0Gb/s 接口(AT=PATA 133接口) 6 = 16MB缓存(8=8MB 缓存,6=16MB缓存,3=32MB缓存) 0 = 保留位,例如: ST3500320AS ST = Seagate(希捷) 3 = 3.5英寸(1=3.5英寸全高硬盘,3=3.5英寸半高硬盘) 500 = 500GB容量(160=160GB,250=250GB, 320=320GB,以此类推) 3 = 32MB缓存(8=8MB,6=16MB) 2 = 两张碟片(1=单碟,3=三碟,4=四碟) 0 = 保留位 S = Serial ATA串行接口(A=PATA并行接口),例如: WD2500JS-00SGB0 WD = Western Digital(西部数据) 2500 = 250GB容量(1600=160GB,5000=500GB,以此类推) J = 7200rpm/8MB缓存(B=7200转2MB,E=5400转Protege系列,G=10000转8MB) S = SATA 300MB/s接口(B=ATA接口,D=SATA 150MB/s接口) 00 = 零售市场(非00则是面向OEM客户) S = 单碟容量 G = 代表同系列硬盘的版本 B0 = 代表硬盘Firmware版本(我们常见的就是A0和B0),三、内存参数及规格型号,1、速度。,内存速度一般用于存取一次数据所需的时间(单位一般都 ns)来作为性能指标,时间越短,速度就越快。,2、容量。,单条内存的容量通常为 512M、1G、2G、4G等,3、内存电压。,SDRAM 使用 3.3V电压,而 DDR 使用 2.5V 电压,DDR二代的电压是1.8V, DDR3是1.5V,4、数据宽度和带宽。,内存的数据宽度是指内存同时传输数据的位数,以bit为单位, SDRAM 32位, DDR1、DDR2、DDR3为64bit 。 内存的带宽是指内存的数据传输速率(Mbps) 。 DDR1 (200400)、DDR2 (400800)、 DDR3 ( 8002000 )1Byte=8bit,五、内存的线数,内存的线数是指内存条与主板接触时接触点的个数,这些接触点就是金手指,有 168线、184线和240线等。,六、工作频率(Mhz),DDR1频率分别有266 333 400 DDR2频率分别有400 533 667 800 1066 DDR3频率分别有1066 1333 1600,七、内存的工作方式,SDRAM(同步动态RAM)使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM 是SDRAM的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。,DDR2(Double Data Rate 2):它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据预读取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。,DDR3相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好,更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读.DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度,尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳. DDR3在DDR2基础上采用的新型设计: 1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz. 2.采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担.,在DDR3系统中,一个内存控制器将只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道 只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(Point-to-Point)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点 (Point-to-two-Point)的关系(双物理Bank的模组),从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。,3.采用100nm以下的生产工艺,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能.,当Reset命令有效时,DDR3 内存将停止所有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所以有数据接收与发送器都将关 闭。所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的 目的。,ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引 脚通过一个命令集,通过片上校准引擎来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟 周期,在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。,ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的, 终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。 因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。,4.参考电压分成两个:对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF,在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA,另一个是为数据总线服务的VREFDQ,它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。),DDR4内存的有效运行频率初步设定在2133-4266MHz之间,运行电压则会进一步降低至1.2V、1.1V,甚至还可能会有1.05V的超低压节能版,生产工艺预计首批采用36nm或者32nm。,5.根据温度自动自刷新:为 了保证所保存的数据不丢失,DRAM必须定时进行刷新,DDR3也不例外。不过,为了最大的节省电力,DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计,因为刷新频率高的话,消电就大,温度也随之 升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下,尽量减少刷新频率,降低工作温度。,八、内存的校验,(1)奇偶校验.内存中最小的单位是比特,也称为“位“,位有只有两种状态分别以1和0来标示,每8个连续的比特叫做一个字节(byte).不带奇偶校验的内存每个字节只有8位,如果其某一位存储了错误的值,就会导致其存储的相应数据发生变化,进而导致应用程序发生错误.而奇偶校验就是在每一字节(8位)之外又增加了一位作为错误检测位.在某字节中存储数据之后,在其8个位上存储的数据是固定的,因为位只能有两种状态1或0,假设存储的数据用位标示为1、1、1、0、0、1、0、1,那么把每个位相加(1+1+1+0+0+1+0+1=5),结果是奇数.对于偶校验,校验位就定义为1,反之则为0;对于奇校验,则相反.当CPU读取存储的数据时,它会再次把前8位中存储的数据相加,计算结果是否与校验位相一致.从而一定程度上能检测出内存错误,奇偶校验只能检测出错误而无法对其进行修正,同时虽然双位同时发生错误的概率相当低,但奇偶校验却无法检测出双位错误.,ECC(Error Checking and Correcting,错误检查和纠正)内存,它同样也是在数据位上额外的位存储一个用数据加密的代码.当数据被写入内存,相应的ECC代码与此同时也被保存下来.当重新读回刚才存储的数据时,保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较.如果两个代码不相同,他们则会被解码,以确定数据中的那一位是不正确的.然后这一错误位会被抛弃,内存控制器则会释放出正确的数据.被纠正的数据很少会被放回内存.假如相同的错误数据再次被读出,则纠正过程再次被执行.重写数据会增加处理过程的开销,这样则会导致系统性能的明显降低.如果是随机事件而非内存的缺点产生的错误,则这一内存地址的错误数据会被再次写入的其他数据所取代.如果数据位是8位,则需要增加5位来进行ECC错误检查和纠正,数据位每增加一倍,ECC只增加一位检验位,也就是说当数据位为16位时ECC位为6位,32位时ECC位为7位,数据位为64位时ECC位为8位,依此类推,在内存中ECC能够容许错误,并可以将错误更正,使系统得以持续正常的操作,不致因错误而中断,且ECC具有自动更正的能力,可以将Parity无法检查出来的错误位查出并将错误修正.,1、tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay,行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。 2.tRCD 是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。 3.CAS (Column Address Strobe,列地址选通信号),准确的说应该是CL(CAS Latency,纵列存取延迟时间),它用时钟周期数表示。在某一固定外频下,其数值越小越好,一般为2个时钟周期。,九、内存时间参数,4.tRP 指RAS Precharge Time ,行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言,在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后,需要结束当前的状态然后重新开始新的循环,再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化,例如视频渲染,此时一个程序就需要使用很多的行来存储,tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快。以时钟周期数表示,一般为2 。 5.tAC 数据存取时间。一般是6ns或6.5ns,其值越小越好 tAC是Access Time from CLK的缩写,是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟,是以纳秒为单位的, 存取时间(tAC)代表着读取、写入的时间 。 6.tCLK时钟周期。tCLK决定内存芯片的额定最高工作频率。额定最高工作频率=1000/tCLK,如:tCLK=10ns,则额定最高工作频率=100MHz。 7.Burst Cycle Time 突发周期时间(突发长度决定了READ或者WRITE命令能够访问的列地址的最大数目 ),显示卡参数及规格型号,(1)显卡核心: ATI系列、 nVIDIA 比如ATI方面 4650/4670/4830/4850 nVIDIA方面 Geforce 9600GSO/9800GTX+ (2)显存类型:DDRII 或者DDRIII (3)显存位宽与显存容量 128位、256位 256M、512M、1G (4)总线接口: AGP、PCI-E PCI-E 有1X到16X 速度,(5)输出接口 VGA(模拟接口)DVI(数字接口)HDMI(高清接口),HDMI是终结以往影音分离传输的全新接口;其最大传输速度可达5Gb/s,除影像数据外,更可同时传输高达8声道的音讯信号;非压缩式的数字数据传输,可有效降低数/类转换所造成的信号干扰与衰减.HDMI是首个支持在单线缆上传输,不经过压缩的全数字高清晰度、多声道音频和智能格式与控制命令数据的数字接口.HDMI接口由Silicon Image美国晶像公司倡导,联合索尼、日立、松下、飞利浦、汤姆逊、东芝等八家著名的消费类电子制造商联合成立的工作组共同开发的.,(6)显卡的分辨率: 640X480、1024X768、1280X1024等,(7)散热系统:散热器、风扇,显示器技术参数及规格信号,1、显示器分类: CRT显示器、液晶显示器 CRT显示器显示组件是银光粉和电子束扫描。 液晶显示器的显示组件是液晶材料和背光灯。通俗地说液晶显示器就是两块玻璃中间夹了一层(或多层)液晶材料,玻璃后面有几根灯管持续发光,液晶材料在信号控制下改变自己的透光状态,于是你就能在玻璃面板前看到图像了。,2、可视面积和比例: 显示器的对角线距离(英寸)如:19英寸、23英寸等 比例是宽高比,如:16:9, 16:10,4:3等,3、色彩: 现实中的颜色是有无限种的, 而液晶由于自身的限制,是不能表现出无数种颜色的.我们常用的就是16.2M和16.7M, 颜色越多,在一些比较复杂的画面,尤其是颜色逐渐过度逐渐变化的画面中,显示器的表现就越好. 16.7M.就是1670万种颜色,4、点距和分辨率: 点距是指组成液晶显示屏的每个像素点之间的间隔大小 (毫米), 分辨率为:指屏幕多少个像素点 如1024768、1440900等。 最佳分辨率(物理分辨率),也叫最大分辨率,在该分辨率下,才能显现最佳图像。液晶显示器也可在较低分辨率的显示,有两种方式进行显示。 第一种为居中显示:例如在 1024768的屏幕上显示 800600的画面时,只有屏幕居中的800600个像素被呈现出来,其它被呈现出来的像素则维持黑暗。目前该方法较少采用。 另一种称为扩展显示:在显示低于最佳分辨率的画面时,各像素点通过差动算法扩充到相邻像素点显示,从而使整个画面被充满。这样也使画面失去原来的清晰度和真实的色彩。,5、亮度: 显示器亮度是指物体明暗的程度(单位面积的发光强度),它的单位是nits (尼特)或称堪德拉每平米(cd/m2) ,1nits=1坎特拉/平方米,亮度越高,显示器对周围环境的抗干扰能力就越强,显示效果显得更明亮。此参数至少要达到200cdm2,最好在250cdm2以上。,6、对比度(动态对比度): 对比度是指在规定的照明条件和观察条件下,显示器亮区与暗区的亮度之比。对比度是直接体现该液晶显示器能否体现丰富色阶的参数,对比度越高,还原的画面层次感就越好。 如 10001。 对比度必须与亮度配合才能产生最好的显示效果。 动态对比度:在背光可控下达到的最大对比度 如 5000000:1 动态对比度对于那些需要频繁在明亮场景和昏暗场景切换的应用才有较为明显的实际意义,如:影视,而文本处理、上网、办公、编程全部基本没有明暗变化较大的情况出现,7、可视角度: 液晶显示器属于背光型显示器件,其发出的光由液晶模块背后的背光灯提供,这必然导致液晶显示器只有一个最佳的欣赏角度正视。当你从其他角度观看时,由于背光可以穿透旁边的像素而进入人眼,就会造成颜色的失真,不失真的范围就是液晶显示器的可视角度。液晶显示器的视角还分为水平视角和垂直视角,水平视角一般大于垂直视角。目前来看,只要在水平视角上达到120度就可以满足大多数用户的应用需求了。,8、响应时间: 响应时间指的是LCD显示器对于输入信号的反应速度,也就是液晶由暗转亮或者是由亮转暗的反应时间。一般来说分为两个部分:Tr(上升时间)、Tf(下降时间),而我们所说的响应时间指的就是两者之和,响应时间越小越好,如果超过40毫秒,就会出现运动图像的迟滞现象。,9、接口:VGA 、 DVI 、 HDMI,10、液晶面板类型: VA型:VA型液晶面板在目前的显示器产品中应用较为广泛的,使用在高端产品中,16.7M色彩和大可视角度是它最为明显的技术特点,目前VA型面板分为两种:MVA、PVA。 MVA型:全称为(Multi-domain Vertical Alignment),是一种多象限垂直配向技术。它是利用突出物使液晶静止时并非传统的直立式,而是偏向某一个角度静止;当施加电压让液晶分子改变成水平以让背光通过则更为快速,这样便可以大幅度缩短显示时间,也因为突出物改变液晶分子配向,让视野角度更为宽广。在视角的增加上可达160度以上,反应时间缩短至20ms以内。 PVA型:是三星推出的一种面板类型,是一种图像垂直调整技术,该技术直接改变液晶单元结构,让显示效能大幅提升,可以获得优于MVA的亮度输出和对比度。此外在这两种类型基础上又延出改进型S-PVA和P-MVA两种面板类型,在技术发展上更趋向上,可视角度可达170度,响应时间被控制在20毫秒以内,而对比度可轻易超过700:1的高水准,,IPS型:IPS型液晶面板具有可视角度大、颜色细腻等优点,看上去比较通透,这也是鉴别IPS型液晶面板的一个方法,PHILIPS不少液晶显示器使用的都是IPS型的面板。而S-IPS则为第二代IPS技术,它又引入了一些新的技术,以改善IPS模式在某些特定角度的灰阶逆转现象。 LG和飞利浦自主的面板制造商也是以IPS为技术特点推出的液晶面板。 TN型:这种类型的液晶面板应用于入门级和中端的产品中,价格实惠、低廉,被众多厂商选用。在技术上,与前两种类型的液晶面板相比在技术性能上略为逊色,它不能表现出16.7M艳丽色彩,只能达到16.7M色彩(6bit面板)但响应时间容易提高。可视角度也受到了一定的限制,现在市场上一般在8ms响应时间以内的产品大多都采用的是TN液晶面板。 液晶面板连系着液晶显示器自身的质量、价格和市场走向。其中液晶面板关系着玩家最看重的响应时间、色彩、可视角度、对比度等参数,(1)CCFL Cold Cathode Fluorescent Lamp简称CCFL,中文译名为冷阴极萤光灯管,(2)LED是发光二极管( Light Emitting Diode, LED)的简称,11、背光 一般来说有CCFL和LED两种!,三星BX2350的技术参数,尺寸:23英寸 面板类型:TN 背光类型:LED背光 色彩:16.7M 点距:0.266mm 分辨率:19201080 屏幕比例:16:9 亮度:250nits 对比度:1000:1(5000000:1动态) 可视角度(水平/垂直):176/170. 灰阶响应时间:2ms 接口类型:VGA, HDMI2 支持HDCP,HDCP是High-bandwidth Digital Content Protection的缩写,中文可称作“HDCP数字内容保护”。不支持HDCP协议的显示器无法正常播放有版权的高清节目。,主板技术参数及规格信号,PCB板是一块多层印刷电路板,通过它主板才能把CPU、内存以及各种总线扩展槽链接起来。PCB板一般为4层、6层或8层,板的层数越多,主板的根基就越扎实,能够保证电子元器件不相干扰,这样主板性能也就越稳定。,1.PCB基板,2.CPU插座,3.电源插座,4.主板芯片组,主板芯片组主要由北桥芯片和南桥芯片组成。位于CPU和内存插槽附近的是北桥芯片,通常会有散热片,它是CPU与外部设备之间的联系纽带,主要负责控制主板的CPU、内存、AGP等高速设备。,南桥(SouthBridge)与北桥共同组成了芯片组,主要连接ISA设备和I/O设备。南桥芯片负责管理中断及DMA通道,其作用是让所有的资料都能有效传递。,5.插槽,AGP、PCI-E、PCI、ISA、内存插槽,微机维修方法,观察法、最小系统法、逐步添加去除法、隔离法、替换法、比较法、升降温法、敲打法、清洁法,这些可以机动搭配使用,以求快而准地找出电脑故障点。,一、观察法 观察,是维修断定进程中第一要法。视察不仅要当真,而且要全面。要察看的内容包含: 四周的环境; 硬件环境。包括接插头、座和槽等;软件环境; 用户操作的习惯、过程,二、最小系统法 最小系统是指,从维修判断的角度能使电脑开机或运行的最基本的硬件和软件环境。最小系统有两种情势: 硬件最小系统:由电源、主板和CPU组成。在这个系统中,不任何信号线的连接,只有电源到主板的电源连接。在判断过程中是通过声音和诊断卡上的代码来判断这一中心组成部分是否可正常工作; 软件最小系统:由电源、主板、CPU、内存、显示卡/显示器、键盘和硬盘组成。这个最小系统主要用来判断系统是否可实现畸形的启动与运行。 最小系统法,主要是要先判断在最基本的软、硬件环境中,系统是否可正常工作。如果不能正常工作,即可断定最基本的软、硬件部件有故障,从而起到故障隔离的作用。 最小系统法与逐步添加法联合,能较疾速地定位故障点,三、逐步添加/去除法 逐步增添法,以最小系统为基础,每次只向系统添加一个部件/设备或软件,来检查故障现象是否消失或产生变更,以此来判断并定位故障部位。 逐步去除法,正好与逐步增加法的操作相反。 逐步添加/去除法正常要与替换法配合,可较为正确地定位故障部位。 四、隔离法 是将可能妨害故障判断的硬件或软件屏蔽起来的一种判断方法。它也可用来将怀疑互相抵触的硬件、软件隔分开以判断故障是否发生变化的一种方法。 上提到的软硬件屏蔽,对于软件来说,等于结束其运行,或者是卸载;对于硬件来说,是在设备管理器中,禁用、卸载其驱动,或将硬件从系统中去除。,五、调换法 替换法是用好的部件去取代可能有故障的部件,以判断故障现象是否消逝的一种维修方法。好的部件可以是同型号的,也可能是不同型号的。替换的顺序一般为: 故障率高底来考虑最先替换的部件。故障率高的部件先替换 最先考核与怀疑有故障的部件相连接的连接线、信号线等,之后是替换怀疑有故障的部件,再后是替换供电部件,最后是与之相关的其它部件。,六、比较法 比较法与替代法相似,即用好的部件与猜忌有故障的部件进行外观、配置、运行景象等方面的比较,也可在两台电脑间进行比较,以判定故障电脑在环境设置,硬件配置方面的不同,从而找出故障部位。,七、升降温法 1)一般抉择环境温度较低的时段,如一清早或较晚的时光; 2)使电脑停机1224小时以上等方法实现; 3)用电风扇对着故障机吹,以加快降温速度。 4)电烙铁、热风枪吹,以加快升温速度。,八、敲打法 敲打法普通用在疑惑电脑中的某部件有接触不良的故障时,通过振动、恰当的扭曲,用橡胶锤敲打部件或设备的特定部件来使故障复现,从而判断故障部件的一种维修方法。,九、对电脑产品进行清洁的建议 有些电脑故障,往往是因为机器内灰尘较多引起的,这就要求我们在维修过程中,注意观察故障机内、外部是否有较多的灰尘,如果是,应当先进行除尘,再进行后续的判断维修。在进行除尘操作中,以下几个方面要特别注意: 1、 注意风扇的清洁 3、 注意接插头、座、槽、板卡金手指部分的清洁 金手指的清洁,可以用橡皮擦拭金手指部分,或用酒精棉擦拭也可以。 插头、座、槽的金属引脚上的氧化现象的去除: 一是用酒精擦拭,一是用金属片(如小一字改锥)在金属引脚上微微刮擦。,4、 注意大范围集成电路、元器件等引脚处的清洁 清洁时,应用小毛刷或吸尘器等除掉灰尘,同时要观察引脚有无虚焊和潮湿的现象,元器件是否有变形、变色或漏液现象。 5、 注意使用的清洁工具 清洁用的工具,首先是防静电的。如清洁用的小毛刷,应使用自然毛料制成的毛刷,禁用塑料毛刷。其次是如使用金属工具进行清洁时,必需堵截电源,且对金属工具进行泄放静电的处置。 用于清洁的工具包括:小毛刷、皮老虎、吸尘器、抹布、酒精(不可用来擦拭机箱、显示器等的塑料外壳)。 6、 对于比较湿润的情况,使其干燥后,主板常见故障,一、主板故障产生的原因 主板故障产生的原因有多种,主要可以分为人为因素、环境因素、元器件质量等。 1.人为因素 人为造成的故障比外界因素造成的故障多,主要是操作不当。如带电插拔电缆、数据线、控制卡、网卡、显示卡、内存条等,这容易造成元器件的短路,严重时,有可能烧毁主板;开关设置不对或跳线接错,也可能会造成主板的损坏。 2.环境因素 瞬间电压的变化会由于感应电压峰值太大而对主板造成损坏;人体带电可以高达千伏,如果用手触摸CMOS、BIOS器件,会把它们击穿;灰尘、温度、湿度及外界的影响、干扰也会损坏主板的功能。有条件的用户应配备稳压电源和不间断电源UPS。工作电源的地线要真正接地,接地电阻应尽可能小。应该保持正常的温度和湿度,定期打开机箱用毛刷和吸尘器除去主板上的灰尘 。,3.元器件质量 主板上有很多芯片、电容、电阻、功率管、稳压管等元器件。这些元器件可能会因为种种原因损坏,比如CPU插座附近的电容如果有质量问题,很可能在使用一段时间后出现“爆浆”的严重故障。若电源质量不好,主板I/O插槽中的控制卡超载运行、适配卡出现故障时没有及时排除或者其他配件短路往往会让主板上的芯片、电阻、功率管、稳压管烧毁。,二、开机鸣叫故障,主板BIOS有一项重要功能就是POST上电自检程序,微机接通电源后,系统首先由该程序来对主板本身及内存等主要配件进行检查,一旦在自检中发现问题,系统将给出提示信息或鸣笛警告。 1短:系统正常启动 2短:常规错误 1长1短:RAM或主板出错。 1长2短:显示器或显示卡错误 1长3短:键盘控制器错误。 1长9短:主板Flash RAM或EPROM错误,BIOS损坏。 重复长响:内存条未插紧或损坏 重复短响:电源有问题。,三、CMOS易掉电、时钟不准 在开机自检时总出现“CMOS checksum error-Defaults loades”的提示,此时必须按F1 ,Load BIOS default才能正常开机。这种情况很可能就是主板上给CMOS供电的纽扣电池没电了,换一颗电池。有些朋友的电脑时钟总是不太准确,一天快慢的误差会达到10分钟以上,而且CMOS电池电量会很快耗尽,可能的原因是主板CMOS电池插座、CMOS供电电路滤波电容、CMOS芯片有短路或漏电现象。,四、电源类故障 1、开机后,过几秒钟就自动关机。 电源开关或RESET键按下后弹不起来。 2、不定期的出现重启现象 电源供电插座有虚接,松动 3、不能开机 电源开关、电源开关线、主板电源模块坏,五、主板上的保险电阻熔断 出现找不到键盘鼠标、USB移动设备不能使用等现象,六、主板上的电容损坏 当电容因电压过高或长时受高温熏烤,会冒泡或淌液,这时电容的容量减小或失容,电容便会失去滤波的功能,使提供负载电流中的交流成份加大,造成CPU、内存、相关板卡工作不稳定,表现为容易死机或系统不稳定,经常出现蓝屏。,七、主板自动保护锁定 有的主板具有自动侦测保护功能,当电源电压有异常、或者CPU超频、调整电压过高等情况出现时,会自动锁定停止工作。表现就是主板不启动,这时可把CMOS放电后再加电启动,有的主板需要在打开主板电源时,按住RESET键即可解除锁定。,八、主板温控、及温控失常 由于现在CPU发热量非常大,主板都提供了严格的温度监控和保护装置。一般CPU温度过高,或主板上的温度监控系统出现故障(如温控线脱落),主板就会自动进入保护状态。拒绝加电启动,或报警提示。 (机器突然蓝屏死机,马上不能重启或开机,虽过一段时间能开机,但故障会再次出现。),九、南桥芯片坏 1、主板大电流,无法开机 2、南桥芯片表面变色或有烧焦痕迹 3、硬盘、光驱、USB设备、控制卡等控制异常或无法识别,十、北桥芯片坏 1、主板大电流,无法开机 2、北桥芯片表面变色或有烧焦痕迹 3、显示设备、内存控制异常或无法识别 4、无法启动,无法安装、随机性死机或蓝屏,十一、BIOS芯片坏 1、无法开机 2、自检异常、无法识别硬盘、光驱、 USB设备等,无法引导操作系统,电脑主板故障诊断卡 代码,01 处理器测试1,处理器状态核实,如果测试失败,循环是无限的。处理器寄存器的测试即将开始,不可屏蔽中断即将停用。 CPU寄存器测试正在进行或者失败。 02 如果键盘缓冲器含有数据就会失效。停用不可屏蔽中断;通过延迟开始。 CMOS写入读出正在进行或者失灵。 03 清除8042键盘控制器,发出TESTKBRD命令(AAH) 通电延迟已完成。 ROM BIOS检查部件正在进行或失灵。,04 使8042键盘控制器复位,核实TESTKBRD。键盘控制器软复位通电测试。可编程间隔计时器的测试正在进行或失灵。 05 如果不断重复测试1至5,可获得8042控制状态。已确定软复位通电;即将启动ROM。 DMA初如准备正在进行或者失灵。,06 使电路片作初始准备,停用视频、奇偶性、DMA电路片,以及清除DMA电路片,所有页面寄存器和CMOS停机字节。已启动ROM计算ROM BIOS检查总和,以及检查键盘缓冲器是否清除。 DMA初始页面寄存器读写测试正在进行或失灵。 07 处理器测试2,核实CPU寄存器的工作。 ROM BIOS检查总和正常,键盘缓冲器已清除,向键盘发出BAT(基本保证测试)命令。 . 08 使CMOS计时器作初始准备,正常的更新计时器的循环。已向键盘发出BAT命令,即将写入BAT命令。 RAM更新检验正在进行或椤? 09 EPROM检查总和且必须等于零才通过。核实键盘的基本保证测试,接着核实键盘命令字节。 第一个64K RAM测试正在进行。 0A 使视频接口作初始准备。发出键盘命令字节代码,即将写入命令字节数据。 第一个64K RAM芯片或数据线失灵,移位。,0B 测试8254通道0。写入键盘控制器命令字节,即将发出引脚23和24的封锁解锁命令。第一个64K RAM奇偶逻辑失灵。 0C 测试8254通道1。键盘控制器引脚23、24已封锁解锁;已发出NOP命令。 第一个64K RAN的地址线故障。 0D 1、检查CPU速度是否与系统时钟相匹配。2、检查控制芯片已编程值是否符合初设置。3、视频通道测试,如果失败,则鸣喇叭。已处理NOP命令;接着测试CMOS停开寄存器。 第一个64K RAM的奇偶性失灵 0E 测试CMOS停机字节。 CMOS停开寄存器读写测试;将计算CMOS检查总和。初始化输入输出端口地址。 0F 测试扩展的CMOS。已计算CMOS检查总和写入诊断字节;CMOS开始初始准备。 . 10 测试DMA通道0。 CMOS已作初始准备,CMOS状态寄存器即将为日期和时间作初始准备。第一个64K RAM第0位故障。,11 测试DMA通道1。 CMOS状态寄存器已作初始准备,即将停用DMA和中断控制器。 第一个64DK RAM第1位故障。 12 测试DMA页面寄存器。停用DMA控制器1以及中断控制器1和2;即将视频显示器并使端口B作初始准备。第一个64DK RAM第2位故障。 13 测试8741键盘控制器接口。视频显示器已停用,端口B已作初始准备;即将开始电路片初始化存储器自动检测。第一个64DK RAM第3位故障。 14 测试存储器更新触发电路。电路片初始化存储器处自动检测结束;8254计时器测试即将开始。第一个64DK RAM第4位故障。 15 测试开头64K的系统存储器。第2通道计时器测试了一半;8254第2通道计时器即将完成测试。 第一个64DK RAM第5位故障。 16 建立8259所用的中断矢量表。第2通道计时器测试结束;8254第1通道计时器即将完成测试。 第一个64DK RAM第6位故障。,17 调准视频输入输出工作,若装有视频BIOS则启用。第1通道计时器测试结束;8254第0通道计时器即将完成测试。 第一个64DK RAM第7位故障。 18 测试视频存储器,如果安装选用的视频BIOS通过,由可绕过。第0通道计时器测试结束;即将开始更新存储器。 第一个64DK RAM第8位故障。 19 测试第1通道的中断控制器(8259)屏蔽位。已开始更新存储器,接着将完成存储器的更新。 第一个64DK RAM第9位故障。 1A 测试第2通道的中断控制器(8259)屏蔽位。正在触发存储器更新线路,即将检查15微秒通断时间。 第一个64DK RAM第10位故障。 1B 测试CMOS电池电平。完成存储器更新时间30微秒测试;即将开始基本的64K存储器测试。第一个64DK RAM第11位故障。 1C 测试CMOS检查总和。第一个64DK RAM第12位故障。 1D 调定CMOS配置。 . 第一个64DK RAM第13位故障。,1E 测定系统存储器的大小,并且把它和CMOS值比较。 . 第一个64DK RAM第14位故障。 1F 测试64K存储器至最高640K。 . 第一个64DK RAM第15位故障。 20 测量固定的8259中断位。 开始基本的64K存储器测试;即将测试地址线。从属DMA寄存器测试正在进行或失灵。 21 维持不可屏蔽中断(NMI)位(奇偶性或输入输出通道的检查)。通过地址线测试;即将触发奇偶性。主DMA寄存器测试正在进行或失灵。 22 测试8259的中断功能。 结束触发奇偶性;将开始串行数据读写测试。主中断屏蔽寄存器测试正在进行或失灵。,23 测试保护方式8086虚拟方式和8086页面方式。基本的64K串行数据读写测试正常;即将开始中断矢量初始化之前的任何调节。从属中断屏蔽存器测试正在进行或失灵。 24 测定1MB以上的扩展存储器。矢量初始化之前的任何调节完成,即将开始中断矢量的初始准备。设置ES段地址寄存器注册表到内存高端。,25 测试除头一个64K之后的所有存储器。完成中断矢量初始准备;将为旋转式断续开始读出8042的输入输出端口。装入中断矢量正在进行或失灵。 26 测试保护方式的例外情况。读出8042的输入输出端口;即将为旋转式断续开始使全局数据作初始准备。开启A20地址线;使之参入寻址。 27 确定超高速缓冲存储器的控制或屏蔽RAM。全1数据初始准备结束;接着将进行中断矢量之后的任何初始准备。键盘控制器测试正在进行或失灵。 28 确定超高速缓冲存储器的控制或者特别的8042键盘控制器。完成中断矢量之后的初始准备;即将调定单色方式。 CMOS电源故障检查总和计算正在进行。 29 . 已调定单色方式,即将调定彩色方式。 CMOS配置有效性的检查正在进行。 2A 使键盘控制器作初始准备。已调定彩色方式,即将进行ROM测试前的触发奇偶性。置空64K基本内存。,2B 使磁碟驱动器和控制器作初始准备。触发奇偶性结束;即将控制任选的视频ROM检查前所需的任何调节。屏幕存储器测试正在进行或失灵。 2C 检查串行端口,并使之作初始准备。完成视频ROM控制之前的处理;即将查看任选的视频ROM并加以控制。屏幕初始准备正在进行或失灵。 2D 检测并行端口,并使之作初始准备。已完成任选的视频ROM控制,即将进行视频ROM回复控制之后任何其他处理的控制。屏幕回扫测试正在进行或失灵。 2E 使硬磁盘驱动器和控制器作初始准备。从视频ROM控制之后的处理复原;如果没有发现EGAVGA就要进行显示器存储器读写测试。检测视频ROM

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