模拟电子技术基础课件01-3讲义(晶体管).ppt

总结,三、晶体管的共射特性曲线,特性曲线：晶体管的各电极电压与电流之间的关系曲线。,（1）输入特性曲线：,输入特性曲线,由于发射结是正向偏置的PN结，所以它的曲线与PN结的曲线相似。 uCE增加时集电结反偏，发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同uBE，流向基极的电流比原来时减小。所以曲线往右移动。,（2）输出特性曲线：,输出特性曲线,发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置，此时,截止区,放大区,发射结电压大于开启电压，即发射结正向偏置，且集电结反向偏置，此时,饱和区,发射结正向偏置，且集电结也正向偏置，此时,当CE增加时，集电结上加的反向偏置电压也随之增加，当CE增加到一定电压（V(BR)CEO）时，集电结被击穿， iC突然猛增。,击穿区,两个结都正偏，即 VbVe、VbVc(NPN) VbVe、VbVc(PNP),发射结正偏，集电结反偏，即 VcVbVe(NPN) VcVbVe(PNP),发射结反偏，即 VbVe(PNP),总结,饱和区,截止区,放大区,例题1,测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA=6.7V，VB=6V，VC=9V。问：硅还是锗？管子是NPN还是PNP？A、B、C分别对应哪个极？,管子工作在放大区,分析,A对应基极、B对应发射极,VC最大,发射极和基极的电压降的绝对值或是0.7V（硅）或是0.2V（锗）,硅管；A和B对应基极和发射极,VA-VB=0.7V,C肯定是集电极,NPN在放大区时VcVbVe PNP在放大区时VcVbVe,NPN,例题2,测得NPN型、硅BJT的三个电极b、e、c的对地电压分别为 (1)Vb=6.7V，Ve=6V，VC=9V (2) Vb=8V，Ve=7.3V，VC=7.6V (3) Vb=1V，Ve=2V，VC=9V 问：管子工作在输出特性曲线的什么区？,分析,(1)发射结正偏、集电结反偏； 工作在放大区。,(2)发射结正偏、集电结正偏； 工作在饱和区。,(3)发射结反偏；工作在截止区。,例题3,测得PNP型、锗BJT的三个电极b、e、c的对地电压分别为 (1)Vb=-6.2V，Ve=-6V，VC=-9V (2) Vb=1V，Ve=1.2V，VC=1.5V (3) Vb=8V，Ve=7.8V，VC=7V 问：管子工作在输出特性曲线的什么区？,分析,(1)发射结正偏、集电结反偏； 工作在放大区。,(2)发射结正偏、集电结正偏； 工作在饱和区。,(3)发射结反偏；工作在截止区。, 共射极电流放大系数,和 在晶体管的很大的一个工作范围之内近似相等。的值一般选择在几十至一百多；太大，管子性能不稳定；太小，管子放大能力差。, 极间反向电流, 集电极基极反向饱和电流ICBO 集电极发射极反向饱和电流ICEO,四、晶体管的主要参数,发射极开路，c、b间加上一定的反向电压时的反向电流。在一定温度下，这个反向电流基本上是个常数，所以成为反向饱和电流，这个电流很小，它随温度的变化而变化。,基极开路，c、e间加上一定的反向电压时的集电极电流。该电流从集电区穿过基区流至发射区，所以又称穿透电流。 ICEO=（1+）ICBO, 特征频率fT,由于晶体管PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是频率的函数。信号频率增加到一定程度时，值下降。, 极限参数, 最大集电极电流,在IC的一个很大的变化之内值基本不变，但当IC超过某一个值ICM时明显下降。该电流称为最大集电极电流。,集电结上允许损耗的功率最大值PCM。超过该值，管子发热，性能下降，甚至烧毁。温度越高， PCM值越小，所以晶体管的使用受到环境温度的限制。硅管的上限温度达150、锗管的达70。为了降低温度，常采用加散热装置的方法。, 最大集电极耗散功率,V（BR）EBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。, 反向击穿电压,V（BR）CBO：发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。,V（BR）CEO：基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。,五、温度对晶体管的影响,ICBO：随温度的升高而增加。对硅管，该变化很小，所以对静态工作点的影响没有上两个因素重要。但对大功率硅管不能忽略。对锗管该变化也很重要。,20,40,20,40,：随温度的升高而增加，原因：温度升高，加快载流子的速度，基区复合减少，往集电区流的载流子增多。,VBE：随温度的升高而减少。,六、光电三极管,光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。所