清华大学辐射安全与防护培训辐射探测器

对于辐射是不能感知的，因此人们必须借助于辐射探测器探测各种辐射，给出辐射的类型、强度(数量)、能量及时间等特性。即对辐射进行测量。

辐射探测器的定义：利用辐射在气体、液体或固体中引起的电离、激发效应或其它物理、化学变化进行辐射探测的器件称为辐射探测器。为什么需要辐射探测器？

当前1页，总共42页。射线与物质相互作用的分类ChargedParticulateRadiationsUnchargedRadiationsHeavychargedparticlesNeutronsFastelectronsX-raysandrays当前2页，总共42页。辐射探测的基本过程：

辐射粒子射入探测器的灵敏体积；入射粒子通过电离、激发等效应而在探测器中沉积能量；

探测器通过各种机制将沉积能量转换成某种形式的输出信号。对非带电粒子通过次级效应产生次电子或重带电粒子,实现能量的沉积。常用的辐射探测器按探测介质类型及作用机制主要分为：气体探测器；

闪烁探测器；

半导体探测器。当前3页，总共42页。

气体探测器是以气体为工作介质，由入射粒子在其中产生的电离效应引起输出电信号的探测器。由于产生信号的工作机制不同，气体电离探测器主要有电离室、正比计数器、G-M计数器等类型。它们均有各自的特点以及相应的适用领域。核辐射引起气体的电离：入射带电粒子通过气体介质时，使气体分子、原子电离和激发，并在通过的路径周围生成大量离子对。

一.气体探测器当前4页，总共42页。各种气体探测器当前5页，总共42页。

电离能W：带电粒子在气体中产生一电子离子对所需的平均能量。

对不同的气体，W大约为30eV。

若入射粒子的能量为E0，当其能量全部损失在气体介质中时，产生的平均离子对数为：当前6页，总共42页。

离子和电子在外加电场中的漂移

离子和电子除了与作热运动的气体分子碰撞而杂乱运动和因空间分布不均匀造成的扩散运动外，还有由于外加电场的作用沿电场方向定向漂移。

这种运动称为“漂移运动”，定向运动的速度为“漂移速度”。它是形成输出信号的基本过程。当前7页，总共42页。

工作气体：

气体探测器的工作介质为气体，工作气体充满电离室内部空间；

工作气体有确定的组成，一般为氩气(Ar

)

加少量多原子分子气体CH4。

气体压力：从10-1~10大气压。

需要保证气体的成分和压力，所以一般电离室均需要一个密封外壳将电极系统包起来。当前8页，总共42页。气体探测器的圆柱型电离室结构高压极负载电阻灵敏体积输出信号：分别为极板电容、分布电容和放大器输入电容。当前9页，总共42页。气体电离探测器主要有电离室、正比计数器、G-M计数器等类型。当在两电极上所加电压不同时，就造成气体探测器的不同工作状态。

随着工作电压的升高，在中央阳极附近很小的区域内，电场强度足够强，以至电子在外电场的加速作用下，能发生新的碰撞电离，我们称之为气体放大或雪崩过程。当前10页，总共42页。I:复合区II:饱和区III:正比区IV:有限正比区V:G-M工作区VI:连续放电区当前11页，总共42页。工作区域输出信号用途电离室饱和区计数及测量入射粒子能量正比计数器正比区计数及测量入射粒子能量G-M计数管G-M工作区形成正离子鞘，与入射粒子能量无关。仅用作计数当前12页，总共42页。二.闪烁探测器

利用辐射在某些物质中产生的闪光，产生荧光光子来探测电离辐射的探测器。闪烁体光电倍增管(打拿极)反射层管座分压器高压多道或单道光阴极阳极荧光光子光电子暗盒窗前置放大器当前13页，总共42页。闪烁探测器的工作过程：(1)辐射射入闪烁体使闪烁体原子电离或激发，受激原子退激而发出波长在可见光波段的荧光。(2)荧光光子被收集到光电倍增管(PMT)的光阴极，通过光电效应打出光电子。(3)电子运动并倍增，并在阳极输出回路输出信号。闪烁探测器可用来测量入射粒子的能量。

当前14页，总共42页。(一).闪烁体1、闪烁体的分类1)无机闪烁体：玻璃体纯晶体无机晶体(掺杂)(锂玻璃)2)有机闪烁体：有机晶体——蒽晶体等；有机液体闪烁体及塑料闪烁体.3)

气体闪烁体：Ar、Xe等。当前15页，总共42页。2.闪烁体的物理特性1)发射光谱特点：发射光谱为连续谱。各种闪烁体都存在一个最强波长；要注意发射光谱与光电倍增管光阴极的光谱响应是否匹配。当前16页，总共42页。以NaI(Tl)为例：对β粒子；对α粒子2)发光效率与光能产额指闪烁体将所吸收的射线能量转化为光的比例。发光效率：Eph闪烁体发射光子的总能量；E入射粒子损耗在闪烁体中的能量。当前17页，总共42页。以NaI(Tl)为例对1MeV的β粒子，发射光子平均能量光能产额：nph为产生的闪烁光子总数。发光效率与光能产额的关系：当前18页，总共42页。3)发光衰减时间受激过程大约退激过程及闪烁体发光过程按指数规律对于大多数无机晶体，t时刻单位时间发射光子数：τ为发光衰减时间，即发光强度降为1/e所需时间。当前19页，总共42页。当前20页，总共42页。

（二）.光电倍增管1.PMT的结构——光电倍增管为电真空器件。1)PMT的主要部件和工作原理

真空壳打拿极阳极光电子轨迹入射光聚焦电极半透明光阴极当前21页，总共42页。2)PMT的类型

(1)外观的不同(2)根据光阴极形式当前22页，总共42页。聚焦型非聚焦型(3)根据电子倍增系统具有较快的响应时间，用于时间测量或需要响应时间快的场合。电子倍增系数较大，多用于能谱测量系统。直线结构环状结构百叶窗结构盒栅型结构当前23页，总共42页。

2.PMT主要性能1)光阴极的光谱响应光阴极受到光照后，发射光电子的概率是入射光波长的函数，称作“光谱响应”。当前24页，总共42页。PMT增益打拿极间电子传输效率阳极灵敏度阳极电流2)光照灵敏度阴极灵敏度光阴极的光电子流光通量FiSkk=当前25页，总共42页。(1)光阴极的热电子发射。3)

PMT暗电流与噪声

当工作状态下的光电倍增管完全与光辐射隔绝时，其阳极仍能输出电流(暗电流)及脉冲信号(噪声)。(2)残余气体的电离----离子反馈；

残余气体的激发----光子反馈。(3)工艺----尖端放电及漏电成因：当前26页，总共42页。4)

PMT的时间特性飞行时间(渡越时间)一个光电子从光阴极到达阳极的平均时间。渡越时间离散

到达阳极的每个电子都经历了不同的倍增过程和飞行距离，反映了飞行时间的涨落，是决定闪烁计数器分辨时间的限制因素。：te的分布函数的半宽度当前27页，总共42页。5)

PMT的稳定性稳定性是指在恒定辐射源照射下，光电倍增管的阳极电流随时间的变化。包含两部分：短期稳定性，指建立稳定工作状态所需的时间。一般在开机后预热半小时才开始正式工作。长期稳定性：在工作达到稳定后，略有下降的慢变化，与管子的材料、工艺有关，同时与周围的环境温度有关。长期工作条件下，须采用“稳峰”措施。当前28页，总共42页。（三）闪烁探测器的应用主要用于构成谱仪光电倍增管闪烁体射极输出器线性脉冲放大器单道脉冲幅度分析器多道脉冲幅度分析器打印机自动定标器线性率表高压电源示波器源图3-1 Nal(T1)闪烁谱仪装置示意图当前29页，总共42页。

半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。

我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被PMT第一打拿极收集的电子及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。三.半导体探测器当前30页，总共42页。半导体探测器的特点：(1)能量分辨率最佳；(2)射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。常用半导体探测器有：(1)P-N结型半导体探测器；(2)锂漂移型半导体探测器；(3)高纯锗半导体探测器；当前31页，总共42页。

(一)半导体作为探测介质的物理性能1.平均电离能（w）SiGe300ºK3.62eV77ºK3.76eV2.96eV

入射粒子在半导体介质中平均产生一对电子空穴需要的能量。

半导体中的平均电离能与入射粒子能量无关。在半导体中消耗能量为E时，产生的载流子数目N为：当前32页，总共42页。2.载流子的漂移

由于电子迁移率n

和空穴迁移率p

相近，与气体探测器不同，不存在电子型或空穴型半导体探测器。对N型半导体，电子的漂移速度为对P型半导体，空穴的漂移速度为

电场较高时，漂移速度随电场的增加较慢，最后达到载流子的饱和速度～107cm/s。当前33页，总共42页。3.电阻率与载流子寿命半导体电阻率：本征电阻率：掺杂将大大降低半导体的电阻率，对硅来说掺杂对电阻率的影响比锗显著得多。当半导体材料被冷却到液氮温度时将大大提高电阻率。

载流子寿命--载流子在俘获以前，可在晶体中自由运动的时间。只有当漂移长度大于灵敏体积的长度才能保证载流子的有效收集。对高纯度的Si和Ge～10-3s，决定了Si和Ge为最实用的半导体材料。

高的电阻率和长的载流子寿命是组成半导体探测器的关键。当前34页，总共42页。

(二)P-N结半导体探测器1、P-N结半导体探测器的工作原理

P-N结区(势垒区)的形成：多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，达，远高于本征电阻率。n-typep-type---------------------------------+++++++++++++++当前35页，总共42页。2、P-N结半导体探测器的类型1)扩散结(DiffusedJunction)型探测器采用扩散工艺——高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。2)金硅面垒(SurfaceBarrier)探测器一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100g/cm2

氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。

当前36页，总共42页。3.应用

重带电粒子能谱测量--谱仪当前37页，总共42页。1.P-N结的构成

采用高纯度的P型Ge单晶，杂质浓度为。因为杂质浓度极低，相应的电阻率很高。空间电荷密度很小，P区的耗尽层厚度大。一般半导体材料杂质浓度为~1015原子/cm3。电荷分布（三）高纯锗半导体探测器