城市SUV汽车循环球式转向系统设计(全套含CAD图纸)
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N , 18, I, 995 of . W. S. . . CM be by of or X Y to or as a of to on of of a of is in an on of de ac on a of CM I. CM in to of to is to of be by CMs or or X Y a is a of s, no if it is a or a 1994; 3, 1994. is by 3at 4, 1994. 2701 407917. x Y Y 9 (b) 1. of 300 of is to of to of 11. is a as as in It of to a of is 1. a in CMs or of as a as a l(a), on at a to ( 10705$995 00 N 2. “, 18, 1, ,is l(a) to of or of on l(b). a of In of is no if be be at an of be as 2. in of a “( up to of at or An be of a or nP as a of . . 5P . 3P . . 2P or at A is to a “( in 0 pm a 00 pm 0 pm be (or 20 pm 3.) in be 20 pm 3. 995 4. (a) (b) at 0 pm 160 pm 4(a). In be or 4(b) a 0 or to at to of on be 0 pm et F 01 5. on 5 pm 25 pm 0 pm on CM to by an ac of is in a to is if is by is to A up of on of a of be in 5(a). be to a 5(b). be to a on of a 5(c). of be is or CM a to of A. 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P 8510 P 4291A A 5 be 510. 9 of of VX 00 of in 3.2 1.6 00 00 is to 291A, 00 as 10. of .1 pF is 0 VX in in to in in 00 00 is be by or by of to is as of 0 A of pro 1 互连网络电力系统( 扑结构的电气特性 L. W. S. . . 、 扑结构实现 扑结构用传统的 艺很容易实现,细线条光刻和批处理文件通过制造是固有的正常生产。 现相当实用,如果通孔制造是通过其他常规的机械钻孔,并且通孔尺寸足够小,不足以影响行间距。 一个两层的过程,尽管开辟了可能性,制造导体的任一侧上的一块聚合物影像,可以处理卷到卷格式 (图 5( a),得到的结果基片可以进行填充和测试,然后申请封装以形成刚性结构(图 5( b),廉价的丝网印刷的材料和方法可用于该模块的底部上可以形成一个球栅阵列( 提供了一个方便的系统接口(图 5( c)。这种模块可以非常便宜,但仍然产生高性能。 2 图 5像载体 四、 析和实验 由于 扑是从根本上不同于传统的微带线或有固体电源和地平面带状线的 输线环境,进行了一项确定电源和信号环境的特点的详细研究。 正常 率分布是由固体金属的电源和地平面,有时具有介于其间的创建的平行板的去耦电容,提供所有或部分的瞬时电 流需求的薄介电。在大多数情况下,然而,表面安装的陶瓷电容需要为充电水库,以保持这些瞬态的 di/声低于可接受的利润率。传统的贴片电容具有相对较高的寄生电感和低共振频率,但是。特别低电感电容 初设计用于 传导模块,提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了一个低电感分布结构。引线键合从这些芯片的,尽管许多并联,有助于更多的电感和批判影响片上的噪音。 3 图 6 测试车辆功率瞬态测量设置 扑结构取代了坚实的平面网状导线。在双网平面宽 100 点,导线 320 点的间距,降低至 62,纯金属覆盖了 坚实的平面。即使有大量的电源和接地的导体切割,以适应信号线,金属覆盖为 40,可以实现的。增加电阻和电感因此,预测寄生效应。然而,由于贡献这些寄生到 在坚实的平面上的情况下,往往是微不足道的,这种性能下降在几乎所有的情况下都是可控的。附件的正常及低以传统的方式的电感的去耦电容在很宽的的频率范围内提供了必要的去耦电容。 要检查有效性 电,两个测试车辆设计和建造一个与固体 在每四个 n 沟道功率 安排连接模块上的阻性负载电源和地之间,从而诱导到大的 di/电结构。如该图所示。有 几个网站所提供的正常的陶瓷,以及低电感片状电容器。为清楚起见,该测试车的其他功能,用于信号传输的测量,还没有被证明,对电容器和负载的各种组合,以及电流上升时间,进行了测试。测量结果将在后面介绍。 图 7 中所示的的 号传输环境。每根信号线之间交流接地导体相同的金属平面上,通过正交功率,接地和信号导体上的其它金属平面。由于交流接地导体,在所述第二平面还到信号线正交,返回电流流仅在共面导体 ;正交导体适度降低线路阻抗,通过电容加载。这初步证明了建设大型物理模型( 寸大小的 160 倍)做 量,并已被证实 试车辆上的测量如下所述。 图 7号的传输环境 4 示于图的则该测试车辆,在一个发达的 设计及金属制品业的,具有四种掩模过程中使用铝中导体和光可聚酰亚胺介电 5 硅衬底。 硅片上用 积,或杜邦 2721 聚酰亚胺层制造工艺。并通过光刻法和湿法刻蚀定义。接着,将聚酰亚胺的层上旋转,曝光,和发展。金属重复沉积和图案化,以形成第二金属层和一个最终的聚酰亚胺的步骤形成了保护大衣,对几个中间层和基础层厚度介质进行了比较。 33 x 26 毫米基板填充去 耦电容和端接电阻器和使用的,无包装的,传输线和配电阻抗测量接收功率 片,去耦电容器,和负载电阻器,并且被安装在一个 256 引领 和 量 配电噪声。用于固体平面版本同样配置的功率分布测量。两个基板的制作中,使用相同的四个掩模,与板占据六个八个可能的, 5 晶圆网站,和固体的平面基片的其余两个网络。 有几种不同的信号传输测试结构被列入在 验车辆。所有有微波探头垫 150 点间距在任一端,并提供终止该行使用 50 R 0603 尺寸( 导 电基体结合的片式电阻器环氧树脂。对于所有的传输线测量,去 5 图 8 试车辆 耦电容,足以容纳配电阻抗下面 从 1 1 安装。(请参阅以下部分配电阻抗)第二水平金属线无论是 米或 米长配置为信号电源和地线之间( 信号分割内电力导体( 信号内部分裂的接地导体( 这里还设有一个串扰测量线设置,下午 80 点间距,从动线躺在电源和地之间,与受害人线内相邻的分割接地导体。第一级线(躺在聚酰亚胺介电) 米长,配置 进行了测量,看是否线阻抗不同于第二金属。 扑的一个方面,提出了特别的关注。这是对阻抗的影响,特别是在传播速度,改变从,例如,一个 X 去 的 的。有一个不连续返回电流路径变化的点,其中有一些效果根据 P 和 G 频率脱钩的兴趣。这还没有出现的一个问题在许多 信号层,其中经常引用电源或接地平面没有效果。如果要判断 存在问题,五段创建路径, 米 米 米, 米 米的 分串联。 层间和大衣聚酰亚胺基板厚度为 ,下午 2 点和初始 质厚度, 6 建立和计量。实验采用泰克 10 互连参数分析仪。该结果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 54 75 这些测量结果表明之间的重大差异 传输线,所造成的薄介电 下,将得到的字段存在于部分导电的硅衬底。的阻抗 是高于预期,因为面具错误导致线的宽度,而不是所期望的。 传播延迟确定的值肯定是类似于其他 板 ;货币供应量 数字均高于由于在基板的接近。没有问题,所造成的被引用到电源或接地的信号延迟,五段线是从其他 没有什么不同。 掩模组进行了修改和重复实验以 8 分厚的聚酰亚胺的初始介电层,并 间 的聚酰亚胺。下面结果,得到: 2 70 2 70 7 2 70 2 66 2 66 2 66 52 68 即使有一个 8 点层的聚酰亚胺中,所述半导体硅仍然具有效果。由于我们目前使用的测试作为基板的晶片,晶片的电阻率是未知的。进一步制作将使用测得的电阻率硅片确定的电阻率要消除的区别 传输线。详细的模拟线上述半导体基板也正在进行中。当然,不同的实现的拓扑结构中,对一个不会有低介电常数的绝缘基板的这个问题。 串扰测量 米耦合长度。受害者线两端终止。测量是在 “近期行动计划 ”310 注入 20上升时间 冲,从动线和测量的受害者线。串扰峰值小于这一套耦合线长 这一结果表明,串扰以合理的 时钟不应该是一个问题频率和线的长度。 同时使用功率分布测量阻抗 510 网络分析仪和 291A 阻抗米。可以测量 45 1 一系列 8510 。图 9 示出了测量的阻抗为几种 8 图 9 使用 510 网络分析仪测出的配电阻抗频率 特性 图 10 使用 抗测量仪 测出的 功率分布 阻抗频率特性 底物的各种组合去耦电容。即使是低电感 效果电容只出现高于这个频率低于 300 固有电容,无论是固体( 版本中,占主导地位的 测量阻抗。阻抗的上升,从 600 到 900 于电感的 9 影响。 4291A,测量从 1 至 500 图所示。共振 0.1 片电容是清楚地看到大约 20些测量是在不 容放置,以便确认的 测阻抗的上升,与正常上限之间 200 和 300 兆赫。 结果表明,有什么区别 电结构和一个使用固体。任何平面效果的附件或将被屏蔽引线键合阻抗的数量和类型使用的电容器。该程序用来连接芯片电容器是极其重要的,因为在衬底的铝系迅速形成原生的三氧化二铝,甚至这大约 80 A 的氧化物能产生可测量功率电 阻路径。这可能占到无法实现极其低阻抗。 图中所示的测试车。 6 始建于两个 固体平面设计。两个 0.1 个 135 容去耦。六并联 50R 电阻被用作负载( 每四个功率 电阻)。在基片 110 地面组装成 256 铅 80 电源连接,以保证固体配电到基板上。这些软件包被焊接到习俗,脱钩的测试板。生成的程序集直流电压的下降,大电流流经负载电阻,在基板上平面的交流噪声大的 di/起的脉冲驱动 发电机。 因为装配问题,只有三四个 载 部分可以被激活,而一些负载电阻不起作用,所以这些测试车辆的有效电阻 而,这是足够低的,充足的电流可以得出,即使采用 10 V 最大口授去耦电容。测量直流滴 底电流和电压降封装的引线键合架的中心之间的基板,其中测试点提供。的总电压下降分别为 12 固体飞机和 21 以固态和每架飞机的 3 效地抵抗 R。基于金属的量在这两个几何形状,这是预料之中的。 声进行了测量,总基板 di/前缘处的导通脉冲。固体平面和 本具有峰 电压为 是取决于在飞机上测量了。这样的结果,如配电阻抗的测量,是一个反射的电容和附件的方法超过它是平面配电任何固有的局限性的结构。 五 用范围 扑结构可以提供,容易制造 设计规则,变量信号线密度高达 250cm/中两个金属层( 80 时),这是与其他 现。这些被控制可以根据阻抗的阻抗线 50围内适当的几何形状。由于对其间 10 交流接地导体,它们具有极低的串扰。如果需要更大的密度,选择性删除配电连接,或者,一个四层的 构可以产生。这将是 一个更有效地利用金属比传统的四层堆栈。 由这些线表现出的损失的函数,自己材料和横截面。厚铜镀线将远远比铝薄线损耗少,内几个 应商的工艺能力。 功率分布特征比较与传统的固体平面,无论是在阻抗和噪音测量。直流电阻滴如与更大比固体平面,但只会是一个模块的问题非常高的功率密度,并可以减少到较厚的电镀金属的无关紧要的水平。如果有 扑结构的限制,他们的上述检查的频率和功率密度测试,大概以上的时钟频率,线密度和模块的权力感兴趣的近期高点批量应用。尽管需要额外的工作细化这里提出的测量,它似乎没有采用 这种有效的降低成本的大多数用的方法。 致谢 再此对设计和制造专业的 P. Y. 及 以诚挚谢意。 伦纳德 沙佩尔( S65 M92)获得 1967 在纽瓦克工程学院就读, 1968 年于麻省理工电气工程技术研究所,博士学位于 1973年在新泽西技术研究所获得。他在加入美国麻省理工学院之前,自 1978 年以来任教于 T 贝尔实验室。自 1980 年以来他一直活跃在电子封装。他于1990 年加入美铝电子封装,指导他们的活动 在薄膜的 1992 年,他在阿肯色大学的中心被任命为高密度电子 气工程教授主任,在那里他领导的研究活动是超过 30 个研究生参与的先进的多芯片模块技术。他是 公司的薄膜硅 术的共同发明者。彼持有四项专利,并撰写了大量的讲座和论文。沙佩尔博士曾担任多年 序委员会,以及 算机包装委员会。他目前是 事的董事会成员。 西蒙 昂在阿肯色大学获得了电子工程学士学位( 分别从佐治亚理工学院和南方卫理公会大学( 得了电子工程硕士学位博士学位。他于 1981 年加入了美国德州半导体组仪器,致力于设计功率集成电路和电压调节器和工艺开发。他在 1983 年被晋升为科长。1988 年他加入阿肯色大学电机系,他目前是那里拥有超过 85 份在在微电子, 11 固态材料,以及开关转换器领域的简报和会议论文期刊或合著文件的作者。他拥有三项美国专利。他出版了一部著作,题为 “电源开关转换器 ” 马塞尔 德克尔,分别于 1991 年和 1993 年在阿肯色大学获得电工程学士学位和硕士学位。 1991 年,他加入 究介电钻石 板的性能。目前,他是阿肯色大学 的一名博士生,研究信号传输和供电工作 扑的分布特性。 丹尼 奥尔德姆于 1992 年在阿肯色大学获得电气工程学士学位的。他一直负责聚酰亚胺 /铝的 工艺开发,以及 板的制造和研究聚酰亚胺薄膜。他目前正在攻读硕士学位。 外文资料译文 1 互连网络电力系统( 扑结构的电气特性 L. W. S. . . 、 扑 结构 实现 扑结构用传统的 艺很容易实现,细线条光刻和批处理文件通过制造是固有的正常生产。 现相当实用,如果通孔制造是通过其他常规的机械钻孔,并且通孔尺寸足够小,不足以影响行间距。 一个两层的过程,尽管开辟了可能性,制造导体的任一侧上的一块聚合物影像,可以处理卷到卷格式 (图 5( a),得到的结果基片可以进行填充和测试,然后申请封装以形成刚性结构(图 5( b),廉价的丝网印刷的材料和方法可用于该模块的底部上可以形成一个球栅阵列( 提供了一个方便的系统接口(图 5( c)。这种模块可以非常便宜,但仍然产生高性能。 图 5 像载体 四、 析和实验 由于 扑是从根本上不同于传统的微带线或有固体电源和地平面外文资料译文 2 带状线的 输线环境,进行了一项确定电源和信号环境的特点的详细研究 。 正常 率分布是由固体金属的电源和地平面 , 有时具有介于其间的创建的平行板的去耦电容,提供所有或部分的瞬时电流需求的薄介电 。在大多数情况下,然而,表面安装的陶瓷电容需要为充电水库,以保持这些瞬态的 di/声 低于可接受的利润率。传统的贴片电容具有相对较高的寄生电感和低共振频率,但是。特别低电感电容 初设计用于 传导模块,提供了更好的去耦。平行板 P/G 本身形成了 一个低电感分布结构。引线键合从这些 芯片的,尽管许多并联,有助于更多的电感和批判影响片上的噪音。 图 6 测试车辆功率瞬态测量设置 扑结构取代了坚实的平面网状导线。在双网平面宽 100 点,导线 320 点的间距,降低至 62,纯金属覆盖了坚实的平面。即使有大量的电源和接地的导体切割,以适应信号线,金属覆盖为 40,可以实现的。增加外文资料译文 3 电阻和电感因此,预 测 寄生效应。然而,由于贡献这些寄生到 在坚实的平面上的情况下,往往是微不足道的,这种性能下降 在几乎所有的情况下 都 是可控的。附件的正常及低以传统的方式的电感的去耦电容 在很宽的的频率范围内提供了必要的去耦电容 。 要检查有效性 电,两个测试车辆设计和建造一个与固体 在每四个 n 沟道功率 安排连接模块上的阻性负载电源和地之间,从而诱导到大的 di/电结构。如该图所示。有几个网站所提供的正常的陶瓷,以及低电感片状电容器。为清楚起见,该测试车的其他功能,用于信号传输的测量,还没有被证明 ,对 电容器和负载 的各种组合 ,以及电流上升时间,进行了 测 试。测量结果 将 在后面介绍。 图 7 中所示的的 号传输环境。每根信号线之间交流接地导体相同的金属平面上,通过正交功率,接地和信号导体上的其它金属平面。由于交流接地导体,在所述第二平面还到信号线正交,返回电流流仅在共面导体 ;正交导体适度降低线路阻抗,通过电容加载。这初步证明了建设 大型物理模型( 寸大小的 160 倍)做 量,并已被证实 试车辆上的测量如下所述。 图 7 号的传输环境 示于图的则该测试车辆 ,在一个发达的 设计及金属制品业的,具有四种掩模过程中使用铝中导体和光可聚酰亚胺介电 5 硅衬底。 硅片上用 积,或 杜邦 2721 聚酰亚胺层 制造工艺。并通过光刻法和外文资料译文 4 湿法刻蚀定义。接着,将聚酰亚胺的层上旋转,曝光,和发展 。 金属重复沉积和图案化,以形成第二金属层和一个最终的聚酰亚胺的步骤形成了保护大衣 ,对 几个中间层和基础层厚度介质进行了比较。 33 x 26 毫米基板填充去耦电容和端接电阻器和使用的,无包装的,传输线和配电阻抗测量接收功率 片,去耦电容器,和负载电阻器,并且被安装在一个 256 引领 和 量 配电噪声。用于固体平面版本同样配置的功率分布测量。两个基板的制作中,使用相同 的四个掩模,与板占据六个八个可能的, 5 晶圆网站,和固体的平面基片的其余两个网 络 。 有几种不同的信号传输测试结构被列入在 验车辆。所有有微波探头垫 150 点间距在任一端,并提供终止该行使用 50 R 0603 尺寸( 导电基体结合的片式电阻器环氧树脂。对于所有的传输线测量,去 图 8 试车辆 耦电容,足以容纳配电阻抗下面 从 1 1 安装。(请参阅以外文资料译文 5 下部分配电阻抗)第二水平金属线无论是 米或 米长配置为信号电源和地线之间( 信号分割内电力导体( 信号内部分裂的接地导体( 这里还设有一个串扰测量线设置,下午 80 点间距,从动线躺在电源和地之间,与受害人线内相邻的分割接地导体。第一级线(躺在聚酰亚胺介电) 米长,配置 进行了测量,看是否线阻抗不同于第二金属。 扑的一个方面,提出了特别的关注。这是对阻抗的影响,特别是在传播速度,改变从,例如,一个 X 去 的 的。有一个不连续返回电流路径变化的点,其中有一些效果根据 P 和 G 频率脱钩的兴趣。这还没有出现的一个问题在许多 信号层,其中经常引用电源或接地平面没有效果。如果要判断 存在问题,五段创建路径, 米 米 米, 米 米的 分串联。 层间和大衣聚酰亚胺基板厚度为 午 2 点和初始 质厚度,建立和计量。实验采用泰克 10 互连参数分析仪。该结果如下表所示。 4 90 4 90 4 75 4 75 4 75 54 75 这些测量结果表明之间的重大差异 传输线,所造成的薄介电 下,将得到的字段存在于部分导电的硅衬底。的阻抗 是高于预期,因为面具错误导致线的宽度,而不是所期望的。 传播延迟确定的值肯定是类似于其他 板 ;货币供应量 数字均高于由于在基外文资料译文 6 板的接近。没有问题,所造成的被引用到电源或接地的信号延迟 , 五段线是从其他 没有什么不同。 掩模组进行了修改和重复实验以 8 分厚的聚酰亚胺的初始介电层,并 间 的聚酰亚胺。下面结果,得到: 2 70 2 70 2 70 2 66 2 66 2 66 52 68 即使有一个 8 点层的聚酰亚胺中,所述半导体硅仍然具有效果。由于我们目前使用的测试作为基板的晶片,晶片的电阻率是未知的。进一步制作将使用测得的电阻率硅片确定的电阻率要消除的区别 传输线。详细的模拟线上述半导体基板也正在进行中。当然,不同的实现的拓扑结构中,对一个不会有低介电常数的绝缘基板的这个问题。 串扰测量 米耦合长度。受害者线两端终止。测量是在 “近期行动计划 ”310 注入 20上升时间 冲,从动线和测量的受害者线。串扰峰值小于这一套耦合线长 这一结果表明,串扰以合理的时钟不应该是一个问题频率和线的长度。 同时使用功率分布测量阻抗 510 网络分析仪和 291A 阻抗米。可以测量 45 1 一系列 8510 。 图 9 示出了测量的阻抗为几种 外文资料译文 7 图 9 使用 510 网络分析仪测出的配电阻抗频率 特性 图 10 使用 291A 阻抗测量仪 测出的 功率分布 阻抗频率特性 底物的各种组合去耦电容。即使是低电感 效果电容只出现高于这个频率低于 300 固有电容,无论是固体( 版本中,占主导地位的测量阻抗。阻抗的上升,从 600 到 900 于电感的外文资料译文 8 影响。 4291A,测量从 1 至 500 图所示。共振 0.1 片电容是清楚地看到大约 20些测量是在不 容放置,以便确认的 测阻抗的上升,与正常上限之间 200 和 300 兆赫。 结果表明,有什么区别 电结构和一个使用固体。任何平面效果的附件或将被屏蔽引线键合阻抗的数量和类型使用的电容器。该程序用来连接芯片电容器是极其重要的,因为在衬底的铝系迅速形成原生的三氧化二铝,甚至这大约 80 A 的氧化物能产生可测量功率电阻路径。这可能占到无法实现极其低阻抗。 图中所示的测试车。 6 始建于两个 固体平面设计。两个 0.1 个 135 容 去耦。六并联 50R 电阻被用作负载( 每四个功率 电阻)。在基片 110 地面组装成 256 铅 80 电源连接,以保证固体配电到基板上。这些软件包被焊接到习俗,脱钩的测试板。生成的程序集直流电压的下降,大电流流经负载电阻,在基板上平面的交流噪声大的 di/起的脉冲驱动 发电机。 因为装配问题,只有三四个 载部分可以被激活,而一些负载电阻不起作用,所以这些测试车辆的有效电阻 然而,这是足够低的,充足的电流可以得出,即使采用 10 V 最大口授去耦电容。测量直流滴 底电流和 电压降封装的引线键合架的中心之间的基板,其中测试点提供。的总电压下降分别为 12 固体飞机和 21 以固态和每架飞机的 3 效地抵抗 R。基于金属的量在这两个几何形状,这是预料之中的。 声进行了测量,总基板 di/前缘处的导通脉冲。固体平面和 本具有峰 200是取决于在飞机上测量了。这样的结果,如配电阻抗的测量,是一个反射的电容和附件的方法超过它是平面配电任何固有的局限性的结构。 五 用范围 扑结构可以提供,容易制造 设计规则,变量信号线密度高达 250cm/中两个金属层( 80 时),这是与其他 现。这些被控制可以根据阻抗的阻抗线 50围内适当的几何形状。由于对其间外文资料译文 9 交流接地导体,它们具有极低的串扰。如果需要更大的密度,选择性删除配电连接,或者,一个四层的 构可以产生。这将是一个更有效地利用金属比传统的四层堆栈。 由这些线表现出的损失的函数,自己材料和横截面。厚铜镀线将远远比铝薄线损耗少,内几个 应商的工艺能力。 功率分布特征比较与 传统的固体平面,无论是在阻抗和噪音测量。直流电阻滴如与更大比固体平面,但只会是一个模块的问题非常高的功率密度,并可以减少到较厚的电镀金属的无关紧要的水平。如果有 扑结构的限制,他们的 上述检查的频率和功率密度测试,大概以上的时钟频率,线密度和模块的权力感兴趣的 近期高点批量应用。尽管需要额外的工作细化这里提出的测量,它似乎没有采用这种有效的降低成本的 大多数用的方法。 致谢 再此对 设计和制造专业的 P. Y. 及 以诚挚谢意。 伦纳德 沙佩尔( S65 M92) 获得 1967 在 纽瓦克工程学院 就读 , 1968 年于 麻省理工电气工程技术研究所,博士 学位于 1973年 在新泽西技术研究所 获得 。他 在加入 美国麻省理工学院之前, 自 1978 年以来任教于 T 贝尔实验室。 自 1980 年以来 他一直活跃在电子封装。他 于1990 年 加入美铝电子封装,指导他们的活动在薄膜的 1992 年,他 在阿肯色大学的中心 被任命为 高密度电子 气工程教授主任,在那里他领导的研究活动 是 超过 30 个研究生 参与的 先进的多芯片模块技术。他 是 公司的薄膜硅 术的共同发明者。彼持有四项专利,并撰写了大量的讲座和论文。沙佩尔博士曾担任多年 序委员会,以及 算机包装委员会。他目前是 事的董事会成员。 西蒙 昂 在阿肯色大学 获得了电子工程学士学位( 分别从佐治亚理工学院和南方卫理公会大学( 获得 了 电子工程硕士学位博士学位。他 于 1981 年 加入了美国德州半导体组仪器,致力于设计 功率集成电路 和电压调节器和工艺开发。他 在 1983 年 被晋升为科长。1988 年他加入 阿肯色大 学 电机系,他目前 是那里拥有 超过 85 份在在微电子,外文资料译文 10 固态材料,以及开关转换器领域的简报和会议论文 期刊 或合著文件 的作者。他拥有 三项美国 专利。他 出版了一部著作 ,题为 “电源开关转换器 ” 马塞尔 德克尔, 分别于 1991 年和 1993 年在 阿肯色大学 获得 电工程 学士学位和硕士学位 。 1991 年,他加入 究介电钻石 板的性能。目前,他是阿肯色大学的 一名 博士生, 研究 信号传输和供电工作 扑的分布特性。 丹尼 奥尔德姆 于 1992 年在阿肯色大学 获得 电气工程 学士学位的。他一直负责 聚酰亚胺 /铝的 工艺 开发, 以及 板的制造和研究聚酰亚胺薄膜 。 他目前正在攻读硕士学位。 11199102105104115101109787782898778111491011099997117101116100971091057211811910498100105116114111102105104115981011096510110510498991051161151011169910967109115721041167210510911197 115109991171009711511511411149701161161119997116116111991049810110511611573111999711198117111838469109105117116971161059811699101971169910511611266111116174111116115116991021091049811210511611284108111991021161161161119910510511610111611498116991029711699986511610611211511111699104981159811111617411111610173104979811611611511699961151001101111059910210510411598101109506983666511411466101109671021096772115109651157310911411411997 1001119711999104115841181091121191161121151741199797116109971099798103116116102111841059811699102979810511810510980119115174119979711610899989998991051169910211210411510911911799991151141191049810010511699102116100971021098391112971161119997110997891116101109111116100111115979911617597111116991029710911611211197 9975911041151141121051161141119911911610411510911110097109101111116100111116991121051151129797 1111169899102105104115981011098497 1169777112104119116110979998105971191169173119971151009111610510411697 1001119910599991141169891971051119911611610411298919796115971049911568971121121151059711010011697108115111778084519710178177 10210935 69836665114114731161151141051041011161129797116111111116108110971151111171051151118411510511699102116991159711699989810111111611211911999111105116739811911610011911611610411598101109111110739810110911610510910510099102851021029711699102971119910211610911699991181151161121221181029911611610212210511611211597116111116109116115971051051169911210511610010211211111610111111210069997786841099911710511597102115115491169910011810248116481099711610210510511611411148109外文翻译: 在 高速 端铣切削中切屑 形成的调查 摘 要 端 面 球形 铣刀广泛地用于金属模和铸模工业。然而, 在高速球面端铣中 切屑形成 研究 方面的工作做的非常少 。 在 一个 调查 实验 中, 已经在 这一项 研究中被引导建立 切屑 形成 机理 。 普通 的铸模钢 到 在 高速加工中心不加切削液的情况以 10 30千 转 /分的速度范围 被加工时: 会产生 四个典型的 切屑 和三 种 类型的振动 。 假使采用 削 刃口和 切屑形成过程之间 相互 作用。基于这一项研究的调查结果 ,切屑 形成 机理 已经在 本文 中 提出 。 在切削 运动 中 ,三种类型的振动 阐述 了 切屑 形成和 振动 行为之间的关系。 基于实验的调查结果 一个判断 切屑 稳定 性 的方法 已经被建议。资讯科技也已经透过这一项研究被建立 : 典型 的 在高速球 面端铣 的 切屑 形成方面发生。 关键字 : 球面端铣 ;切屑 形成 机理;振动; 高 速加工; 1. 介绍 在金属 切削 中,现在的 趋势是 自动化 、 高的排除率和 无人操作方向发展 。这需要非常可靠的 加工过程、 表面 精度、 工件精度、刀具寿命 是主要重要。但是维持稳定的 加工 ,更 多的注意对 切屑 形状的控制以使它更容易被 排除 。这是因为 切屑 形成和裂断方面是非常重要的在 加工 中。表面 精度 ,工件精度和 刀具寿命 的问题 是由于 在切屑 形成 过程中 较小 的 改变引起 ,尤其在高速 切削 中 ,有害 的 切屑 形成将会产生有害的效果 。 在 车 ,钻孔和面铣的切屑形成方面已经做了 很多的研究工作。 提出 了一个循环的锯齿状的型面铣的 切屑 ,而且 提出相关的其 它类型的循环和无循环的 切屑 。 释了 切屑 大小 和 切屑 方向 的 必要意义 , 切屑 流量和 角形状 , 并且清楚地表达螺旋形的 切屑 进行 过程 。 切屑 分割和不 稳定 性的研究 有很大的进展 。然而看来 很少有 工厂 对 球面端 铣切屑 形成的性质 做研究,由于切屑几何形状和切屑过程的复杂性 ,即使它在压铸模和铸模的高速铣中被广泛地应用。 切屑形成的过程很少考虑 ,如振 动。 本文将对 高速 端面 球 铣 实验调查和 切屑形成机理做 基本的讨论 。 2. 理论 在 屑 形成 机理 的举世闻名模型 短短之后 , 一些作家建议不是所有的 切削过程都 符合这一个模型 。同时 很快被发现 ,在转很多的切削过中,圆柱形形切屑在 高速 切屑中 形成。 切屑 形成 机理 这已经 重新 更新,同样, 被 底地 评论 。 关于这一个主题已经被 基本的 切屑 机理叫 做 在一个变形 过程中,塑性变形是从最弱的点附近开始 , 从而产生应力集中 。如果应变率 足够高 ,系统 是绝热,而且这些的过热 面积 狭窄 ,这里就有一个 软化 过程 ,同时局部应变增加直到瞬时的剪切发生。过热切削将产生不稳定性切屑形状, 切屑 变 形严重 ,而且 切屑 容易 破碎 ,在旋转的过程中,这些都在不停的进行着 。 所以,必须衡量这些理论是否值得用于调整球面端铣。 在 球面端铣过程中 ,有决定 切屑 形成的很多不稳定因素 。通常下列的因数对于 切屑 形成的分 析被 考虑之 :(一 )金 属 和工作件材料的热塑料特性 ; (二 )切断的状态 ; (三 )剪修剪区 可变性 ;(四 )改变 刀具 上的磨擦力状态(第二次的剪区 );(五 )最初区和第二区的关系 (六 ) 刀具的 结构和切屑过程的交互作用 ,也就是 动态 因 素 。 上述的因 素 的细 节将在 稍后讨论。 然而 在 本文 中 主要 讨论在切削过程中 动 态因素的影响 。 3. 建立实验 实验在高速 加工 中心 于这一项研究的 机械条件是 是 :线性速度 1030 每分 ;轴向 切断深度从 而且补给率是在 米 /齿的范围中。测试材料是 度 且它的化学成分是 : C: W: 铣刀是一个12毫米固体碳化物和 螺旋角 300 的 ,刀具的前倾角0从 00变化到 30,在切 削 刃和 间隙角中 从 11 变化到 13 。在 实验中刀具工件保持垂直 。 削力。力信号以一个 12,000个试样 /s/通风槽的抽样率 被多的通风槽 传声音带子 ) 记录机。一个光学显微镜被采用观察 刀具 。 过程 被一个 波器检测。 所有的切削 在干的情况 下进行 。 切屑 的 且分别的图像被轮流。 切屑 试样在每个切 削 结束的时候被收集 ,其余被一个高压力空气喷嘴吹走避免来自不同的切 削的切屑的混入 。 4. 结果和讨论 在研究中被发现 切屑 可分为 四 种 类型。第一 类 型 :切屑 形成 ;第二类型 : 不稳定的 切屑 ;第三类型 : 具决定性的 切屑 ;第四类型 : 严格的 切屑 。 第一 类 型 是稳定的 加工 的产品。 第二至第四类 切屑 和不同严重的 振动过程 发生。当 刀具 是在它的磨耗标准里面 , 排除 刀具 的磨耗的时候,所有的 切屑 从 加工过程中 获得 。 切屑 形成 图 1 因为它的形状 和几何 形状符合得较 好,所以 切屑 从稳定的切断获得 ,被定义为一个稳定的 切屑 , 稳定 过程如 图 2 。 用球 面 端铣 切 削在 正常产 品 一个被弯曲两次的 切屑 。 从图 1稳定的 切屑的形 状 与一个锥形类似。这被归因于球面的端铣刀的在 切 削片段的几何学。 切屑 形成在一个球形 的帽上发生。因此 对 于积 削容积的相等 , 切屑 几何学 影响较低 ,那个尺寸和每个 切削 的形 状 将会 与 一个适度同种的工作材料是相同 的。在切 削 的 过程中 ,切削 刃 的不同部分是各不相同的 。另外 ,所有 切削 刃的点 ,按 照他们的不同切削角 ,必须 承 受不同的负载。图 2 口在一个旋转装置中移动过 程 ,也就是 刀具 刀具 与工 件成 直角, 刀具 尖端在大小非常小 ,实际上不在 切削中起作用, 因为它的切断速度是零。 这就 是 为什么 切屑 不是一个完全锥形 和 图 2 碎区域是如何形成 。 由于 它被 刀具 尖端分 离开,所以锥形的顶端 看 不见 ,这恶化表面的性质。如此一个较好的 方法 是倾斜 刀具 ,以便 切削刃 边缘与 刀具 一起预订 , 像 议 的 。在 图 2 B,具 尖端 ,所以 区域 具 尖端擦离开的工作件的部分。在稳定的切断中 ,刀具与工作件接触长度就 是被预 计 的刃口长度。在 分割区域如 图 2中被显示 区域 作件接触稳定的面积。 接着 发现一个不稳定的加工过程 ,切削 刃 与工 件接触面积和长度实质上 总是有 差异。以稳定的切断在一个齿接触期间 ,时期有一切屑 产生 。 图 3举例说明 在 稳定 切削过程中,切断刃的运动区域 。这种 切屑 形成被归因于二个因 素 :剪切 过程 ,它是依赖球面端 铣刀的几何学, 也就是 切 削的 区域 几何学 。 球面端铣刀的几何形状,决定了稳定切削区域的几何形状 ,在稳定的切削过程中有相对优势的决定效果。 切削 开始 于 刃口开始 接触 于 工件。 如使 刀具 旋转 ,最初的变形区也适当地移动。切屑从刀具第一个倾斜面流到刀具的第二个倾斜面的过程中, 切屑 也就在形成了。 同时 , 切屑 的中心 向上扩大 。 这一个过程是 连续,直到 切屑 的上面边的运动是 刀具的第二个 倾斜 面 时 。然后 切屑 沉积 在第一个和第二个 倾斜面 之间 ,没有方法移动并且卷 曲 如图 2造形第二个变形区。在稳定的切 削过程中,槽是 切屑 唯一向前移动的 路径。需要注意 刀具 正在旋转 ,这一个 积屑 实际上被造形如一个锥形, 这就使它变成了 两次 锥形。当被产生的 切屑 离开时,剪切被完成,而且当 刀齿离开工 件的时候, 切屑 卷曲也同时停止。 在切屑形成过程中 将 不 会有 切屑 - 工 件 相接触。 当 刀齿离开 工件的时候,一个 切屑 形成 过程 完成。另外的一个 刀 齿将会依次与工作件一起 接触 ,而且 切屑 形成再一次开始。 在 是广为人知的 , 很多的切 削 热进入 切屑 之内被转移。在 切屑 中的温度 , 尤其在 切屑 的较低边中 ,将会非常高。正常地 1高 ,所以热应力将会产生导致 切屑 弄卷到一个较小的 半径。 (如 图 4)切屑 将会像一个热的双金属的弹簧 , 虽然 切屑 较低部分和 刀具 面之间很少磨擦。当 1高许多的时候 ,切屑 将会向曲率的中心卷。通过 切屑 颜色的分析查证 ,切屑 热 比较低的部分颜色总是很比较黑暗 比 上面的 面 ,被氧化的范围以由一个较高的温度所引起。 在 切屑 和 倾斜面 面之间的磨擦是无关重要的。从 图 5)没有涂料 (接合料 (钴 )的机械要素被发现 ,这证明没有刀具材料转移到切屑之中。 占优势的 刀具 磨耗机械装置被发现是第一流侧面磨 损 (图 6)。最大的磨 损 总是以最高的切 削 速度刃口 部分发生。 这也说明了在倾斜面上的磨损上微小的。 在稳定的切屑过程中, 切屑 的产生像 在第一个 和第二个倾斜面面 之间交互作用 的结果。如早先所说的 , 切屑 在高的 切 削速率 度下 正常地被归因于 断热的剪 现象 ,通常在连续加工时 像 旋转 或钻 孔 3被发现。 但 是 它在 球面端铣 是 可疑的。 “ 有一些 重 要事物发生。 应该也有 材料, 将会有 缺陷 ,而且 应变 在 切屑 的表面中发现。从图 1A,没有如此的现象被观察。如此 得出 一般结论 :”是端铣的 切屑 分割 所造成; 切屑 借着 旋转刃口 使其发生 。在 球 面端铣 的 切屑 形成过程 中 ,在特定的切 削条件 之下也存在一个 分 割 现象。理由被发现是 本身 振动而不是断热的切削, 这导致型 2切屑 形成。 型 切屑 形成 图 7 一个 从振动获得的 典型 切屑 。叫做一个不稳定的 切屑 或元素的 切屑 。它通 常 起因于从 刀具 尖端开始的周期破裂。有时它是在工作材料中发生的断热剪的结果。在这一项研究中, 原因 发现是被刺激的 自己 振动 ,叫做型 振动 。 因为一个型 2切屑 是有特色的, 振动 作记号。 (如 图 7在实验中,当那 出现不同寻常的时候 ,这将产生 一个不平顺表面粗度 。 切屑 是一个以几何学相当好 ,符合削减分割如图 8所示。在图 7动 形 状 标志也是符合 切屑 的形 成 。刃口接触面积在图 8中显示 ,通过 它清楚地 看 见到一个 切屑 的形成 切屑 接触面积是非常小的 ,稳定切断与那相较的地方 , 面积被显示阴暗的。 开。每个阴暗的面积代表一个元素的 切屑 。 这种 稳定 切屑 形成 机理 的 差异来自 振动 完全发 生 时候 ,刃口不再移动 , 以 某种 方式在稳定的切 削 ,但是 在 振动中 , 当它正在旋转的时候 , 在一个 刀齿接触的时候 , 时期稳定的切断中 刃口没有 总是与工 件的接 触 ,但是当它离开一个元素的 切屑 时候 ,也就是 完全地 分 离工件。为了要 分离 另外的元素 切屑 ,它将会再一次恢复到工件表面并且重复 过程 。 如 图 9表 示 的实线运动。实线以代表切 削 场所区域 刃口将会跳跃离表面一阵子。 在被 观察一个齿接触的时期 ,复 合 式的 切屑 被生产 ,在稳定的切 削 中,一个 切屑 产生 。 产生 一个 比稳定的 切屑 的时候 ,对于刃口只需要经过一个非常小的角旋转, 切 削过程 短许多。这是一种完全被发生的 振动 ,叫做型一 振动 。 振动 的方向是在 轴向, 以刃口联 接 刀具 为 中心。基于事实, 切屑 是同 一的形 态, 并且按规定尺寸制作,而且 振动 也 均匀 地被生产 , 振动被期望是一常数振幅和时期。广为人知那一个 振动 是一种任意的振动。这里在于振动方向的持续变化。这是对于 分段 切屑 形成的现象处理。 这种 切屑 形成再一次被发现不恰当的对断热的剪 切 。明显的刃口运动引起分割。 型 切屑 形成 当型 2不稳定 切 削的时候,型 3切屑 不完全地分割。叫做决定性的 切屑 ,代表 图 10屑 是有波浪 形, 几乎对称 ,像 一个正弦波。在 切屑 形成的这 一 型中,只有一个 切屑 是在稳定的切断中同样地生产 , 在一个单一切 削过程 中 ,刀 齿接触时期,它是不 像是 完全 , 因为有一些楔。 振动 标志也不同于图 102 切屑 的那些。这种 切屑 形成对于 其 它的也被注意在 切 削 ,从型一 振动 和稳定的切断 分别 。这些特性成为型 3切屑 的形成因素 ,象征型 因此 ,它通常起因于智能迟滞的层高度一个周期变动 ,但是非常少 有 通往交互区剪 切屑 的变形。 随同成形的 切屑 厚度 不同 (切断深度 ),斜角度和 间 隙角的循环变化。 加工过程中 刃口运动在切 削 的程序中 ,这样产生上述的 这些变化。工 件 二类型的不安定性 (材料上升温暖气流不安定性和 部份的 切屑 形成 方面依次不在这一个 切屑 的形成方面扮演重要角色。在 球面端铣过程中 ,由于流动 的高速,相当多的热能发 散 ,而且由于低的热 变形 ,沿着滑动摩擦 (破裂 )表面造成热的软化处理和相当多的表 面质量 。 有趣 的 发现 是 在 切屑 的这二个类型之间 , 振动 在表面 精度 上被留下的标志建议 型 比 型 图 11和 12提供 型 解式的示范。在图 11中,实线为 以刀具运动的场所不交叉 稳定的切 削 ,刀具 总是 接触在 - 削 削 的 区域 。在型 ,刃口 发生了 关于型一的一个相似的模型 振动 ,而且它通常在一个 具 有 决定性的 切断的深度发生 ,超过 这一 振动 将会完全地发生,而且一个型 2切屑 将会被生产。 在这个切 削 的深度, 表示 刃口 强烈趋向,但是 振动 不完全地发生。当 刀具 旋转的时候,刃口也 在 振动。振幅是比那更小 的 一个 振动 。见图 12的实线 , 不以 意谓刀具 不完全地离工件 ,这是 切屑 为什么不完全地分开 的理由 。 切 削形成 在图 13屑 在加一个远的切 削 深度 , 超过 被获得 最大的稳定切 削 深度。它被 定义为一个严格的 切屑 过程 。形 状 像稳定的已经被水平地扩大的 切屑 。 这 意谓没有 切屑 卷曲程序。在这里明显的压缩标志在 切屑 表面上被观察 ,来自刃口 (图 14)的运动 。因为高 切屑 负载和有限制的旋 转轴向 力 ,刃口在低的振动和小的振幅。 切屑被远离工件 ,在非常小剪切的地方 , 此时 切屑
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