毕业论文基于fpga的线阵ccd驱动器设计说明书

本科毕业设计论文题 目 基于FPGA的线阵CCD驱动器设计 专业名称 学生姓名 指导教师 毕业时间 摘 要该篇毕业设计涉及的器件主要有TDICCD8091及FPGA EP1C12Q240，开发平台为Quartes II。介绍一种基于FPGA设计线阵CCD器件和TDICCD8091芯片复杂驱动电路和整个CCD的电子系统控制逻辑时序的方法，并给出时序仿真波形。 CCD，是英文(Charge Coupled Device) 即电荷耦合器件的缩写，它是一种特殊半导体器件，是一种新型的固体成像器件。它既具有光电转换的功能，又具有信号电荷的存储、转移和读出的功能。CCD应用技术是光、机、电和计算机相结合的高新技术。在FPGA开发环境下，系统地介绍了TDICCD的基本工作原理、特性及应用。并以TDI8091芯片的CCD驱动时序的设计介绍了在Quartes II开发环境下，利用VHDL硬件描述语言输入方式来设计数字逻辑电路的过程和方法。总之，CCD应用技术有很好的发展前景。关键字：CCD，TDICCD8091芯片，FPGA，VHDLABSTRACT The article involved in the graduation line array device including CCD， TDICCD8091chips and VHDL design. Introduction of a design based on FPGA devices andTDICCD8091 linear CCD and theCCD driving circuit complexity of electronic timing system controllogic，and gives the timing simulation wavetormCCD (Charge Coupled Device) is a kind of special semiconductor device, which is a new kind of solid like device. After having light electricity conversion, the signal electric charge saved and transfer again with the function that had done. Applied technique in CCD is high and new technique that contain light, machine, give or get an electric shock to combine together with the computer.Environment in the FPGA，the system introduces the basic working principle TDICCD，characteristics and appliaction AND to TDI8091 chip CCD driving circuit design introduced in Quartes development software ，the use of VHDL hardware description language input to the process of designing digial logic circuits and methods In conclusion ，CCD technoligy has a very good application prospectsKEY WORDS: ccd，tdiccd8091chip，fpga，vhdl第一章 前言1.1TDI-CCD简介TDICCD是一种具有面阵结构线阵输出的新型CCD，较普通的线阵CCD而言它具有多重级数延时积分的功能。从其结构来看，多个线阵平行排列，像元在线阵方向和级数方向呈矩形排列，它的列数是一行的像元数，行数为延迟积分的级数(M).CCD作为电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或者电压为信号。CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移，因此，CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。CCD的信号电荷是由光信号转换成的。信号电荷的存储和传输由构成CCD的基本单元MOS(金属-氧化物-半导体)结构在驱动脉冲的作用下完成。1.2 FPGA配置硬件电路随着电子技术、计算机应用技术和EDA技术的不断发展，利用FPGA进行数字系统的开发已被广泛应用于通信、航天、医疗电子、工业控股等邻域。与传统电路设计方法相比，FPGA具有功能强大、开发过程投资小、周期短、便于修改及开发工具智能化等特点。近年来，FPGA市场发展迅速，并且随着电子工艺不断改进，低成本高性能的FPGA器件推陈出新，从而促进了FPGA成为当今硬件设计的首选方式之一。 采用FPGA技术设计CCD图像传感器的驱动电路,数字视频信号处理电路,使原来复杂的电路设计变成只需一片FPGA芯片就能完成。同时,它能够很好的满足CCD成像系统向高速小型化、智能化、低功耗发展的需求。从而提高了系统的集成度；而且使电路的抗干扰能力增强，提高了系统的可靠性和稳定性。 FPGA的主要生产厂家有Altera、Xilinx、Actel 、Lattice。其中Altera和Xilinx主要生产一般用途FPGA，其主要产品采用RAM工艺。Actel主要提供非易失性FPGA，产品主要基于反熔丝工艺和FLASH工艺。 1.3 TDI-CCD的国内外发展现状CCD（Charged Coupled Device）于1969年在贝尔试验室研制成功，之后由日商等公司开始量产，其发展历程已经将近30多年，从初期的10多万像素已经发展至目前主流应用的500-800万像素。CCD和传统底片相比，CCD更接近于人眼对视觉的工作方式，每一个CCD组件由上百万个MOS电容所构成（光点的多少要看CCD 的像素而定）。国外于20世纪70年代末期开始进行TDICCD可见光成像器件的研制，先后成功地研制出了51296，102496，204896，409696及拼接式102496等TDICCD可见光成像器件，随后市场上也相继推出了各种型号的TDICCD可见光成像组件。TDI-CCD由于其特点而被广泛运用于航天航空等敏感而重要的领域，产品不仅价格昂贵、而且受到国家的严格管制。因此各个国家都在努力发展自己的TDICCD技术。我国的TDICCD研制工作起步比较晚，目前落后于欧美等先进国家10年以上，并且我国对TDICCD 图象传感器的应用还不十分广泛,主要应用在航空和航天遥感上。因此必须大力发展我的TDICCD技术。美国是世界上最早开展TDICCD 研究的国家, 在此应用研究领域一直保持领先的地位。而其推出的CCD10121型TDI-CCD行像元数更是达到12288，输出总速率高达160MHz3.此外Atmel公司在这方面也有较强实力，其AT71548A由3片520032型TDI-CCD组成。此外日本的滨淞光子（HAMAMATSU）开发S10200系列，加拿大DALSA的IL-EX、IL-TX、IT-EX、IT-FX系列TDI-CCD都有较强的竞争力；法国汤姆逊无线电公司(CSF) 和英国的E2V 公司也在开展这方面的研究。1.4 论文的主要研究工作 论文主要通过对TDICCD的工作原理的了解与应用，并以FPGA作为硬件平台，深入了解TDICCD8091芯片和研究TDI8091芯片的CCD驱动时序的设计。安装并使用Quartes II，并且在Quartes II开发环境下，利用VHDL硬件描述语言输入方式自行编写了一段代码来实现数字逻辑电路的过程和方法。第二章 TDI-CCD工作原理及主要性能参数2.1 TDI-CCD 结构TDICCD从结构上可以看作是由按照一定规律排列的光敏像元阵列组成的移位寄存器，每个像元就是一个MOS电容器(有的是光敏二极管)，因此CCD也可以看作是由MOS矩阵组成的电荷耦合器件。它是在P型(或N型)Si衬底的表面上用氧化的办法生成一层厚度约10001500的SiO2，再在SiO2表面蒸镀一层金属层或能够透过一定波长范围光的多晶硅薄膜，并在上面加上一个电极，称为“栅极”，在衬底和金属电极间加上一个偏置电压，就构成了一个MOS电容器，其结构如图2.1(a)所示。每个MOS单元可以等效为一个小电容，一行密集的MOS电容相当于一个串行移位寄存器，因此可以寄存和转移电荷。按物理概念分析，在MOS结构的电极上加一定的电压，在其半导体内部会形成势阱，势阱内可以存贮少子电荷，若给MOS阵列加上一定的时钟脉冲，则势阱会作定向运动，并携带少子电荷包作定向转移4。图2.1 CCD的MOS结构以P型硅为例，当在其栅极上加上正偏压(N型硅则加负偏压)，由此形成的电场穿过氧化物(SiO2)薄层，排斥Si-SiO2界面附近的多数载流子穴)，留下带负电的固定不变的受主离子NA-，形成耗尽层（无载流子的本征层），耗尽层的存在表明MOS结构存储电荷的功能。与此同时，氧化层与半导体界面处的电势(常称为表面势，用s表示)发生相应变化。因电子在界面处的静电势能很低，当金属电极上所加正偏压超过某一个值（阈值电压Uth）后，界面处就可存储电子，形象地说，Si-SiO2界面处形成了电子的势阱，见图2.2(b)。由基本单元MOS电容器构成TDICCD的水平移位读出寄存器和垂直行转移寄存器，其布局如图2.3所示，这两个寄存器分别由水平读出时钟和垂直行转移时钟控制。水平读出像元会送入到CCD内部的放大器中，由于不同型号CCD的放大器带宽不同，所以每秒钟水平读出像元个数的数目有限制。例如。一款CCD内部放大器每秒钟接受107个像元，水平寄存器容量为500个像元，那么可以算出它的行转移速度最大为20000行每秒钟。图2.2 寄存器布局图2.2 TDI-CCD的特点 与普通线阵CCD 相比,TDI 工作模式的一个主要优点就是它能够在较低的光照下工作,可以与小相对孔径(1/ 81/ 14) 的光学系统配合成像,从而大幅度减少遥感相机的体积和质量。另外,随着TDI级数增加,信号随TDI 级数( N ) 成线性增加,而噪声随TDI 级数成平方根增加, TDICCD 的信噪比(SNR) 可以增加N倍。TDICCD 另一个特点是通过多次曝光可减少像元间响应不均匀和固定图形噪声的影响。2.3 光电荷的产生和存储构成CCD的基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）结构。如图2.3（a）所示，在栅极G施加正偏压U之前，P型半导体中的空穴（多数载流子）的分布是均匀的。当栅极施加正偏压栅极电压（此时U小于P型半导体的阈值电压U）后，空穴被排斥，产生耗尽区，如图2.3（b）所示。偏压继续增加，耗尽区将进一步向半导体内延伸。当U U时，半导体与绝缘体界面上的电势（常称为表面势，用表示）变得如此之高，以致于将半导体体内的电子（少数载流子）吸引到表面，形成一层极薄的（约10）但电荷浓度很高的反型层，如图2.3（c）所示，反型层的电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。然而，当栅极电压由零突变到阈值电压时，掺杂半导体中的少数载流子很少，不能立即建立反型层。在此情况下，耗尽区将进一步向体内延伸。而且，栅极与衬底之间的绝大部分电压降落在耗尽区上。如果随后可获得少数载流子，那么耗尽区将收缩，表面势下降，氧化层上的电压增加。当提供足够的少数载流子时，表面势可降低到半导体材料费密能级的两倍。例如，对于掺杂为10的P型半导体，其料费密能级为0.6V，其余电压降落在氧化层上。图2.3单个CCD电级对耗尽区的影响表面势随电荷反型层浓度Q，栅极电压U的变化如图2.4和如图2.5所示。图2.4是在掺杂为10的情况下，对于氧化层的不同厚度在不存在反型层电荷时，表面势与栅极电压U的关系曲线。图2.5为栅极电压不变的情况下，表面势与反型层电荷的关系曲线。图2.4表面势与栅极电压的关系图2.5表面势与反型层密度Q的关系曲线的直线性好，说明表面势与反型层电荷浓度Q有着良好的反比例线性关系。这种线性关系很容易用半导体物理中的“势阱”的概念来描述。电子所以被加有栅极电压U的MOS结构吸引到氧化层与半导体的交界面处，是因为那里的势能最低。在没有反型层电荷时，势阱的“深度”与栅极电压U的关系恰如与反型层电荷量Q间的关系，如图2.6（c）所示。当反型层电荷足够多，使势阱被填满时，降到2，此时，表面势不再束缚多余的电子，电子将产生“溢出”现象。因此，表面势可作为势阱深度的量度。而表面势又与栅极电压U、氧化层厚度d有关，即MOS电容容量C与U有关。势阱的横截面积取决于栅极电极的面积A，MOS电容存储信号电荷的容量为（2.1）2.4 光电荷的传输和转移为了理解在CCD中势阱及电荷是如何从一个位置移到另一个位置，如图2.7，取CCD中四个彼此靠得很近的电极来观察。假定开始时有一些电荷存储在偏压为10V的第二个电极下面的深势阱里，其它电极上均加有大于阈值的较低的电压（例如2V）。设图2.7（a）为零时刻（初始时刻），过t时刻后，各电极上的电压变为如图2.7（b）所示，第二个电极仍保持为10V，第三个电极上的电压由2V变到10V，因这两个电极靠得很紧（间隔只有几微米），它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第二个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有，如图2.7（b）和（c）。若此后电极上的电压变为图（d）所示，第二个电极电压由10V变为 2V，第三个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第三个电极下的势阱中，如图（e）。由此可见，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。通过将一定规则变化的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动。通常把CCD电极分为几组，并施加同样的时钟脉冲。CCD内部结构决定了使其正常工作所需的相数。图2.7（f）所示，这样的CCD称为三相CCD。三相CCD的电荷耦合（传输）方式必须在三相交迭脉冲的作用下才能以一定的方向，逐个单元地转移。应该指出，CCD电极间隙必须很小，电荷才能不受阻碍地自一个电极转移到相邻电极下。这对于图2.7所示电极结构是一个关键问题。如果电极间隙比较大，两相邻电极间的势阱将被逝垒隔开，不能合并，电荷也不能从一个电极向另一个电极转移。CCD便不能在外部脉冲作用下正常工作。图2.7 三相电荷的转移过程能够产生耦合条件的最大间隙一般由具体电极结构、表面态密度等因素决定。理论计算和实验证实，为了不使电极间隙下方界面处出现阻碍电荷转移的势垒，间隙的长度应小于3，这也是同样条件下半导体表面深耗尽区宽度的大致尺寸。当然，如果氧化层厚度，表面态密度不同，结果也会不同。但对绝大多数CCD，1的间隙长度是足够小的。以电子信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简称为N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD，简称为P型CCD。由于电子的迁移率（单位场强下的运动速度）远大于空穴的迁移率，因此，N型CCD比P型CCD的工作频率高得多【5】。2.5 光电荷的读出 在CCD中，电荷的注入方法很多，归纳起来，可分为光注入和电注入。光注入方式可分为正面照射式与背面照射式。而电注入就是CCD通过输入结构对信号电压或者电流进行采样，然后将信号电压或者电流转换为信号电荷，电注入的方法也很多，最常用的两种方法是电流注入法和电压注入法。目前CCD的输出方式主要有电流输出、浮置扩散放大器输出和浮置栅放大器输出。在CCD中，有效的收集和检测电荷是一个重要的问题。CCD的重要特性是信号电荷在转移过程中与时钟脉冲没有任何的电容耦合，而在输出端则不可避免。因此，选择适当的输出电路可以尽可能的减小时钟脉冲容性的馈入输出电路的程度。2.6 CCD的主要性能2.6.1 光电转换特性存储于CCD像敏单元中的信号电荷包是由入射光子被硅衬底材料吸收，并被转换成少数载流子（反型层电荷）形成的，因此，它具有良好的光电转换特性。它的光电转换因子可达到99.7%以上 另外，可以推出： （1.1）t为CCD的式积分时间，可以设为常数；为CCD器件的光电转换效率，当材料确定以后它是常数；q为电子电荷量，是常数；为入射辐射频率，对于某单色光亦位常数。由此可以看出CCD的光电转换特性为线性的。2.6.2 光谱响应光电成像器件的光谱响应取决于光电转换材料的光谱响应，其短波限有时受窗口材料的吸收特性影响。例如，属于外光电效应摄像管的光谱响应由光阴极材料决定；属于内光电效应的视像管和CCD摄像器件的光谱响应分别由靶材料和硅材料决定；热释电摄像管基于材料的热释电效应，它的光谱响应特性近似直线。图2.8 光谱响应特性 1-多碱氧化物光阴极像管；2-氧化铅摄像管；3-CCD摄像器件图2.8所示为多碱氧化物光阴极像管；氧化铅摄像管及CCD摄像器件的光谱响应特性。在选用光电成像器件时，应考虑器件的光谱响应与被测景物辐射光谱的匹配。2.6.3 动态范围饱和暴光量和等效噪声暴光量的比值称为CCD的动态范围。CCD器件动态范围一般在103-104数量级。换种说法动态范围由势阱中可存储的最大电荷量和噪声决定的最小电荷量之比决定。）阱中的最大信号电荷量CCD势阱中可容纳的最大信号电荷量取决于CCD的电极面积及器件结构（SCCD还是BCCD），时钟驱动方式及驱动脉冲电压的幅度等因素。设CCD的电极有效面积为A，Si的杂质浓度NA为1015cm-3，；氧化膜厚度为0.1m，电极尺寸为10*20（m）2，栅极电压为10V ，则SCCD中，势阱中的电荷量Q为0，6PC或3，7*106个电子。Q可近似用下式表示Q= Cox Uo A 式中，Cox是单位氧化膜面积的电容量，Uo为栅极电压。在BCCD中，计算比较复杂，随着沟道深度增加，势阱中可以容纳的电荷量增加减少，对于与上述SCCD条件相同的BCCD，若氧化膜厚0.1m，相当于沟道深度的外延层厚度为21m，则QSCCD/QBCCD约为4.5。（）噪声在CCD中，有以下几种噪声源：由于电荷注入器件引起的噪声；电荷转移过程中，电荷量的变化引起的噪声；由检测时产生的噪声。（1）光子噪声：由于光子发射是随机过程，因而势阱中收集的光电荷也是随机的，这就成为噪声源。由于这种噪声源与CCD传感器无关，而取决于光子的性质，因而成为摄像器件的基本限制因素，这种噪声主要对于低光强下的摄像有影响。（2）胖零噪声：对SCCD，在使用偏置电荷（胖零）时，也会产生噪声，这与使用偏置光的情况一样。（3）俘获噪声：在SCCD中起因于界面缺陷，在BCCD中起因于体缺陷，但BCCD中俘获噪声小。（4）输出噪声：这种噪声起因于输出电路复位过程中产生的热噪声。该噪声若换算成均方根值就可以与CCD的噪声相比较。（5）暗电流噪声：与光子发射一样，暗电流也是一个随机过程，因而也成为噪声源。而且，若每个CCD单元的暗电流不一样，就会产生图形噪声。此外，器件的单元尺寸不同或间隔不同也会成为噪声源，但这种噪声源可以通过改进光刻技术而减少。2.6.4 暗电流在正常工作的情况下，MOS电容处于未饱和的非平衡态。随着时间的推移，由于热激发而产生的少数载流子使系统趋向平衡。因此，即使在没有光照或其它方式对器件进行电荷注入的情况下，也会存在不希望有的暗电流。众所周知，暗电流使大多数摄像器件所共有的特性，是判断一个摄像器材好坏的重要标准，尤其是暗电流在整个摄像区域不均匀时更是如此。判断暗电流的存在限制了器件动态范围和信号处理能力。暗电流的大小与光积分时间，周围环境温度密切相关，通常温度每上升30-35。C，暗电流提高约一个数量级。CCD摄像器件在室温下暗电流约为5-10nA/cm2。产生暗电流的主要原因有以下几点：1） 耗尽的硅衬底中电子 自价带至导带的本征跃迁。2） 少数载流子在中性体内的扩散。3） SiSiO2界面引起的暗电流。 2.6.5 分辨率分辨率是用来表示能够分辨图像中明暗细节的能力，常用调制模传递函数MTF来评价。分辨率常用两种方式来描述：一种为极限分辨率；另一种为调制传递函数。分辨率有时也称为鉴别率或接像率等。线阵CCD摄像器件向更多位光敏单元发展，现在已有251，10241，20481，21601，27001，50001，53401，75001，27003，53403，105503等多种。像敏单元位数越高的器件具有更高的分辨率。尤其是用于物体尺寸测量中，采用高位数光敏单元的线阵CCD器件可以获得更高的测量精度。另外，当采用机械扫描装置时，亦可以用线阵CCD摄像器件得到二维图象的视频信号。扫描所获得的二维信号的分辨率取决于扫描速度与CCD光敏单元的高度等因素。二维面阵CCD的输出信号一般遵守电视系统的扫描制式。它在水平方向和垂直方向上的分辨率式不同的，水平分辨率要高于垂直分辨率。在评价面阵CCD的分辨率时，制评价它的水平分辨率，且利用电视系统对图象分辨率的评价方法电视线评价方法。电视线评价方法表明，在一幅图像上，在水平方向能过分辩出的黑白条数为其分辨率。水平分辨率与水平方向上的CCD像敏单元的数量有关，像敏单元数越多，分辨率越高。现有的面阵CCD的像敏单元数已发展到512500，796596，10241024，20482048，40964096，50005000等多种，分辨率越来越高。2.7 TDI-CCD的工作原理 信号电荷的存储和传输由构成CCD的基本单元MOS(金属-氧化物-半导体)结构在驱动脉冲的作用下完成.而它的工作原理则如下; 如图2.9 在第一次曝光时间T1时，物体的第一行处在TDI的第5级，曝光电荷为Q1；在第二次曝光时间T2时，物体向前运动一行，这时物体的第二行处在TDI的第5级，曝光电荷为Q2，与此同时上次累积的电荷Q1转移到第4级，再加上第4级曝光物体的第一行产生的曝光电荷Q1总共累积电荷2Q1在第三次曝光时间T3时，物体继续向前运动一行，这时物体的第三行处在TDI的第5级，曝光电荷为Q3与此同时上次累积的电荷Q2转移到第4级，再加上第4级曝光物体的第二行产生的曝光电荷Q2总共累积电荷2Q2，TDI的第3级曝光物体的第一行再加上从第4级转移过来的2Q1，第三级总共累积电荷3Q1在第四次曝光时间T4时，物体继续向前运动一行，这时物体的第四行处在TDI的第5级，产生曝光电荷Q4并且转移上次的累积电荷Q3到TDI的第4级，第4级曝光物体第三行产生曝光电荷Q3，再加上从第5级转移来的Q3，第四级累积电荷2Q3，第3级曝光物体第二行加上从第4级转移来的电荷总共产生累积电荷3Q2，第2级曝光物体第一行再加上从第3级转移来的电荷总共产生累积电荷4 Q1在第五次曝光时间T5时，物体继续向前运动一行，这时物体的第五行处在TDI的第5级，产生曝光电荷Q5并且转移上次的累积电荷Q4到TDI的第4级，第4级曝光物体第四行产生曝光电荷Q4，再加上从第5级转移来的Q4，第4级累积电荷2 Q4，第3级曝光物体第三行加上从第4级转移来的电荷2Q3总共产生累积电荷3Q3，第2级曝光物体第二行再加上从第3级转移来的电荷3Q2总共产生累积电荷4Q2；第1级曝光物体第一行再加上从第2级转移来的电荷4Q1总共产生累积电荷5Q1。这是一款最大积分级数为5级的TDI，以此类推更多级数TDI的工作原理。 第三章 毕业设计小结通过一个学期的准备和工作,终于完成了导师要求的毕业设计。毕业设计是大学能否毕业的重要环节，又是不可或缺的关键部分。通过毕业设计的一系列工作学校能了解我们的能力；我们更能进一步的看清自己的水平和方向；导师能考察我们的专业知识掌握情况，及时让我们了解最先的科技动态和以后的研究方法；毕业设计的安排其实起到很好的承上启下的作用，它既是对本科阶段的一个总结，又能让我们可以更快地适应工作阶段的学习、和生活方式。此次毕业设计使我们更加深刻的认识到团结的力量，一个人的知识始终是有限的，只有大家一起相互帮助、相互关心才有可能完成工作；让我们认识到同窗四年的友谊，在临近毕业这份感情来得越发深切；让我们能更深入的总结本科阶段学过的知识，又不断地通过自学获得所需的新的理论，锻炼增强了我们的独立思考、大胆创新、实事求是的品质，我们通过自己和他人的帮助攻克了一个又一个的知识盲区，拓宽了自己的知识面；进一步了解到社会科技的前沿动态，为即将步入社会做好了必要的准备。通过这次毕业设计，我学到了很多东西，学会了去查阅各种资料，将所学的理论知识与实际现象结合起来，我学到的不仅仅是知识，还学会了分析问题的方法，我很珍惜这次锻炼自己的机会。致 谢首先要感谢我的导师刘燕老师，在完成毕业论文期间，令老师给了我莫大的关心、帮助和教诲，她为我提供了良好的学习条件和宽松的研究氛围，指导我不断地学习进步。令老师学识渊博、治学严谨、观察敏锐、学术思想活跃，这些都深深地影响了我，使我受益匪浅，而他热情真诚、平易近人的品德更将对我产生久远的影响。 借此论文完成之际，再一次向所有帮助和支持过我的老师、同学和朋友们表示感激和谢意，他们的过人学识和耐心帮助，使我攻克了一个又一个的知识盲区，拓宽了自己的知识面，为我能顺利完成本科阶段的论文给予了极大的帮助。感谢在西工大明德学院四年时间里教授我课程的老师们，感谢他们的辛苦付出，还感谢学院为我们创造了良好的学习环境。四年里除学习专业知识以外，还受到浓厚的学术和人文气息的熏陶，对我个人修养的提高必定也有很大的帮助。 最后，对参与本论文评阅和答辩的各位老师和专家致以诚挚的感谢！ 28附件1： 大学本科毕业论文（设计）工作程序要求阶段工作程序及要求完成时间第一阶段（准备阶段）（一）确定题目和指导教师1.学院（系）成立毕业论文（设计）领导小组；2.学院（系）向教师（具有讲师以上职称或具有研究生学历的助教）分派指导论文（设计）任务，院（系）公布备选题目一览表；3.学院（系）召开指导教师和学生参加的毕业论文（设计）布置大会；4.学生根据自己的专业兴趣、学术特长选定论文题目，确定指导教师，也可与指导教师协商后确定论文题目；5.学院（系）将选题结果汇总成表，报教务处实践教学科备案。每学年第一学期第8周前（二）做好论文开题、写作的准备工作1.指导教师向学生传达毕业论文（设计）要求及有关管理规定，师生沟通交流课题任务，使学生正确理解课题，为开题做准备；2.学生确定论文题目后，应在指导教师的指导下进行文献检索、实习调研以及实验等论文前期准备工作。每学年第一学期第8周以后第二阶段（开题及写作阶段）（三）做好开题报告教研室组织教师指导学生做好开题报告，院（系）检查开题情况，教务处抽查。每学年第二学期第2周前（四）认真进行毕业论文（设计）指导、检查工作。1指导教师做好指导工作，定期检查学生的工作进度和质量，及时解答和处理学生提出的有关问题；2学院（系）要随时了解、检查论文写作进展情况，及时研究协调处理毕业论文写作过程中的有关问题。每学年第二学期（五）毕业论文中期检查教研室组织中期毕业论文检查工作，做好记录，学生须向指导教师汇报工作进度和工作质量，并填写中期检查表。每学年第二学期第8周第三阶段（评审答辩阶段）（六）指导教师评定毕业论文答辩前一周，学生将毕业论文交指导教师，指导教师需认真审阅，写出评语和评分。每学年第二学期第13-14周（七）评阅老师评阅毕业论文学院（系）或教研室安排有关教师，详细评阅每个学生的毕业论文，给出评分。（八）组织答辩学院（系）成立答辩委员会，组织答辩小组对学生进行论文答辩，答辩日程安排通知教务处，并做好答辩记录，给出答辩成绩。每学年第二学期第15周前（九）综合评定成绩学院（系）组织专门人员检查评分标准执行情况，进行成绩汇总和统计；毕业论文成绩及时报送教务处。每学年第二学期第15周前（十）毕业论文归档管理学院（系）收集并整理归档毕业论文有关材料，包括鉴定表（2份）、开题报告（1份）、中期检查表（1份）、评分表（1份）、论文（设计）（1份）及相应电子文档，填写本科生毕业论文（设计）工作总结表，一份交教务处实践教学科。每学年第二学期第16周前（十一）校级优秀毕业论文评选每学年第二学期第17周前注：1.提前或推延进行毕业论文（设计）的，各阶段要求相同，日程自定；2.毕业论文（设计）工作三个阶段时间安排，可根据各专业特点适当调整。 附件2： 大学本科毕业论文（设计）撰写规范一、毕业论文（设计）文本结构毕业论文（设计）主要由8个部分组成：封面；目录；题目；中外文摘要；正文；参考文献；谢辞；附录。二、毕业论文（设计）各部分规范1. 封面封面按学校规定的格式填写，包括论文（设计）题目、作者姓名、指导教师姓名、学科专业等内容。2. 目录目录由毕业论文（设计）各部分内容的顺序号、名称和页码组成，目次中的内容一般列出二级标题即可。目录应该用“”连接名称与页码。3. 题目论文（设计）题目要恰当、简明、凝练，能够反映论文的主题及其内容，做到文、题贴切。题目中不使用非规范的缩略词、符号、代号和公式，通常不采用问话的方式。题目所使用的词语应当考虑到有助于选择关键词和编制题录、索引等。题目的中文字数一般不超过20个字，外文题目不超过10个实词，中外文标题应一致，居中编排格式。4. 中外文摘要及关键词摘要是对毕业论文（设计）内容不加注释和评论的简短陈述。摘要主要是说明研究工作的目的、方法、结果和结论。摘要应具有独立性和自含性，即不阅读全文，就能获得毕业论文（设计）必要的信息，使读者确定有无必要阅读全文。摘要中应用第三人称的方法记述论文的性质和主题，不使用“本文”、“作者”等作为主语，应采用“对进行了研究”、“报告了现状”、“进行了调查”等表达方式。排除在本学科领域已成为常识的内容，不得重复题目中已有的信息。语句要合乎逻辑关系，尽量同正文的文体保持一致。结构要严谨，表达要简明，语义要确切，一般不再分段落。对某些缩略语、简称、代号等，除了相邻专业的读者也能清楚理解的以外，在首次出现处必须加以说明。摘要中通常不用图表、化学结构式以及非公知公用的符号和术语。毕业论文（设计）的摘要包含中文摘要和外文摘要。中文摘要字数约为200300字，外文摘要约为200300个实词。关键词（Keywords）是为了文献标引，从汉语主题词表或论文中选取出来，用以表示全文主题内容信息的词语或术语。关键词不宜用非通用的代号和分子式。关键词一般为36个。关键词的排序，通常应按研究的对象、性质（问题）和采取的手段排序。中文关键词两词之间应留出一个汉字的空间，不加任何标点符号；外文关键词之间用分号隔开。5. 正文毕业论文（设计）的正文包括前言（引言）、正文、结论三个部分。外语类专业毕业生必须用所学专业外语撰写。毕业论文（设计）的篇幅一般6000字左右。(1)前言（引言）前言（引言）主要说明研究工作的目的、范围，对前人的研究状况进行评述分析，阐明研究设想、研究方法、实验设计、预期结果、成果的意义等。(2)正文正文是对研究工作与研究内容的详细表述，一般由标题、文字、表格或公式等部分组成。该部分要运用选定的研究方法分析问题、论证观点，尽量反映出研究能力和学术水平。正文是毕业论文（设计）的核心部分，占据主要篇幅。正文是论文的主体，要求观点清晰、论点正确、论据可靠、论证严密、层次清楚。正文中的图表和计量单位要规范。图须有序号、图题、图例、量和单位，图序号须用阿拉伯数字，与图题空 1 格，写在图下方；表格采用 3线表，表头线和表尾线为粗黑线，表两边不要串写文字，表序号须用阿拉伯数字，与标题空 1格，写在表上方；一律使用法定计量单位。(3)结论结论是对整个研究工作进行归纳和总结。结论应当准确、完整、明确、精练。如不可能导出应有的结论，也可以没有结论而进行必要的讨论，阐述本课题研究中存在的问题及进一步开展研究的建议。6. 谢辞（致谢）谢辞（致谢）是对给予各类资助、指导和协助完成科研工作，以及提供各种条件的单位和个人表示的感谢。谢辞应实事求是。7. 参考文献文后参考文献，是论文的重要组成部分，按顺序和规定的格式列在正文之后。所列出的文献，应当是作者亲自阅读或引用过的，出处要翔实，要进行核实查对。所引用的文献应是公开出版的刊物或著作，内部刊物一般不引用。正文中参考文献的标注方法，是在引用文字（即所引用的词组、句子、段落等）结束处的右上角标出参考文献序号。全文参考文献的序号要按照从小到大的次序排列，某一文献多次引用时，要用同一序号标出。文后参考文献的编写方式，是依正文中参考文献序号的次序排列所有的参考文献，且一个参考文献只能出现一次。8. 附录凡不宜收入正文中而又有价值的内容，可编入毕业论文的附录中。附录内容主要包括：正文中所使用公式的推导与证明过程；使用的主要符号、单位、缩写、程序全文及其说明等；在正文中无法列出的实验数据；重复性数据图表；调查问卷等。附件3： 大学本科毕业论文（格式）格式（理科）（说明：本表供理工科专业学生用，以下所有红色、蓝色文字仅供参考，学生在写作论文时请保留字体、字号，改写或删除掉文字，黑色文字请保留。每一页的上方(天头)和左侧(订口)分别留边25mm，下方(地脚)和右侧(切口)应分别留边20mm，装订线5 mm，页眉和页脚为0。论文题目使用黑体三号字，正文使用宋体小四号字，行距为单倍行距；一级标题段前段后为0.5行，正文段前段后为0，字符间距为标准。为保证打印效果，学生在打印前，请将全文字体的颜色统一设置成黑色。以上说明参阅后请自行删除，包括本文本框！）（顶头空2行）目 录（4号黑体，居中）摘要1关键词1Abstract1Key words1引言（或绪论）11材料与方法Y1.1材料 Y1.2方法 Y1.2.1Y1.2.2Y1.2.3Y1.2.4Y2Y2.1Y3 Y（略）X （正文第X章）Y致谢Y参考文献Y附录A （必要时）Y附录B （必要时）Y图1 （必要时）Y图2 （必要时）Y表1 （必要时）Y表2 （必要时）Y注：1. 目次中的内容一般列出“章”、“节”、“条”三级标题即可；2X、Y表示具体的阿拉伯数字；毕业论文（设计）题目（3号黑体）专业学生 学生姓名指导教师 指导教师姓名（小四仿宋体）摘要：（200300字，五号宋体）关键词： （3-5个，五号宋体）Title（3号Times New Romar）Student majoring in Name Tutor Name（小四Times New Romar）Abstract： （五号Times New Romar，200300个实词）Key words: ；（3-5实词个，五号Times New Romar）引言（小四宋体）。1 材料与方法 （仿宋体四号）11 （黑体小四号）（小四宋体）。111 （仿宋体小四号） （小四宋体）。112 （仿宋体小四号） （小四宋体）。12 （黑体小四号）2 结果与分析 （仿宋体四号）21 （黑体小四号）（小四宋体）。211 （仿宋体小四号） （小四宋体）。212 （仿宋体小四号） （小四宋体）。22 （黑体小四号）3 讨论 （仿宋体四