基于单片机的电子体温计设计【自动化毕业论文开题报告外文翻译说明书】.zip
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毕 业 设 计（论 文）任 务 书1本毕业设计（论文）课题应达到的目的： 通过毕业设计，使学生受到自动化工程师所必备的综合训练，在不同程度上提高各种设计及应用能力，具体包括以下几方面：1. 调查研究、中外文献检索与阅读的能力。2. 综合运用专业理论、知识分析解决实际问题的能力。3. 定性与定量相结合的独立研究与论证的能力。4. 实验方案的制定、仪器设备的选用、调试及实验数据的测试、采集与分析处理的能力。5. 设计、计算与绘图的能力，包括使用计算机的能力。6. 逻辑思维与形象思维相结合的文字及口头表达的能力。2本毕业设计（论文）课题任务的内容和要求（包括原始数据、技术要求、工作要求等）： 1. 本课题要求设计一个电子体温计，该系统的用于体温检测，能准确快速地测量人体体温，并且需要实时的显示当前的温度。与传统的水银玻璃体温计相比，电子体温计具有方便的读数，高精度的测量，测量时间比较短，能记忆并有与其它体温计不同的蜂鸣提示的优点。 测温范围35C 42C，误差在0.2C以内，当温度超过38C时，可以报警，采用LED数码管直读显示。并且能够实时的宽范围的温度检测，能清楚的显示与读出数据。2.设计系统的硬件电路和软件程序，包括详细的硬件设备配置，系统连接，程序调试等详细步骤；3.最终完成一篇符合金陵科技学院毕业论文规范的系统技术文档，包括各类技术资料，电路图纸，程序等；4.系统要有实际的硬件展示，并能够通电运行；5.本子系统要与整个系统能够配合运行。毕 业 设 计（论 文）任 务 书3对本毕业设计（论文）课题成果的要求包括图表、实物等硬件要求： 1.按期完成一篇符合金陵科技学院论文规范的毕业设计说明书（毕业论文），能详细说明设计步骤和思路；2.能有结构完整，合理可靠的技术方案；3.能有相应的电气部分硬件电路设计说明；4.有相应的图纸和技术参数说明。5.要求调试成功，并在答辩时完成实际系统展示。4主要参考文献： 1.王俊峰,孟令启.现代传感器应用技术M.北京:机械工业出版社,2007.2.陈乐.电子体温计自动检定系统研究J.计量学报,2012,(33).3.聂秋芸.电子体温计与水银体温计测温对比分析J.中国误诊学杂志 2010,(17).4.庄春生.新型智能电子体温计的研究J.河南科学,2004,(6).5.支长义.语音智能电子体温计设计J.微计算机信息,2007,(7).6.何立民. 单片机高级教程(第1版)M北京：北京航空航天大学出版社，2001.7.赵晓安. MCS-51单片机原理及应用M. 天津：天津大学出版社，2001.8.李广第 单片机基础M北京：北京航空航天大学出版社，1999.9. 徐惠民，安德宁 单片微型计算机原理接口与应用M 北京：北京邮电大学出版社，1996。10. 金发庆.传感器技术与应用M.北京:机械工业出版社,2006.11. 夏继强. 单片机实验与实践教程M. 北京：北京航空航天大学出版社, 2001. 12. 孙洪程.过程控制工程设计(第2版)M.北京:化学工业出版社,2009.13. 魏克新.自动控制综合应用技术M.北京:机械工业出版社,2007.14. 白志刚.自动调节系统解析与PID整定M.北京:化学工业出版社,2012.15. 沈聿农.传感器及应用技术M.北京:化学工业出版社,2001.16. 范晶彦.传感器与检测技术应用M.北京:机械工业出版社,2005.毕 业 设 计（论 文）任 务 书5本毕业设计（论文）课题工作进度计划：2015.11.102015.12.13调研、收集相关资料、对学生进行初步辅导，拟题、选题、填写任务书。2015.12.152015.12.31学生查看任务书，为毕业设计的顺利完成，进行前期准备。12月31日前正式下发任务书。12月21日两个系提交专业选题分析总结（撰写要求详见对内通知中附件2）2016.01.092016.04.05学生在指导教师的具体指导下进行毕业设计创作；拟定论文提纲或设计说明书（下称文档）提纲；撰写及提交开题报告、外文参考资料及译文、论文大纲；在2016年4月5日前学生要提交基本完成的毕业设计创作成果以及文档的撰写提纲，作为中期检查的依据。指导教师指导、审阅，定稿由指导教师给出评语，对论文主要工作未通过的学生下发整改通知。2016.04.062016.04.10提交中期课题完成情况报告给指导教师审阅；各专业组织中期检查（含毕业设计成果验收检查）。2016.04.112016.05.10进行毕业设计文档撰写；2016年5月8日为学生毕业设计文档定稿截止日。2016年5月9日-13日，指导教师和评阅教师通过毕业设计（论文）管理系统对学生的毕业设计以及文档进行评阅，包括打分和评语。5月1日前，做好答辩安排，通知学生回校进行答辨2016.05.142016.05.15查看答辩安排，毕业设计（论文）小组答辩2016.05.162016.05.29对未通过答辨的学生进行二次答辨完成毕业设计的成绩录入2016.05.302016.06.07根据答辩情况修改毕业设计（论文）的相关材料，并在毕业设计（论文）管理系统中上传最终稿，并且上交纸质稿。2016年6月7日为学生毕业设计文档最终稿提交截止日。2016.06.072016.06.30各系提交本届毕业设计（论文）的工作书面总结及相关材料。所在专业审查意见：通过负责人： 2015 年 12 月21 日 毕 业 设 计（论文） 开 题 报 告 1结合毕业设计（论文）课题情况，根据所查阅的文献资料，每人撰写不少于1000字左右的文献综述： 体温测量的历史，最早出现在16世纪。当时空气热膨胀是Saatorio主要根据的原理，制出了第一支体温计，用于测量口腔温度体。到20世纪初，才开始设计采用水银来制作体温计，至今水银体温计在家庭等处，得到了广泛的应用。埃布斯坦在1928年发表的报告中指出，水银温度计当时除测量口腔及腋下的温度外，还可以用来测量颈部、外耳，大腿根部及尿温。水银体温计的原理就是玻璃球内积存的水银温度和被测量皮肤的温度相等。由于水银体温计精度很高、使用方便、并且易于携带，因而很多人喜欢采用水银体温计。再加上体温计测温方法及其结构都已完全成熟，并没太多的改进余地，人们对水银体温计的研究热情逐渐渐低，到现在水银体温计几乎已经没有什么发展的余地。再加上由于测量体温用水银体温计很不方便，如果打破摔坏体温计，水银的污染也很严重等，为了准确测量人体的局部温度，促使人们不得不开发了多种多样的测温方式和测温器件设备。 现在其它不同种类的电子仪器测量体温也日益普及，已有许多医院采用了电子体温计来测量体温。这一事实至少说明了，电子测温仪器的性能与水银温度计的性能已经很接近了。因此，鉴于传统的水银体温计多种因素，诸如汞的污染及其携带不方便易破碎，尤其是测量时间过长等缺点，本课题为解决此问题设计出一种数字式电子体温计。它在稳定性及响应时间上比传统的水银体温计有着显著的优势，精度要求也能和传统的水银体温计相媲美。 单片机智能化仪表在测量仪表的方面，有着很大的发展趋势。它给日常生活带来多方面的进步，其中数字温度计就是一个典型的例子，家庭、医院等随处可见，为了能更加满足人们的需要，数字体温计正在不断的进行更新换代。水银、酒精或煤油温度计的分辨力都是为10.1，这些普通水银温度计的刻度间隔通常都很密集，读数比较困难，分辨的不准确，而且他们有着比较大的热容量，需要很长时间达到热平衡，因此温度数值很难读准，使用非常不方便。本设计所介绍的电子体温计，主要用于家庭等普通环境。与传统的水银温度计相比，电子体温计易于读数，广泛的测温范围，测温精度比较高等优点，其输出温度采用数字显示。现在温度计发展非常迅速，从最原始的玻璃管温度计发展到了现在的热电偶温度计、热电阻温度计、集成的半导体数字温度计等。在电子式温度计中，最重要组成部分就是传感器，电子温度计温度采集系统由主控制器、温度采集电路、温度显示电路、报警控制电路及键盘输入控制电路组成。它利用单片机做控制及数据处理器、智能温度传感器做温度检测器、LED数码显示管做温度显示输出设备。硬件电路比较简单，成本较低，测温范围大，测量精度高，读数显示直观，使用方便。该系统的用于体温检测，能准确快速地测量人体体温，并且需要实时的显示当前的温度。与传统的水银玻璃体温计相比，电子体温计具有方便的读数，高精度的测量，测量时间比较短，能记忆并有与其它体温计不同的蜂鸣提示的优点。 测温范围35C 42C，误差在0.2C以内，当温度超过38C时，可以报警，采用LED数码管直读显示。并且能够实时的宽范围的温度检测，能清楚的显示与读出数据。 参考文献1 杨素行.模拟电子技术基础(第三版) .北京:高等教育出版社,2006. 2 康华光.数字电子技术基础(第五版) .北京:高等教育出版社,2006. 3 高晓蓉.传感器技术M.西南交通大学出版社，2003 4 黄继昌.传感器工作原理及应用实例M.人民邮电出版社，1998 5 陈杰.传感器与检测技术M.高等教育出版社，2002 6 金发庆.传感器技术与应用（第二版）M.北京：机械工业出版社，2006 7 高吉祥.数字电子技术M.电子工业出版社，2003 8 沈任元，吴勇.数字电子技术M.北京：机械工业出版社，2005 9 康华光.电子技术基础模拟部分M.高等教育出版社，1988 10 卜益民.模拟电子技术M.北京:邮电大学出版社，2005 11 王港元.电工电子实践指导M.南昌：江西科学技术出版社，2005 12 谢自美.电子线路设计M.武汉：华中科技大学出版社，2000 13 冯璐.免疫金渗滤法定量检测研究M.河北工业大学，2008 14 金毅.温度的测量史M.教学仪器与实验，2011年27卷8期 15 张晔等.DS18820的液体温度测量系统设计M. 测试技术学报，2010年24卷6期毕 业 设 计（论文） 开 题 报 告 2本课题要研究或解决的问题和拟采用的研究手段（途径）： 本课题要研究或解决的问题是： 1.如何实时的温度检测； 2.数据如何能清楚的显示与读出； 3.在完成上述两个步骤后，还需考虑怎样设计出整体的电路图。研究手段（途径）： 1.去图书馆查阅相关资料，经过汇总，作为参考资料； 2.充分利用网络资源，进行相关信息的搜索； 3.以小组讨论的形式展开对课题的研究； 4.理论联系实际，利用学校创新实验室中的设备进行模拟仿真。 毕 业 设 计（论文） 开 题 报 告 指导教师意见：1对“文献综述”的评语：综述内容较为丰富，参考文献合理，概括了电子体温计设计的相关背景、基础知识、历史发展等，同时还对本课题所研究的任务进行了一定的阐述，对本课题的研究有一定的指导意义。 2对本课题的深度、广度及工作量的意见和对设计（论文）结果的预测：本课题研究的任务是对电子体温计进行设计，技术相对成熟，深度中等，但是涉及到的知识面较广，例如传感器技术、单片机技术、电子技术等，学生可以通过实例调研，查阅专业资料，进行系统调试，来实现最终的设计任务和结果，并对自己的专业应用能力是一个非常大的提高。3.是否同意开题： 同意 不同意 指导教师： 2016 年 03 月 25 日所在专业审查意见：同意 负责人： 2016 年 03 月 30 日Temperature control system of single chip microcomputerDescriptionThe at89s52 is a low-power, high-performance CMOS 8-bit microcomputer with 4K bytes of Flash Programmable and Erasable Read Only Memory (PEROM) and 128 bytes RAM. The device is manufactured using Atmels high density nonvolatile memory technology and is compatible with the industry standard MCS-51 instruction set and pin out. The chip combines a versatile 8-bit CPU with Flash on a monolithic chip, the Atmel at89s52 is a powerful microcomputer which provides a highly flexible and cost effective solution to many embedded control applications.Features: Compatible with MCS-51 Products 4K Bytes of In-System Reprogrammable Flash Memory Endurance: 1,000 Write/Erase Cycles Fully Static Operation: 0 Hz to 24 MHz Three-Level Program Memory Lock 128 x 8-Bit Internal RAM 32 Programmable I/O Lines Two 16-Bit Timer/Counters Six Interrupt Sources Programmable Serial Channel Low Power Idle and Power Down ModesThe at89s52 provides the following standard features: 4K bytes of Flash, 128 bytes of RAM, 32 I/O lines, two 16-bit timer/counters, a five vector two-level interrupt architecture, a full duplex serial port, on-chip oscillator and clock circuitry. In addition, the at89s52 is designed with static logic for operation down to zero frequency and supports two software selectable power saving modes. The Idle Mode stops the CPU while allowing the RAM, timer/counters, serial port and interrupt system to continue functioning. The Power Down Mode saves the RAM contents but freezes the oscillator disabling all other chip functions until the next hardware reset.Pin Description:VCC Supply voltage.GND Ground.Port 0Port 0 is an 8-bit open drain bidirectional I/O port. As an output port each pin can sink eight TTL inputs. When are written to port 0 pins, the pins can be used as high impedance inputs. Port 0 may also be configured to be the multiplexed loworder address/data bus during accesses to external program and data memory. In this mode P0 has internal pull-ups. Port 0 also receives the code bytes during Flash programming, and outputs the code bytes during program verification. External pull-ups are required during program verification.Port 1Port 1 is an 8-bit bidirectional I/O port with internal pull-ups. The Port 1 output buffers can sink/source four TTL inputs. When 1s are written to Port 1 pins they are pulled high by the internal pull-ups and can be used as inputs. As inputs, Port 1 pins that are externally being pulled low will source current (IIL) because of the internal pull-ups. Port 1 also receives the low-order address bytes during Flash programming and verification.Port 2Port 2 is an 8-bit bidirectional I/O port with internal pull-ups. The Port 2 output buffers can sink/source four TTL inputs. When 1s are written to Port 2 pins they are pulled high by the internal pull-ups and can be used as inputs. As inputs, Port 2 pins that are externally being pulled low will source current (IIL) because of the internal pull-ups. Port 2 emits the high-order address byte during fetches from external program memory and during accesses to external data memory that uses 16-bit addresses (MOVX DPTR). In this application it uses strong internal pull-ups when emitting 1s. During accesses to external data memory that uses 8-bit addresses (MOVX RI), Port 2 emits the contents of the P2 Special Function Register. Port 2 also receives the high-order address bits and some control signals during Flash programming and verification.Port 3Port 3 is an 8-bit bidirectional I/O port with internal pull-ups. The Port 3 output buffers can sink/source four TTL inputs. When 1s are written to Port 3 pins they are pulled high by the internal pull-ups and can be used as inputs. As inputs, Port 3 pins that are externally being pulled low will source current (IIL) because of the pull-ups. Port 3 also serves the functions of various special features of the at89s52 as listed below:Port pinalternate functionsP3.0rxd (serial input port)P3.1txd (serial output port)P3.2int0 (external interrupt0)P3.3int1 (external interrupt1)P3.4t0 (timer0 external input)P3.5t1 (timer1 external input)P3.6 WR (external data memory write strobe)P3.7rd (external data memory read strobe)Port 3 also receives some control signals for Flash programming and verification.RSTReset input. A high on this pin for two machine cycles while the oscillator is running resets the device.ALE/PROGAddress Latch Enable output pulse for latching the low byte of the address during accesses to external memory. This pin is also the program pulse input (PROG) during Flash programming.In normal operation ALE is emitted at a constant rate of 1/6 the oscillator frequency, and may be used for external timing or clocking purposes. Note, however, that one ALE pulse is skipped during each access to external Data Memory. If desired, ALE operation can be disabled by setting bit 0 of SFR location 8EH. With the bit set, ALE is active only during a MOVX or MOVC instruction. Otherwise, the pin is weakly pulled high. Setting the ALE-disable bit has no effect if the microcontroller is in external execution mode.PSENProgram Store Enable is the read strobe to external program memory. When the at89s52 is executing code from external program memory, PSEN is activated twice each machine cycle, except that two PSEN activations are skipped during each access to external data memory.EA/VPPExternal Access Enable. EA must be strapped to GND in order to enable the device to fetch code from external program memory locations starting at 0000H up to FFFFH. Note, however, that if lock bit 1 is programmed, EA will be internally latched on reset. EA should be strapped to VCC for internal program executions. This pin also receives the 12-volt programming enable voltage (VPP) during Flash programming, for parts that require 12-volt VPP.XTAL1Input to the inverting oscillator amplifier and input to the internal clock operating circuit.XTAL2Output from the inverting oscillator amplifier.Oscillator CharacteristicsXTAL1 and XTAL2 are the input and output, respectively, of an inverting amplifier which can be configured for use as an on-chip oscillator, as shown in Figure 1. Either a quartz crystal or ceramic resonator may be used. To drive the device from an external clock source, XTAL2 should be left unconnected while XTAL1 is driven as shown in Figure 2. There are no requirements on the duty cycle of the external clock signal, since the input to the internal clocking circuitry is through a divide-by-two flip-flop, but minimum and maximum voltage high and low time specifications must be observed.Idle ModeIn idle mode, the CPU puts itself to sleep while all the on chip peripherals remain active. The mode is invoked by software. The content of the on-chip RAM and all the special functions registers remain unchanged during this mode. The idle mode can be terminated by any enabled interrupt or by a hardware reset.It should be noted that when idle is terminated by a hard ware reset, the device normally resumes program execution, from where it left off, up to two machine cycles before the internal reset algorithm takes control. On-chip hardware inhibits access to internal RAM in this event, but access to the port pins is not inhibited. To eliminate the possibility of an unexpected write to a port pin when Idle is terminated by reset, the instruction following the one that invokes Idle should not be one that writes to a port pin or to external memory. Status of External Pins During Idle and Power Down ModesmodeProgram memoryALEpsenPort0 Port1Port2Port3idleinternal11datadatadataDataIdleExternal11floatDatadataDataPower downInternal00DataDataDataDataPower downExternal 00floatdataDatadataPower Down ModeIn the power down mode the oscillator is stopped, and the instruction that invokes power down is the last instruction executed. The on-chip RAM and Special Function Registers retain their values until the power down mode is terminated. The only exit from power down is a hardware reset. Reset redefines the SFRs but does not change the on-chip RAM. The reset should not be activated before VCC is restored to its normal operating level and must be held active long enough to allow the oscillator to restart and stabilize.Program Memory Lock BitsOn the chip are three lock bits which can be left unprogrammed (U) or can be programmed (P) to obtain the additional features listed in the table below: Lock Bit Protection ModesWhen lock bit 1 is programmed, the logic level at the EA pin is sampled and latched during reset. If the device is powered up without a reset, the latch initializes to a random value, and holds that value until reset is activated. It is necessary that the latched value of EA be in agreement with the current logic level at that pin in order for the device to function properly.Programming the Flash：The at89s52 is normally shipped with the on-chip Flash memory array in the erased state (that is, contents = FFH) and ready to be programmed. The programming interface accepts either a high-voltage (12-volt) or a low-voltage (VCC) program enable signal. The low voltage programming mode provides a convenient way to program the at89s52 inside the users system, while the high-voltage programming mode is compatible with conventional third party Flash or EPROM programmers. The at89s52 is shipped with either the high-voltage or low-voltage programming mode enabled. The respective top-side marking and device signature codes are listed in the following table.Vpp=12vVpp=5vTop-side markat89s52xxxxyywwat89s52xxxx-5yywwsignature(030H)=1EH(031H)=51H(032H)=FFH(030H)=1EH(031H)=51H(032H)=05HThe at89s52 code memory array is programmed byte-by byte in either programming mode. To program any nonblank byte in the on-chip Flash Programmable and Erasable Read Only Memory, the entire memory must be erased using the Chip Erase Mode.Programming Algorithm: Before programming the at89s52, the address, data and control signals should be set up according to the Flash programming mode table and Figures 3 and 4. To program the at89s52, take the following steps.1. Input the desired memory location on the address lines.2. Input the appropriate data byte on the data lines.3. Activate the correct combination of control signals.4. Raise EA/VPP to 12V for the high-voltage programming mode.5. Pulse ALE/PROG once to program a byte in the Flash array or the lock bits. The byte-write cycle is self-timed and typically takes no more than 1.5 ms. Repeat steps 1 through 5, changing the address and data for the entire array or until the end of the object file is reached.Data Polling: The at89s52 features Data Polling to indicate the end of a write cycle. During a write cycle, an attempted read of the last byte written will result in the complement of the written datum on PO.7. Once the write cycle has been completed, true data are valid on all outputs, and the next cycle may begin. Data Polling may begin any time after a write cycle has been initiated.Ready/Busy: The progress of byte programming can also be monitored by the RDY/BSY output signal. P3.4 is pulled low after ALE goes high during programming to indicate BUSY. P3.4 is pulled high again when programming is done to indicate READY.Program Verify: If lock bits LB1 and LB2 have not been programmed, the programmed code data can be read back via the address and data lines for verification. The lock bits cannot be verified directly. Verification of the lock bits is achieved by observing that their features are enabled.Chip Erase: The entire Flash Programmable and Erasable Read Only Memory array is erased electrically by using the proper combination of control signals and by holding ALE/PROG low for 10 ms. The code array is written with all “1”s. The chip erase operation must be executed before the code memory can be re-programmed.Reading the Signature Bytes: The signature bytes are read by the same procedure as a normal verification of locations 030H, 031H, and 032H, except that P3.6 and P3.7 must be pulled to a logic low. The values returned are as follows.(030H) = 1EH indicates manufactured by Atmel(031H) = 51H indicates 89C51(032H) = FFH indicates 12V programming(032H) = 05H indicates 5V programmingProgramming InterfaceEvery code byte in the Flash array can be written and the entire array can be erased by using the appropriate combination of control signals. The write operation cycle is self timed and once initiated, will automatically time itself to completion.译文：单片机温度控制系统描述at89s52是美国ATMEL公司生产的低电压，高性能CMOS8位单片机，片内含4Kbytes的快速可擦写的只读程序存储器（PEROM）和128 bytes的随机存取数据存储器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51产品指令系统，片内置通用8位中央处理器（CPU）和flish存储单元，功能强大at89s52单片机可为您提供许多高性价比的应用场合，可灵活应用于各种控制领域。主要性能参数：与MCS-51产品指令系统完全兼容4K字节可重复写flash闪速存储器1000次擦写周期全静态操作：0HZ24MHZ三级加密程序存储器128*8字节内部RAM32个可编程I/O口2个16位定时计数器6个中断源可编程串行UART通道低功耗空闲和掉电模式功能特性概述AT89S52提供以下标准功能：4K 字节flish闪速存储器，128字节内部RAM，32个I/O口线，两个16位定时计数器，一个5向量两级中断结构，一个全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电路。同时，at89s52可降至0HZ的静态逻辑操作，并支持两种软件可选的节电工作模式。空闲方式停止CPU的工作，但允许RAM，定时计数器，串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存RAM中的内容，但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位。方框图引脚功能说明Vcc：电源电压GND：地P0口：P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口，也即地址/数据总线复位口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动8个逻辑门电路，对端口写“1”可 作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8位）和数据总线复用，在访问期间激活内部上拉电阻。P1口：P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口，P1的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可做熟出口。做输出口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（Iil）.Flash编程和程序校验期间，P1接受低8位地址。P2口：P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”，通过内部地山拉电阻把端口拉到高电平，此时可作为输出口，作输出口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（Iil）。在访问外部程序存储器获16位地址的外部数据存储器（例如执行 MOVX DPTR指令）时，P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器（如执行 MOVX RI指令）时，P2口线上的内容（也即特殊功能寄存器（SFR）区中R2寄存器的内容），在整个访问期间不改变。Flash编程或校验时，P2亦接受高地址和其它控制信号。P3口：P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“1”时，他们被内部上拉电阻拉高并可作为输出口。做输出端时，被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流（Iil）。P3口除了作为一般的I/O口线外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示：端口引脚第二功能P3.0rxd (串行输入口)P3.1txd (串行输出口)P3.2int0 (外中断0)P3.3int1 (外中断1)P3.4t0 (定时/计数器0)P3.5t1 (定时/计数器1)P3.6 WR (外部数据存储器写选通)P3.7RD (外部数据存储器读选通)P3口还接收一些用于flash闪速存储器编程和程序校验的控制信号。RST：复位输入。当振荡器工作时，RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。ALE/PROG：当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE（地址所存允许）输出脉冲用于所存地址的低8位字节。即使不访问外部存储器，ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的正脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。对flash存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲（PROG）。如有不要，可通过对特殊功能寄存器（SFR）区中的8EH单元的D0位置位，可禁止ALE操作。该外置位后，只要一条MOVX和MOVC指令ALE才会被激活。此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置ALE无效。PSEN：程序存储允许（PSEN）输出是外部程序存储器的读选通信号，当at89s52由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两个PSEN有效，即输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，这两次有效的PSEN信号不出现。EA/VPP:外部访问允许。欲使CPU仅访问外部程序存储器（地址为0000H-FFFFH），EA端必须保持低电平（接地）。需注意的是; 如果加密位LB1被编程，复位时内部会锁存EA端状态。如 EA端为高电平（接VCC端），CPU则执行内部程序存储器中的指令。Flash存储器编程时，该引脚加上+12V的编程允许电源VPP，当然这必须是该器件是使用12V编程电压VPP.XTAL1: 振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输出端。XTAL2: 振荡器反相放大器的输出端。时钟振荡器：at89s52中有一个用于构成内部振荡器的高增益反相放大器，引脚XTAL1和XTAL2分别是该放大器的输入端和输出端。这个放大器与作为反馈的片外石英晶体或陶瓷谐振器一起构成自激振荡器，振荡电路参见图5。外接石英晶体（或陶瓷谐振器）及电容C1、C2接在放大器的反馈回路中构成并联振荡电路。对外接电容C1、C2虽然没有十分严格的要求，但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器的稳定性、起振的难易程度及温度稳定性，如果使用石英晶体，我们推荐电容使用30PF+10PF，而如使用陶瓷谐振器建议选择40PF+10PF。用户也可以采用外部时钟。采用外部时钟的电路如图5右所示。这种情况下，外部时钟脉冲接到XTAL1端，即内部时钟发生器的输入端，XTAL2则悬空由于外部时钟信号是通过一个2分频触发器后作为内部时钟信号的，所以对外部时钟信号的占空比没有特殊要求，但最小高电平持续时间和最大的低电平持续时间应符合产品技术要求。空闲模式:在空闲工作模式状态，CPU保持睡眠状态而所有片内的外设仍保持激活状态，这种方式由软件产生。此时，片内RAM和所有特殊功能寄存器的内容保持不变。空闲模式可由任何允许的中断请求或硬件复位终止。终止空闲工作模式的方法有两种，其一是任何一条被允许中断的事件被激活，即可终止空闲工作模式。程序会首先响应中断，进入中断服务程序，执行完中断服务程序并仅随终端返
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