芯片工艺流程ppt课件.ppt

芯片生产工艺流程（课件）,1,单晶拉制（1）,2,单晶拉制（2）,3,单晶拉制（3）,4,单晶拉制（4）,5,单晶拉制（5）,6,环境和着装,7,单项工艺-扩散(1),卧式4炉管扩散/氧化炉,扩散/氧化进炉实景图,8,单项工艺-扩散(2),立式扩散/氧化炉,扩散/氧化进炉实景图,9,单项工艺-扩散(3),扩散工序作业现场,10,单项工艺-光刻(1),先进光刻曝光设备,11,单项工艺-光刻(2),现场用光刻曝光设备,12,单项工艺-光刻(3),检查用显微镜,13,单项工艺-光刻(4),清洗,淀积/生长隔离层,匀胶,（SiO2Si3N4金属）,-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶,14,单项工艺-光刻(5),前烘,对版,匀胶,-对每个圆片必须按要求对版,-用弧光灯将光刻版上的图案转移到光刻胶上。,-增加黏附作用-促进有机溶剂挥发,15,单项工艺-光刻(6),显影/漂洗,坚膜,腐蚀,-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。,-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。,去胶,-干法腐蚀/湿法腐蚀,16,单项工艺-光刻(7),光刻工艺过程,17,单项工艺-CVD（1）,18,单项工艺-CVD（2）,初级离子气体被吸收到硅片表面,19,单项工艺-CVD（3）,初级离子气体在硅片表面分解,20,单项工艺-CVD（4）,玻璃的解吸,21,单项工艺-CVD（5）,22,单相工艺-离子注入（1）,23,单相工艺-离子注入（2）,24,单相工艺-离子注入（3）,25,单相工艺-蒸发（1）,蒸发原理示意图,26,单相工艺-蒸发（2）,溅射原理示意图,27,单相工艺-蒸发（3）,28,单相工艺-清洗,29,基础认知,30,衬底材料,扩散层,外延层,单晶片,扩散片,外延片,31,一次氧化,sio,2,外延层,32,基区光刻,sio,2,外延层,33,干氧氧化,sio,外延层,2,34,离子注入,sio,外延层,2,杂质注入,35,基区扩散,sio,外延层,2,基区,36,发射区光刻,sio,外延层,2,基区,37,发射区预淀积,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,38,发射区扩散（*）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,39,发射区低温氧化（*）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,40,氢气处理,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,41,N+光刻（适用于P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,42,N+淀积扩散（适用P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,43,N+低温氧化（适用P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,44,氢气处理（适用P型片）,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,45,3B光刻,sio,外延层,2,基区,发射区,集电区,46,铝蒸发,AL,外延层,基区,发射区,集电区,47,四次光刻,AL,外延层,基区,发射区,集电区,48,氮氢合金,AL,外延层,基区,发射区,集电区,49,AL上CVD,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,50,氮气烘焙（适用N型片）,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,51,五次光刻,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,52,中测抽测,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,测试系统,53,减薄、抛光,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,减薄和抛光部分,54,蒸金/银,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,55,背金合金,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,56,芯片测试,SiO,外延层,基区,发射区,集电区,2,测试系统,57,N型片制造（一般）工艺流程,N型片投片和编批,一次氧化,基区光刻,干氧氧化,硼离子注入,基区扩散,发射区光刻,发射区磷预淀积,发射区扩散,发射区低温氧化,3次光刻,铝蒸发,氮氢合金,铝上CVD,五次光刻,氮气烘焙,中测抽测,背面合金,芯片测试,减薄/抛光,四次光刻,氢气处理,蒸金,58,P型片制造（一般）工艺流程,P型投片编批,一次氧化,基区光刻,发射区硼预淀积,磷离子注入,基区扩散,发射区光刻,发射区低温