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Stepper機台基本原理及操作簡介,FAB8A/PMA/PHOTO黃郁斌2/15/2000,大綱,1:PHOTO流程2:曝光原理3:機台簡介4:FAB流程5:機台操作6:晶片傳送和機台異常Reset7:機台Alarm處理8:不易對準處理9:測機注意事項10:Semi-Auto及操作異常相關處理程序11:名詞解釋,1.PHOTO流程,STEPPER,顯影機光阻機,SEMCD,AA,CD量測,AA量測,曝光圖形,ADI,2.曝光原理-PHOTO照相,合歡山連峰照,對準機曝光,照相機成像,PHOTO黃光,白光,暗房紅光,光譜,I-line,DUV,2.曝光原理-為什麼是黃光,3.機台簡介,DUV:0.25um以上可生產機台,共5台-EX14C:E11-2,E11-3,E11-4,E12-1-EX12B:E8-7I-line(5x):0.35um以上可生產機台,共15台-I14:I11-1,I11-5,I7-7-I12:F9-4,F9-5,F9-6對準機-I11:I7-1I7-6,I8-1I8-6I-line(2.5x):簡單層機台,共5台-4425i:O9-1O9-3,O-R1O-R3光源波長I-line:365nm的HgLampDUV(KrF):波長246nm的LaserR=K*波長/NA光阻機顯影機SEMAAADI,SIN,POLY,ILD,METAL,POLYCONTMETAL,SIN,POLYCONT,METAL,P+,N+P-WELL,P+,P-WELLPLDDN+,4.FAB流程,L7W01,SINP-WELLP-FIELDPOLYPLDDP+N+CONTMETAL1MVIA1METAL2MVIA2METAL3PAD,註1,5.機台操作1,註2,暫停,停止(曝光完成才停),恢復,註3,曝光順序,註4,操作權限,曝光條件,連線,Semi-Auto控制模式,生產,設定,資料,測機,生產,系統,5.機台操作1-註1,5.機台操作1-註2,Correction(補值),位移,晶片旋轉,晶片擠進擠出,晶片XY方向垂直性,MAG放大倍率,RR光罩旋轉,前層圖形,本層圖形,單位m,單位rad,單位ppm,單位rad,單位ppm,單位rad,單位:m=1x10mppm=1x10rad=1x10rad,5.機台操作1-註3,Exp.Method:Normal(標準曝法,依給之曝光條件)Test-2(Matrix曝法,為工程實驗)Matrix曝光方法:水平方向改變能量垂值方向改變Focus例:中心值700ms/0Step30ms/0.2曝光結果如下:,Alg.Method:EGA(EnhanceGlobalAlign)加強整片性對準1st(第1層對準,不做對準直接曝光)對準程序:Notchcheck=Search=EGA=曝光,5.機台操作1-註4,初始化或Reset,光罩傳送(1),光罩對準(2)或Baselinecheck(4),晶片傳送(3),晶片對準(5),曝光或量測(6),晶片曝光程序,對準名詞解釋光罩對準:光罩定位與機台對準Baselinecheck:光罩位置與Stage上之Alignsensor校正晶片對準:Stage上之晶片和機台對準Search:粗略對準,調整晶片位置後再做EGAEGA:精確對準,依量測結果曝光時做調整,對準機狀況,5.機台操作2,註5,機台動作訊息框,對準使用之Sensor,光罩對準,Sensor校正,Lens溫控,LSA:LaserStepAlignment(光繞射)FIA:FieldImageAlignment(影像處理),5.機台操作2-註5,(3,5):YEGAResult=-0.046(3,5):XEGAResult=-0.077EGAResult為程式設定的對準Mark和實際偵測之位置差距,目前設定為2m,若EGA讀取失敗(Fail)表示2m,請再從新試做Search對準座標:白色部份為(4,5)由左向右為X=4由上向下為Y=5,AA補值觀念1.派工進站(Stepper至PPMSAA補值資料庫下載參數,如註2)2.機台對準Search(調整晶片位置以做更精確對準)EGA(得到之結果Result,註5)3.曝光(AA補值=PPMS補值+EGAAA補值)4.KLA量測AA(量測結果由SYS自動修正AA補值在PPMS資料庫),晶片曝光程序-晶片對準(search,EGA)-Focus偵測&調整-Leveling偵測&調整-曝光(曝光時間*光源強度Integrator)單位:DUV(mj)I-line(msec),5.機台操作3,有Normal和Test-2兩種,I-line機台用msecDUV機台用mj,.Change&Alignreticle交換及光罩對準.AlignmentOnly只光罩對準.ChangeOnly只交換光罩.NoOperation不動作,已有晶片在Stage上則選Old,見機台操作4,5.機台操作4,.Pre-alignAssist(Head)第1片手拉對準並記憶.Pre-alignAssist(All)全部手拉對準.AutoPre-align自動Search對準,.AutoSearch.ManualSearch.SearchAssist,若要將Particle監測關掉則選NoIntershotFlatnessCheck,不讀光罩Barcode,.1st第1層曝光不做Search和EGA對準.EGA第2層以後對前層之加強性對準曝光,AA補值.Offset.Scaling.Orth.Rotation.ShotScaling.ShotRotation以上參考面板介紹1-註2之解釋,6.晶片傳送和機台異常RESET,LCReset後再執行LCTracking,7.機台Alarm處理,不易對準Search:OFRetry,Preset,ResetSystemparameterEGA:重做Search,Mark破損,訊號不佳IntershotFlatnessAlarmEGAresultovertoleranceScaling:5ppmOrth:3uradWaferrotation:20urad,8.不易對準-1,SearchMarkAD3(正常)F2S(正常)AC3(異常),EGAMarkFIA(正常)FIA(異常),LSA(正常),123a,Waferrotation太大,3b,3c,3d,8.不易對準-2,9.測機注意事項,FC2/SMPSpec:+/-0.1Controllimit:+/-0.07,超過Controllimit通知EQ處理FC2測機完後選擇Cancel不將結果補入機台,如果誤按到OK,請至Reset中ClearFocusCalibrationResult將補值清除平坦度測機時機連續3片IntershotAlarmADI檢查有連續性Particledefocus日常測機測機程式WFLAT_70.WFCP(間隔7mm)WFLAT_LD.WFCP(晶片左下/間隔5.5mm)WFLAT_LU.WFCP(晶片左上/間隔5.5mm)WFLAT_RD.WFCP(晶片右下/間隔5.5mm)WFLAT_RU.WFCP(晶片右上/間隔5.5mm)SpecDUV:相鄰兩點0.4um,Max-Min:2.0I-line:相鄰兩點0.6um,Max-Min:2.04425i:相鄰兩點1.2um,Max-Min:2.0,10.Semi-Auto及操作異常相關處理程序,無法派工無光阻程式/無對準程式(光罩版本)/沒有光罩指定機台/機台限制無法進站無曝光參數需重下程式(手動補值)SMP曝光(交換光罩)Semi-Auto斷線(例:對準前,自動下參數失敗)更改對準程式不需重下程式(無光罩交換只執行Continue)FC2測機/平坦度/量測SMP晶片面板顯示可派工,實際卻不行此類材料為因有機台操作Grouping限制,需再同一機台操作SiN=Wsi=Pvia例:DRAM,少部份SRAMExtended曝光此類程式已在程式內設定好曝光參數,11.名詞解釋,1.AA:AlignAccuracy,對準準確度.2.ADI:AfterDevelopInspection,顯影後目檢.3.CD:CriticalDimension,重要的線寬.4.Coater:光阻機,將光阻以旋轉的方式均勻的塗佈在晶片上.5.Defocus:曝光時焦距異常,將導致晶片上的光阻圖形變形.6.Developer:顯影機,利用顯影液將曝光後的光阻去除.7.DUV:波長246nm的光源8.Exposure:曝光,使光阻感光的過程.9.I-line:波長365nm的光源10.Mask(Reticle):光罩,內有欲移轉至晶片的圖形.11.PR