（凝聚态物理专业论文）cofecrpt双层膜交换偏置体系的研究.pdf

首都师范大学硕士学位论文摘要 摘要 铁磁层与反铁磁层的交换耦合在巨磁电阻效应的自旋电子学器件中有着广泛应用， 已经成为国际研究的热点。在g m r 和t m r 的物理、材料和技术应用中，铁磁反铁磁双 层膜之间的交换偏置起着至关重要的作用。本文中我们研究了c o f e c r p t 双层膜交换偏置 体系的磁性能及其影响因素。 制备样品时，我们采用共溅射的方法制备c r p t 合金膜，简化了制备工艺。经退火，成 份比为l ：1 的c r p t 合金可形成n 。化学有序相反铁磁材料，它对紧邻的铁磁层c o f e 产生大 约为2 0 0 e 的钉扎场。 对于共溅射制备的c o f d c r p t 双层膜，我们在界面处插入一层厚度为0 5 5 n m 的m n ， 改变反铁磁层的厚度和成份，研究影响交换偏置的因素。研究结果发现：界面结构、反铁 磁层成份、反铁磁层厚度相互影响，都对交换偏置的产生起重要作用。值得一提的是：在 c o f e c r p t 双层膜中，反铁磁层的成份为l ：l ，厚度为4 2 r i m 的样品，界面插入一层厚度为 0 5 5 r i m 的m n 时可得到1 5 0 0 e 的交换偏置场，比插m n 前增加了6 倍，同时矫顽力比插 m n 前有明显减小。 为了迸一步研究影响交换偏置的因素，我们在c r o 5 p t 0 5 合金膜中均匀掺m n 。实验结 果显示，掺b i n 量为4 左右时，c o f d c r p t 双层膜的交换偏置场由原来的2 0 0 e 增加到6 0 0 e 。 掺m n 量不足或过量时，交换偏置场会急剧下降。我们认为，适量的均匀掺m n 会促进c r p t 合金膜的有序化，增大了界面处原子磁矩。同时也可能形成了p t ( c r m n ) 有序相。 关键词：交换偏置c o f e c r p t 双层膜界面反铁磁 首都师范大学硕士学位论文摘要 a b s t r a c t e x c h a n g ec o u p l i n gb e t w e e n 龃a n t i f e r r o m a g n e t ( a f m ) a n daf e r r o m a g n e t ( f m ) a c 】t - o s st h e i r o o t n l ：n o l li n t e r f a c e , d u et oi t si n t r i g u i n gp h y s i c sa n dt h ek e yr o l ei ng i a n tm a g n c t o r e s i s t a n c ee f f e c t s p i n t r o n i cd e v i c e s , h a sa t t r a c t e dag r e a td e a lo fa t t e n t i o ni n 代：c 蹦ty e a r s i nt h i sd i s s e r t a t i o n , w o s t u d i e do nt h ee x c h a n g eb i a se f f e c to f c o f e c r p t t h ec o f e c r p tf i l m sw e r ep i q 娜同b yu s i n gd cm a g n e t r o ns p u t t e r i n g , t h ec ra n dp tw a s s p u t t e r e da l lt o g e t h e r a sd e p o s i t e d , c o f e c r p tl a y e r se x h i b i tn oe x c h a n g eb i a s a f t e rb e i n ga n n e a l e d a t3 5 0 cf o r5h o u r si nav a c u u m ，t h ec r p ts t a c kh a sb e e nt r a n s f o r m e di n t ou n i f o r mc r p ta l l o yf i l m w i t hl l op h a s e , w h i c h p i n st h ea d j a c e n tc o f el a y e rw i t hap i n m gf i e l do f 2 0o e w eh a v es t u d i e d0 1 1a n t i f e r r o m a g n e t i c l l o c r p tf i l ma sa p i n n i n gl a y e r w ef o u n dt h a tw h e n a n m n l a y e ri si n s e r t e db e t w e e nt h ec o o 9 f e o 1 f i l ma n dc r p tl a y e r , t h ee x c h a n g eb i a so ft h ec o f e c r p t f i l mi se n l a r g e ds i x f l o dr e a c h i n g 1 5 0 0 ea tr o o n lt e m p e r a t u r e a n df o r 趾e q u a lp i n n i n gf i e l d t h e t h i c k n e s so f a f mo f t h ef i l m 谢也i n t e r f a c i a lm na d d i t i o ni sl i t t l e m e a n w h i l e t h ee x c h a n g eb i a si s a l s od e p e n do nl 1 0c r p ta n da l la d e q u a t ea f mt i n c k n e s s l a s t l y , i nt h ec o f e c r p ts y s t e m , w ef o u n dt h a ta d d i n gm ni n t oc r p tf i l mb yi n s e r t i n gt h i nm n l a y e r s 雒o p t i m c mp i n n i n gf i e l do f - 一6 0 0 ec a n b eo b t a i n e d k e y ：e x c h a n g eb i u c o f e c r p td o u b l yf i l mi n t e r f a c e a n t i f e r r o m a g n e t 首都师范大学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取 得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰 写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。 本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名：陈红燕 辟红砻 日期：2 0 0 7 年5 月1 6 日 首都师范大学位论文授权使用声明 本人完全了解首都师范大学有关保留、使用学位论文的规定，学校有权保留学位论文 并向国家主管部门或其指定机构送交论文的电子版和纸质版。有权将学位论文用于非赢利 目的的少量复制并允许论文进入学校图书馆被查阅。有权将学位论文的内容编入有关数据 库进行检索。有权将学位论文的标题和摘要汇编出版。保密的学位论文在解密后适用本规 定。 学位论文作者签名：陈红燕 聪多工燕 日期：2 0 0 7 年5 月1 6 日 首都师范大学硕士学位论文引言 引言 当包含铁磁( f m ) ，反铁磁( a f m ) 界面的材料升温至奈尔温度以上再在磁场中冷却， 或者f m a f m 双层膜在磁场中生长，就会在铁磁材料中产生一个单方向的各向异性。在现 象上表现为其磁滞回线中心在所加外磁场方向偏离零磁场，同时矫顽力也显著增加。这种 现象称之为交换偏置现象。反铁磁材料给予铁磁材料的这个单方向钉扎场定义为交换偏置 场或钉扎场( 只。) ，其大小等于磁滞回线中心偏移量，如图i 。这个现象最初是在1 9 5 6 年由m e i l d e j o h n 和b e a n 在研究被反铁磁c o o 包裹的c 0 颗粒时发现的【”。 图i 交换耦合的f m a f m 双层膜的磁滞回线 在巨磁电阻器件的实用化过程和层同交换藕合中，f m a f i v l 双层膜之间的交换耦合起 着重要的作用。包含很多丰富的物理内涵。铁磁反铁磁交换耦合与铁磁层和反铁磁层材料、 厚度以及结构取向、温度、生长顺序及工艺条件等密切相关。 在迅速发展的自旋电子学领域里，利用交换偏置效应钉扎的铁磁薄膜被证明具有极大 的应用价值。其在自旋阀、隧道结新型存储器和传感器中的广泛应用，使得交换偏置日益 受到人们的重视及深入的研究。在实际应用中，要求制备钉扎场大，热稳定性好，抗腐蚀 能力强，制备工艺又简单的钉扎系统；同时，在理论上，尽管人们提出过多种不同的理论 模型来解释f m a f m 体系交换偏置的微观机制，但这些模型都只能解释某一些特定 f m a f m 体系或交换偏置现象的某一方面，到目前为止，关于交换偏置的起源仍然不是十 分清楚。因而，发展适合实际需要的f m a f m 交换偏置体系，理解交换偏置的形成机制 对巨磁电阻效应的应用和研究都具有非常重要的意义。 最近研究发现，用等原予比的具有n 。有序相的c r p t 反铁磁材料做为钉扎材料对c o f o 进行钉扎得到了较好的钉扎场，其抗腐蚀性和稳定性都非常好。c r p t 作为反铁磁材料因其 具有较大钉扎场和良好的抗腐蚀性被认为是理想的钉扎材料【引。本文将用共溅射的方法制 i j 兰型塑i ! ：! 登堡主兰堡堡兰 ! ! 童 备c r p t 合金膜，并以c r p t 合金作为反铁磁材料对c o f e 进行钉扎。系统地研究了c o f e c r p t 双层膜体系的交换偏置现象。 第一章为文献综述，介绍了g m r 效应和交换偏置。第二章介绍本研究中样品的制备及 分析测试原理。第三章为主要研究内容和结果讨论，包括：( 1 ) 共溅射法制备c r p t 合金膜 并对c o f e c r p t 钉扎体系进行研究；( 2 ) 界面插m n 对c o f e c r p t 双层膜交换耦合的影响： ( 3 ) m n 掺杂c r p t 对c o f e c r p t 双层膜交换耦合的影响。 首都师范大学硕士学位论文 第一章文献综述 第一章文献综述 1 1 交换偏置( e x c h a n g eb i a s ) 的研究进展和应用 1 9 8 6 年p g r u n b e r g 掣3 】在f e ，c 柙e 三明治结构中，发现f e 层之间可以通过c r 层进 行交换耦合，当c f 层厚度合适时，两f e 层之间存在反铁磁耦合作用【4 】。1 9 8 8 年a f e r t 掣5 】在用分子外延( m b e ) 的方法制备的( f e c r ) 多层膜中，发现在4 2 k 的低温下磁电 阻变化可达到5 0 ，远远超过了纯f e 层中的各向异性磁电阻，这种现象称为巨磁电阻现 象。 1 9 9 1 年，d i e n y 【6 1 提出磁性层( f i ) 非磁性隔离层磁性层( f 2 ) 反铁磁钉扎层( a f m ) 结构，称为自旋阀，并首先发现n i f d c u n i f e ，f e m n 多层膜具有低饱和场巨磁电阻效应。 在自旋阀中，f m a f m 间的交换偏置作用把一个铁磁层钉扎住，铁磁层之间没有或仅有非 常小的层间交换耦合，在很小的磁场作用下，未被钉扎的铁磁层磁矩能比较自由地转动， 由于磁矩是一致转动，有效地克服了巴克豪森噪音而达到了极高的信噪比，因而磁场灵敏 度极高。在磁记录中的读出磁头、g m r 随机存储器( 积a m ) 和g m r 磁传感器具有很好 的应用前景。 当具有不同磁有序结构的材料存在界面直接耦合作用时，会产生许多复杂而奇特的现 象。对于铁磁( f m ) 反铁磁( a f m ) 薄膜体系，在反铁磁奈尔温度以上在磁场冷却，或者 f m a f m 双层膜在磁场中生长，就会在铁磁材料中产生一个单方向的各向异性。由于铁磁 层磁矩与反铁磁层磁矩的界面交换耦合作用，磁滞回线的中心会偏离磁场的零点，同时矫 顽力h c 增大，这种现象称为“交换偏置”或“交换各向异性”。磁滞中心偏移量定义为交换偏 置场或者钉扎场这个现象最初是在1 9 5 6 年由u e t u 向o b 和b e a n 在研究被反铁磁c o o 包裹 的c o 颗粒时发现的【旧。对交换偏置效应的研究不仅有助于加深对其物理本质的理解，同 时具有重要的应用价值。九十年代以来，在迅速发展的自旋电子学领域里，利用交换偏置 效应钉扎的铁磁薄膜被证明在应用上非常重要，被广泛地应用于自旋阀、隧道结新型存储 器和传感器中，这也是反铁磁材料自发现以来的最重要的应用 首都师范大学硕士学位论文 第一章文献综述 1 2 影响交换偏置的因素 从实际应用的角度，铁磁( f m ) 反铁磁( a f m ) 薄膜体系需要满足以下几点要求：( 1 ) 足够的交换耦合场；( 2 ) 较好的热稳定性；( 3 ) 电阻率大；( 4 ) 化学稳定性好。从基本的 物理研究角度出发，我们要找到其影响因素并对这些因素加以控制以达到实用的要求。实 际上，影响交换耦合的因素比较复杂，下面我们简单介绍一下： 1 2 1 厚度的影响 ( 1 ) 铁磁层厚度 目前，对于各种交换偏置系统已做了大量的研究，发现如果反铁磁层厚度固定不变， 交换偏置场粗略地反比于铁磁层厚度( 见图1 2 1 ) h e x 土 t n a 这表明交换偏置是一种界面效应，这个关系对于适当厚度的铁磁层是成立的，前提条件是 该厚度要小于铁磁层畴壁尺寸。然而，如果铁磁层太薄，该关系不再成立【刀，这可能是由 于铁磁层变成不连续薄膜，对于连续的铁磁反铁磁双层膜，矫顽力总是随着铁磁层厚度的 增加而减少。显然矫顽力这一依赖关系就不能简单地理解为界面效应。由于矫顽力与铁磁 层和反铁磁层的生长质量、微结构及界面的缺陷分布密切相关，所以铁磁，反铁磁双层膜中 矫顽力增强的因素比较复杂，人们对此研究还比较少。 h - _ 一 ， 图1 2 - 1 交换偏置场鼠，及矫顽力对铁磁层厚度的依赖关系 ( 2 ) 反铁磁层厚度的影响 交换偏置与反铁磁层厚度的关系相当复杂，总的趋势是当反铁磁层的厚度大于菜一值 时，交换偏置场不再依赖于反铁磁层厚度的变化。然而，当反铁磁层的厚度减小时，交换 首都师范大学硕士学位论文第一章文献综述 偏置场急剧减下，最终对于较薄的反铁磁层，月0 变为0 ，图1 2 2 给出的例子说明了这种 现象。 图1 2 - 2 偏置场月k 和矫顽力j 对反铁磁层厚度的依赖关系 1 2 2 反铁磁层磁矩取向 铁磁层和反铁磁层的交换偏置是一种界面效应，普遍认为钉扎场应该强烈地依赖于 f m a f m 界面的电子自旋状况。为了研究这种效应，人们对一些f m a f m 系统做了深入 的研究，对于反铁磁层磁矩的取向有两种主要观点：一种是完全补偿与完全未补偿的反铁 磁表面；另一种是界面处的反铁磁自旋取向排列在界面平面内与不在界面平面内的观点。 由于很难测量f m a f m 界面的电子自旋，目前的讨论中只能假设反铁磁中存在整体自旋结 构( b u l ks p i ns t r u c t i | r e ) 。 1 2 3 界面对交换偏置的影响 ( 1 ) 粗糙度 对于一些反铁磁材料来说，交换偏置场对界面粗糙度并不敏彬8 1 或者交换偏置随界面 粗糙度的增加而增加，但对大多数的反铁磁材料来说，交换偏置场的值随界面粗糙度的增 加而减d 4 9 1 2 1 ，例如，在准外延f e f e f 2 双层膜中，钉扎场随着界面粗糙度的增加而迅速减 少，如图1 2 3 。对于另外一些系统，交换偏置场随着晶粒尺寸增加而增加 1 3 j 。最近，h w a n g 等人【1 町又指出反铁磁薄膜的粗糙度的梯度也会影响交换偏置场。 首都师范大学硕士学位论文第一章丈献综述 图1 2 - 3 界面耦合能a e 对界面粗糙度盯的依赖关系( f e f f e 双层膜) ( 2 ) 织构 许多文献报道【悼1 刀交换偏置场甄，随反铁磁层织构的增强而增加，但也有少数例外 1 s - t 9 ；另方面，随着薄膜生长条件的变化，另一个新的取r 甸- - i 能出现，这时系统偏置场 可能不按照任何特定的趋势发生变化。 ( 3 ) 晶粒度 晶粒尺寸对交换偏置的作用目前仍不清楚。研究结果表明：交换偏置场月二的大小依 赖于特定的f m a f m 系统和薄膜沉积条件。当晶粒尺寸发生改变时，其它有关参数实际上 也相应地受到影响。对于一些f l v l a f m 系统来说，系统偏置场王k 随晶粒度的增加而增加； 而对于另外一些f m a f m 系统来说，交换偏置场磊k 则随晶粒度的增加而减小2 0 】。 另外，影响交换偏置的因素还有反铁磁层的各向异性、截止温度、“磁锻炼”效应 ( t r a i n i n ge f f e c t ) 、铁磁层，反铁磁层矫顽力和冷却场等。正是由于多种因素影响着交换耦合， 所以使得理论分析非常复杂，因此到目前为止，没有一种模型能够很好的解释交换偏置现 象。 1 3 交换偏置机制 在实际电子器件中所用的交换偏置体系都是多晶的薄膜，但是为了模拟和计算的方便， 最初各种理论模型处理的都是一些简单系统，比如用分子束外延生长的原子排列非常有序 的体系，因为实验上相对比较容易控制和表征这些体系的界面结构，也比较容易区别它们 界面处反铁磁层的磁矩是补偿的还是非补偿的。所谓补偿的界面是指反铁磁层在界面处两 个次晶格原子磁矩方向刚好相反，净磁矩为零，非补偿的界面就是其净磁矩不为零。在此 一飞，l量馨口丁e日 首都师范大学硕上学位论文 第一章文献综述 基础上，人们后来也提出了几种针对多晶双层膜体系的交换偏置模型。虽然五十多年前 m e i l d e j o h n 和b o a n 【1 0 城发现了交换偏置现象，但直到今天它的微观起源仍未十分清楚。 自交换偏置现象发现以来，人们提出了几种针对双层膜体系的交换偏置模型。 1 3 i m e i k l e j o h n b e a n ( m - b ) 模型 m e i k l e j o h n 和b e a n 最初认为这种交换偏置效应来源于f m - a f m 界面处铁磁层自旋与 反铁磁层自旋的直接交换作用，是一种界面效应。当温度介于铁磁层的居里温度1 c 和反铁 磁层的n 6 d 温度t n 之间时，即t l r 玎q c ，施加一个外磁场使铁磁层磁矩沿外场方向排列， 此时反铁磁层磁矩随机排列，处于无序状态，所以总的耦合为零。当温度冷至t 和皿；图( c ) 为 i r m n c o f e 钉扎体系中界面插入f e m n 层的埋。( 儡) 和h 。；图( d ) 为温度不同的c o c r m n p t 中月：( 炜) 和f ：本实验含m n 量不同的c o f e c r p t m n q 】的玩。( 王) 和皿，如图3 3 - 4 。比 较以上几图可见：3 3 - 5 中图( a ) 和图( c ) 所示的矫顽力与钉托场变化趋势基本一致，而 图( b ) 和图( d ) 所示均表明矫顽力随钉扎场的增大而减小，最大的交换偏置场对应着最 小的矫顽力，而在钉扎场变大时矫顽力随之变小，这是与( a ) 、( c ) 中完全不同的规律。 我 们在图3 2 - 1 中可知，界面插m n 后的样品其钉扎场较插m n 前变大的同时矫顽力也变小了 最大的钉扎场对应着最小的矫顽力。虽然矫顽力与钉扎场之间的关系目前还不是很清楚， 但我们可以得到如下启发：( 1 ) 仔细分析以上例子，发现矫顽力与钉扎场变化趋势基本一 致的钉扎体系中有一个共同点，就是他们的变化是由于铁磁反铁磁层界面插入了某种杂质 而引起的。而矫顽力随钉扎场的变化趋势相反的钉扎体系中，其变化是由于反铁磁层被均 枷姗姗抛姗啪糯8 首都师范大学硕士学位论文第三章c o f e c r p t 双层膜交换偏置体系的研究 匀掺杂而产生的。可见，对界面进行优化的过程中会产生使矫顽力也增大因素，而对反铁 磁层进行优化时却产生的使矫顽力减小的因素。这两种增大交换偏置场的方法其物理机制 不相同。( 2 ) 在交换偏置和矫顽力受温度影响而变化时，其变化趋势与改变反铁磁层时是 相似的，我们可以认为温度对反铁磁层结构的影响大于对界面结构的影响。( 3 ) 在界面处 掺杂和在反铁磁层中掺杂似乎是相抵触的，但目前的实验现象又不能完全说明问题。试想， 若是我们同时在界面和反铁磁层中掺杂结果会如何呢? ( 因为某些客观原因，这个实验我 们没有做完) 如果这两种方式真是相抵触的就可能会出现交换偏置变小或者是增大幅度变 小的现象。 3 3 4 结论 关于通过掺杂来改变钉扎场或磁性能，已有几处报道 2 7 2 8 1 ，例如：把c r 掺入到f e m _ n ， i r m n 和n i m n 中以提高电阻率和抗腐蚀性，不过这会使钉扎性能也大大的降低，当c r 的 体积比超过5 时还会导致矫顽力急剧增大。适量的c r 掺入到p t m n 中对p t m n n i f o 的交 换偏置有增强作用。我们通过在c r p t 中掺入适量的m n 使c o f e c r p t 的交换偏置有了显著 提高。在c o f e p t c r 双层膜的反铁磁层c r p t 中掺入适量的m n 将促进c r p t 有序化进程， 使之形成更好的( 1 1 1 ) 织构，同时增强界面反铁磁层磁矩使钉扎场增大。这是因为适量的 m n 可以和c r p t 有效的结合形成有助于钉扎的p t m n 或是p t ( c r m n ) 有序相。但过量的 m n 会破坏c r p t 的化学有序性使钉扎场消失。 首都师范大学硕士学位论文第三章c o f e c r p t 双层膜交换偏置体系的研究 总结 本论文的主要工作如下： 1 采用共溅射的方法，研究了c o f c c r p t 钉扎体系中，成份对c r p t 反铁磁层有序 相形成，以及对体系交换偏置的影响；研究了反铁磁层厚度对交换偏置场的影响。 2 运用界面插入m n 的方法研究了界面对交换偏置的影响；同时改交界面和反铁磁 层的厚度，研究影响交换偏置场的各因素之间的关系。 3 在c o f e j c r p t 交换偏置体系中，利用多层膜掺杂的方式在c r p t 中掺入m n ，研究 了m n 掺杂对于体系交换偏置的影响。并讨论了交换偏置与矫顽力的关系。 以上工作的主要结果为： 1 利用共溅射控制成份的方法研究了成份对c r p t 反铁磁相形成的影响，当c r 、p t 的原子比为l ：l 时经退火形成了工l 。有序相的反铁磁材料c r p t 。此反铁磁材料与 c o f e 形成的钉扎体系c o f e , c r p t 具有良好的抗腐蚀性和热稳定性。c o f d c r p t 双层膜的交换偏置随着反铁磁层的厚度增大而增大。 2c o f e c r p t 体系，界面插m a 层能使其交换偏置场有显著提高( 插入0 5 5 r i m 的 m n 可以使钉扎场提高6 倍) 可以使较薄的反铁磁层产生较大的交换偏置场。 在插m n 的基础上增加反铁磁层的厚度仍能有效提高交换偏置场。实际上，界 面结构与反铁磁层结构和厚度相互影响，彼此相互促进有利于钉扎的结构形 成。 3 我们通过在c r p t 中掺入适量的m n 使c o f e j c r p t 的交换偏置有了显著提高。在 c o f e j p t c r 双层膜的反铁磁层c r t t 中掺入适量的m n 将促进c r p t 有序化进程， 使之形成更好的( 1 1 1 ) 织构，同时增强界面反铁磁层磁矩使钉扎场增大。 首都师范大学硕士学位论文 第三章c o f e c r p t 双层膜交换偏置体系的研究 参考文献 j d a u g h t o n , j m a g n m a g n m a t e r 1 9 2 ，3 3 4 ( 1 9 9 9 ) j n o g u e sa n di k s c h u l l e r , j m a g n m a g n m a t e r 1 9 2 ，2 0 3 0 9 9 9 ) m j c a r e ya n da e b e r k o w i t z a p p l p h y s l e f t 6 0 ，3 0 6 0 1 ：1 9 9 2 ) m l e d e r m a n , i e e et r a m m a g n 3 5 ，7 9 4 ( 1 9 9 9 ) t l t n d m a u r i n s t a u d , c h w a n g , j k h o w a r d , a n d g l g o r m a n , a p p l p h y s l e t t 6 5 ，1 1 8 3 ( 1 9 9 4 ) 【6 】s s o c y a , h h o s h i y a , r a r a i i ，a n dm f u y a m a ，j a p p l p h y s 8 1 ，6 4 8 8 ( 1 9 9 7 ) 【7 】t j k l e m m e r , v r i n t u r i ，m k m i n o r , a n dj a b a m a r d , a p p l p h y s 1 e t t 7 0 , 2 9 1 5 ( 1 9 9 7 ) 【8 】b d a i , j w c a i ，a n dw y l a ia p p l p h y s 8 7 ，0 9 2 5 0 6 ( 2 0 0 5 ) 9 1j n o g u e sa n di k s c h u l l e r , j m a g n m a t e r 1 9 2 ，2 0 3 ( 1 9 9 9 ) 【1 0 m l c d e t f f l a n ，i e e et r a m m a g n 3 5 ，7 9 4 ( 1 9 9 9 ) 【1 1 t d l e o n h a r d t ，y c h e n ，m r a o ，d e l a u g h l i n ，d n l a m b e t ha n dm h i h y d e rj c p d s c a r d3 4 - 0 7 0 7 【1 2 1 m j b e s m u sa n da j e m e y c c , p h y s s t a t s 0 1 ( b ) 5 s 5 3 3 ( 1 9 7 3 ) 1 3 1a i c d a s , t f q i t a a a s t h a n a , i c k a t o m t a k a t aa n dk e n - i c h io h s h i m a , j p h y s s o c i e t y o f j a p a n , v 0 1 7 4 ，n o 1 , j a n u a r y , 2 0 0 5 ，p p 4 9 8 - 4 9 9 【1 4 w h m c i l d e j o h na n dc p b e a n ，p h y s r e v 1 0 2 ，1 4 1 3 ( 1 9 5 6 ) 【1 5 w h m e i k l e j o h na n dc p b e a n ，p h y s r e v 1 0 5 ，9 0 4 ( 1 9 5 7 ) 【1 6 m e i k e j o h nw h ，b e a nc ee x c h a n g ea n i s e f f o p y - ar e v i e w 【j 】ja p p lp h y s ，1 9 6 2 ， 3 3 ：1 3 2 8 1 3 3 5 【l r lg o k c m c i j e rn ，a m b r o s en c h i a ncl l o n g - r a n g ee x c h a n g eb i a sa c r o s sas p a c e r l a y e r j 】p h y sr e x , l c t t ，1 9 9 7 ，7 9 ：42 7 0 42 7 3 【1 8 】m i l t 6 n y ip ，g i e r l i n g sm ，k e l l e rj e ta 1 d i l u t e da n t i f e r r o m a g n e t si ne x c h a n g eb i a s ： p r o o f o f t h ed o m a i ns t a t em o d e l j 】p h y sr e vl e t t , 2 0 0 0 ，8 4 ：42 2 4 42 2 7 【1 9 1b d a i ，j w c a i ，a n dw y l a ij a p p l p h y s 9 9 ，0 7 3 9 0 2 ( 2 0 0 6 ) 【2 0 】t a n gj , c a ijw , x o n gxt ，l 酝wy , z h ufw , 2 0 0 4a c t ap h y s s i n 5 3 , 2 7 2 ( i n c h i n e s e ) 滕蛟2 0 0 4 物理学报5 3 , 2 7 2 】 【2 1 1l n d e l , k n n p h y s p a r i s2 ，6 1 ( 1 9 6 7 ) 【2 2 1 d a n i e l em a u r i ，e r i ck a y , d a v i ds e h o l l ，a n dk e n th o w a r dj1 9 8 7 j a