矽片采购手册.doc

目录 太阳能级单晶硅片的规格要求2太阳能级多晶硅片的规格要求2太阳能级硅棒的规格要求3太阳能级多晶硅料规格要求4头尾料、锅底料、边角料 技术要求5太阳电池用晶体硅棒、片技术条件6切片11标志、包装、运输、贮存12专业术语中英文对照（全文翻译）12太阳能级单晶硅片的规格要求种类6英寸准方片8英寸准方片型号P型掺硼 P型掺硼电阻率（ohm.cm）0.5-3.0 （3.0-6.0） 0.5-3.0 （3.0-6.0）晶体硅片趋向10031003碳含量（atoms/ cm）5*10165*1016氧含量（atoms/ cm）1.0*10181.0*1018少子寿命(s)10 （20）10 （20）晶体硅片边长(mm)125*1250.5156*1560.5晶体硅片直径(mm)1501.0203.21.0厚度(m)22020/2702022020/27020总厚度变化(m)3030表面状况清洁无污点清洁无污点外观无裂痕无裂痕太阳能级多晶硅片的规格要求种类6英寸方片8英寸方片型号P型掺硼P型掺硼电阻率（ohm.cm）0.5-3.0 (3.0-6.0)0.5-3.0 (3.0-6.0)碳含量（atoms/ cm）8*10178*1017氧含量（atoms/ cm）1.0*10181.0*1018少子寿命(s) 2 (20)2 (20)晶体硅片边长(mm)125*1250.5156*1560.5斜面(mm)0.5-2.50.5-2.5厚度(m)22020/2702022020/27020TTV(m)300.5cmN型3cmP型0.5cmN型3cmP型0.5cmN型3cmP型0.5cmN型3cm 多晶料颗粒8mm以上（要求无石墨）样片料要求表面无严重氧化，厚度1mm以上碎片料要求表面无氧化，颗粒1cm以上氧含量1-2*1018 at/cm碳含量1*1017 at/cm太阳电池用晶体硅棒、片技术条件1、单晶硅棒1、单晶硅棒常规技术参数表1给出了单晶硅棒的常规技术参数。表1 单晶硅棒的常规技术参数掺杂元素导电类型晶向电阻率（）电阻率径向不均匀度RRV（%）位错密度OISF（个/2）非平衡少子寿命（s）B（硼）P30.532510P33625202、 晶硅棒的外形尺寸单晶硅棒材料的外形分为两种：圆棒、准方棒，见图1和图2。 图1 单晶硅圆棒 图2 单晶硅准方棒表2表3给出了单晶硅圆棒的直径和直径公差、单晶硅准方棒的外形尺寸和公差。 表2 单晶硅圆棒的直径和直径公差直径D（）直径公差（）长度L（）152-1，+3150202-1，+3200207-1，+3200表3 单晶硅准方棒外形尺寸和公差对边宽W（）对角D（）长度L（）圆弧长度A（）（注）方片角度1250.515015315029.526.0900.51560.52002032002218.5900.31560.52052082001613900.3注：圆弧A的圆心应与方形的中心同心，偏离不得大于0.5mm.2、多晶硅锭1、多晶硅锭常规技术参数表4给出了多晶硅锭常规技术参数。表4 多晶硅锭常规技术参数掺杂元素导电类型结晶定向电阻率（）电阻率不均匀度RRV（%）非平衡少子寿命（s）B（硼）PL方向0.52522、 多晶硅锭的外形尺寸表5给出了多晶硅方锭材料的外形尺寸。表5 多晶硅方锭的外形尺寸对边宽W()对角D ()长度L() 方片角度1250.51751150900.51560.52181200900.3多晶硅方锭的外形见图3。图3 多晶硅锭3、单晶硅片1、单晶硅片常规技术参数表6给出了单晶硅片的常规技术参数。表6 单晶硅片的常规技术参数掺杂元素导电类型晶向电阻率（）电阻率径向不均匀度RRV（%）位错密度OISF（个/2）非平衡少子寿命（s）B（硼）P30.532510P33625202、 单晶硅片的外形尺寸表7给出了单晶硅准方片的外形尺寸和公差。表7 单晶硅准方片外形尺寸和公差对边宽W()对角D()厚度(m)圆弧长度A（）（注） 方片角度片内厚度变化TTV（m）弯曲度BOW(m) 1250.51501532202029.526900.53040270251560.5200203220202218.5900.3270251560.5205208220201613900.327025注：圆弧A的圆心应与方形的中心同心，偏离不得大于0.5mm.4、多晶硅片1、多晶硅片常规技术参数表8给出了多晶硅片的常规技术参数。表8 多晶硅片常规技术参数掺杂元素导电类型结晶定向电阻率（）电阻率不均匀度（%）寿命（s）B（硼）PL方向0.52523、多晶硅片的外形尺寸表9给出了多晶硅方片的外形尺寸和公差。表9 多晶硅方片外形尺寸和公差对边宽W()对角D ()厚度(m)倒角（） 方片角度片内厚度变化TTV（m）弯曲度BOW(m) 1250.5175122020145900.53040270251560.5218122020900.327025单晶硅准方片和多晶硅方片的外形见图4和图5。图4 单晶硅准方片 图5 多晶硅方片5、 单晶棒、片中的反型杂质浓度表10给出了单晶硅棒、片中的反型杂质浓度要求。Q/ZDGF 01-001-2005表10 单晶硅棒、片的反型杂质浓度单晶类别反型杂质浓度（原子/ -3）A级B级C级CZ-P型0.53ND1.11012ND1.51013ND2.21013CZ-P型36ND11012ND2.21012ND510126、硅晶体棒、片中的金属杂质浓度和氧、碳含量以及外观质量要求表11给出了晶体硅棒、片中的金属杂质浓度和氧、碳含量。表11 晶体硅棒、片中的金属杂质浓度和氧、碳含量杂质种类铜（ppb）铁（ppb）镍（ppb）锰（ppb）钠（ppb）氧（原子/3）碳（原子/3）杂质含量0.15551单晶硅CZ-Si1101851016多晶硅MC-Si1101881017表面无明显刀痕，无凹坑，无穿孔，无沾污，无手印。边缘无缺口。 不超过侧面厚度三分之一，长度小于0.5毫米，向表面内的宽度小于0.2毫米的崩边每片少于两个。一 、切片1、 目前我公司已洽谈确定切片加工价格以及出片率（2006.4.30）6英寸单晶硅棒 7.8元/片 58片/24.3mm 硅片边长: 125*125mm 厚度 200m8英寸单晶硅棒 16元/片 54片/24.3mm 硅片边长: 125*125mm 厚度 220m注：6英寸单晶硅棒 24.3 mm为1公斤 边皮料返还硅棒重量的14%8英寸单晶硅棒 12.88mm为1公斤 边皮料返还硅棒重量的18%2、切割液的成分为金刚沙，先切方后滚磨， 滚磨的损耗少， 目前线切割可切IC级单晶硅棒。二、相关核算1、根据硅片价格核算硅棒价格计算公式6英寸单晶硅棒价格= (硅片价格+X每片加工费用) * 出片数 8英寸单晶硅棒价格= (硅片价格+X每片加工费用) * 出片数X = 边皮料价格（元/公斤）* 边皮料返还效率/出片数注：这里的“出片数”是指每公斤硅棒出片数。2、太阳能电池的表面积、电池功率 125*125单晶 表面积148.57cm2 125*125多晶 表面积156.25 cm2 156*156单晶 表面积241.10cm2 156*156多晶 表面积243.36 cm2（基数*0.1*转换效率=单片电池功率）三、标志、包装、运输、贮存1、标志（1）包装盒上至少印有如下标志：制造厂名、产品名称、产品型号或标记、产品数量、制造日期、生产批号、检验标记。（2）外包装印有正放置、防潮、防晒和防震标志。2、包装（1）硅片内包装硅片用软质海绵分隔放置在小包装内，每个小包装袋内的硅片不多于300片。再将小包装放置在瓦楞纸包装箱内。（2）硅棒内包装内包装采用塑封袋包装，袋装的硅棒再用软质海绵分隔放置在瓦楞纸包装箱内。每个纸箱包装一根硅棒。（3）外包装对于批量出售和长途运输的硅片、硅棒，要外加木质箱包装，防潮、防晒、防震动，箱内有产品清单。3、运输在有外包装的情况下进行运输，汽车运输应有较好的减震装置。4、贮存储存条件为通风、干燥、相对湿度小于60%，温度不高于42。要求单放。四、专业术语中英文对照（全文翻译）中文：参见第2页内容English:Data Sheet Monocrystalline Silicon WaferSize6 inch8 inchTypeP-typeP-typeResisitivity(Ohm.cm)0.5-3.0（3.0-6.0）0.5-3.0（3.0-6.0）Orientation(Degree)10031003Carbon conc.（atoms/ cm）5*10165*1016oxygen conc.（atoms/ cm）1.0*10181.0*1018Lifetime(s)10 (20)10 (20)Dimensions (mm)125*1250.5156*1560.5Diameter1501.0203.21.0Thickness(m)22020/2702022020/27020Total Thickness range3030Surfaceclean,free from stainsclean,free from stainsVisualno cracksno cracksData Sheet Multicrystalline Silicon WaferSize6 inch8 inchTypeP-typeP-typeResisitivity(Ohm.cm)0.5-3.0 (3.0-6.0) 0.5-3.0 (3.0-6.0)Carbon conc.（atoms/ cm）8*10178*1017oxygen conc.（atoms/ cm）1.0*10181.0*1018Lifetime(s)2 (20)2 (20)Dimensions (mm)125*1250.5156*1560.5Thickness(m)22020/2702022020/27020Thickness Tolerance (m)3030Surfaceclean,free from stainsclean,free from stainsVisualno cracksno cracks中文：参见第3页内容English:Data Sheet Single Crystal Silicon IngotSize8 inch6 inchDiameter Range+3/-1 mm+3/-1 mmTypeP-typeP-typeCrystal qualitydislocation freedislocation freeOrientation(Degree)10031003Resisitivity(Ohm.cm)0.5-6.0ohm.cm0.5-6.0ohm.cmLifetime(s)10s10sRRV25%25%oxygen conc.（atoms/ cm）1* 1018 at/cm1* 1018 at/cmCarbon conc.（atoms/ cm）1*1017 at/cm5*1016 at/cmDislocation Density3000 at/cm23000 at/cm2中文：参见第4页内容English:A. Solar grade polysiliconTechnical requirements:1. Si Purity: 99.9999%2. Boron0.20 ppba3. Donor0.90 ppba4. Carbon1.00ppba5. Total bulk metals30.00ppba6. Total surface metals0.50ohmcmB. Semi grade scrap silicon chip Technical requirements:1. Semi grade scrap silicon chips2. Chips should be in ark3. The thickness of the chip is not less than 400 um4. Type:P-type5. Resistivity0.50ohmcmC. Polysilicon in small piecesTechnical requirements:1.N-type ,Resistivity50ohmcm,Carbon5*1016 /cm3 ,Oxygen100ohmcmBoron:P-type,Resistivity1000ohmcmLife time of a few carriors 100usCarbon5*1016 /cm3Oxygen30mm3. Oxidized layers and infusible materials should not exist, best to be clean materialsE. Zone refined top-and-tail siliconTechnical requirements:1.N-type, Resistivity 0.5-50ohmcm, Life time of a few carriors 100us2.Chunk size30mm3.Air holes should not be included, no contamination by the contact with the wire loop and moreover no drift