化学工程与工艺毕业设计（论文）-In2O3纳米粉体的不同制备方法及其气敏性能的研究.doc

学号 0503224008 InIn2 2OO3 3纳米粉体的不同制备方法及其气敏性能的研究纳米粉体的不同制备方法及其气敏性能的研究 学院名称 化学与环境科学学院 专业名称 化学工程与工艺 年级班别 2005 级化工班 姓 名 指导教师 2009 年 05 月 河南师范大学 本科毕业论文 河南师范大学本科毕业论文 I In2O3 纳米粉体的不同制备方法及其气敏性能的研究 摘 要 以 In NO3 3 4 5H2O 为原料 采用室温固相合成法 溶剂热法 微乳液法 溶胶凝胶法 化学共沉淀法 均匀沉淀法等六种不同方法制备 In2O3纳米粉体 并对其气 敏机理进行简要分析 通过 X 射线衍射分析 XRD 手段对粉体物相进行表征 计算粉 体粒径 结果表明以上六种方法得到的 In2O3粉体粒径分别为 9 89nm 23 07nm 22 69nm 14 74nm 9 30nm 22 38nm 采用静态配气法测定材料的 气敏性能发现所得粉体均对 Cl2 具有良好的气敏性能 以均匀沉淀法制备的 In2O3为基体 的气敏元件性能最佳 在 110 的工作温度下对 100ppm Cl2气体的灵敏度高达 1175 并 且具有良好的选择性 响应 恢复时间短等特性 最后对 In2O3纳米材料进行展望 关键词 In2O3 纳米粉体 制备 气敏性能 河南师范大学本科毕业论文 II Gas sensing properties of nanostructured In2O3 powder based sensor synthesized with different methods Abstract This paper introduces several methods of the preparation of In2O3 nano powder with In NO3 3 4 5H2O as raw materials including solid phase synthesis at room temperature solvothermal method microemulsion method sol gel method chemical co precipitation method homogeneous precipitation method and a brief analysis of gas sensing mechanism was done Its phase was analyzed by XRD The calculation shows that particle size of In2O3 nano powder prepared by the six methods were 9 89nm 23 07nm 22 69nm 14 74nm 9 30nm 22 38nm The gas sensing properties of the materials were tested in static state The results show that the In2O3 nano powder has high sensitivity to Cl2 In2O3 nano powder prepared by homogeneous precipitation method has a high sensitivity as high as 1175 to 100ppm Cl2 at lower working temperature 110 The sensor based on In2O3 also has satisfactory selectivity quickly response and short recover time Finally the prospect of In2O3 nano materials was foreseen Keywords In2O3 nano powder preparation gas sensing properties 河南师范大学本科毕业论文 III 目 录 摘 要 I Abstract II 前 言 1 1 实验部分 2 1 1 试剂与仪器 2 1 2 实验方法 2 1 2 1 室温固相合成法 2 1 2 2 溶剂热法 2 1 2 3 微乳液法 3 1 2 4 溶胶凝胶法 3 1 2 5 化学共沉淀法 3 1 2 6 均匀沉淀法 3 2 气敏元件的制备 老化及测试 3 2 1 气敏元件的制备及老化 3 2 2 气敏元件的测试 4 3 结果与讨论 5 3 1 样品的 XRD 测试 5 3 2 气敏性能的测定 6 3 2 1 制备方法对元件灵敏度的影响 6 3 2 2 加热温度对元件灵敏度的影响 7 3 2 3 气体浓度对元件的灵敏度的影响 7 3 2 4 元件的选择性 8 3 3 气敏元件的响应 恢复特性 9 4 气敏机理探讨 9 5 结论与展望 11 参考文献 13 致 谢 15 河南师范大学本科毕业论文 1 前前 言言 随着科技的发展 工业生产中使用的气体原料及在生产过程中产生的气体数量和种 类越来越多 Cl2 H2S NO2 煤气 天然气等多种有毒和可燃气体不仅污染环境 而 且可引起爆炸 火灾 存在使人中毒的危险 随着人们对健康认识的不断提高 人们在 日常生活 工业生产中不断加强了防范意识 1 近年来 各国研究者在半导体气敏传感器 的研究与开发方面做了大量工作 SnO2 TiO2 ZnO Fe2O3等半导体金属氧化物作为 气敏材料已被广泛使用 目前 半导体气敏传感器已发展成一大体系 In2O3作为新的 n 型半导体气敏材料 以其优良的气敏特性 也已引起研究者的关注 在气敏传感器的应用方面不断拓展 文献报道最早见于 1967 年 我国的研究起步较晚 最早见于 1995 年 2000 年前后出现较大量的文献报道 In2O3与 SnO2 ZnO Fe2O3相 比 具有较宽的禁带宽度 较小的电阻率和较高的催化活性等特点 In2O3较小的电阻率 可以降低气敏材料的功耗 因此可以应用到可燃气体 有毒气体的检漏报警 环境气体 的监控等领域 由于纳米 In2O3具有块状材料所不具备的表面效应 量子尺寸效应 小 尺寸效应和宏观量子隧道效应 等许多优异的性能 研究开发相关材料和器件 以实现 对各种有毒 有害气体的探测 对易燃气体进行报警 对大气污染 工业废气的检控 具有十分重要的意义和实用价值 In2O3的制备及应用成为了近几年国内外科技研究的 热点之一 2 11 纳米 In2O3粉体的制备方法通常有化学沉淀法 12 溶胶凝胶法 13 脉冲激光沉积 14 法 气相沉积法 15 沉淀法 16 室温固相反应法 17 电弧放电共沸蒸馏法 18 减压 挥 发氧化法 19 熔化雾化燃烧法 20 高压喷雾分解法 21 模板法 22 等 本文采用了 In2O3 纳米粉体的几种简便的化学制备方法 包括室温固相合成法 溶剂热法 微乳液法 溶 胶凝胶法 化学共沉淀法 均匀沉淀法等六种方法 用 XRD 对材料进行表征 计算表明 粉体粒径均在纳米范围 通过气敏性研究发现 几种方法制备的 In2O3纳米材料对氧化性 气体如 Cl2具有较好的气敏性能并进一步分析其敏感机理 有望进一步开发对各种氧化性 气体更加灵敏的 In2O3气敏元件 以有效防止恶性事件的发生 河南师范大学本科毕业论文 2 1实验部分实验部分 1 1 试剂与仪器试剂与仪器 实验试剂 In NO3 3 4 5H2O 分析纯 国药集团化学试剂有限公司 NaOH 分析纯 天津市化学试剂三厂 柠檬酸 分析纯 天津市东丽区天大化学试剂厂 聚乙二醇600 分析纯 天津市光复精细化工研究所 无水乙醇 分析纯 北京化工厂 氨水 分析纯 洛阳市化学试剂厂 尿素 分析纯 天津市科密试剂开发中心 聚氧乙烯十二烷基醚 正辛烷 正己醇 均为分析纯 实验仪器 电热鼓风干燥箱 天津市中环实验电炉有限公司 马弗炉 上海电机集团实验电炉厂 电子天平 梅特勒 托利多仪器有限公司 气敏元件测试系统 河南汉威电子有限公司 D8 X射线衍射仪 德国布鲁克公司 KQ2200DB型数控超声波清洗器 昆山市超声仪器有限公司 真空抽滤机 巩义市英峪仪器厂 聚四氟乙烯衬底40mL的反应釜 1 2 实验方法 1 2 1 室温固相合成法 准确称取适量的 In NO3 3 4 5H2O 和 NaOH 摩尔比 1 3 放入玛瑙研钵中 充分混 合后研磨 30min 超声波分散 抽滤 干燥得到前驱体 In OH 3 置于马弗炉中 600 煅烧 两小时 生成 In2O3粉体 1 2 2 溶剂热法 称取适量的 In NO3 3 4 5H2O 聚乙二醇 600 无水乙醇 放入烧杯中 搅拌 15min 后转入高压反应釜中 140 反应 12h 自然冷却至室温 抽滤 干燥即得 In2O3粉体 将 河南师范大学本科毕业论文 3 粉体三等分 其中两份分别在 500 600 煅烧两小时 1 2 3 微乳液法 准确量取聚氧乙烯十二烷基醚 正辛烷 正己醇各 2mL 均匀混合 25 乳化温度 下搅拌均匀 滴加 In NO3 3溶液充分乳化 然后在乳化液中滴加氨水 充分搅拌 得黄 色半透明液体 抽滤 干燥 600 煅烧两小时 研细即得到 In2O3粉体 1 2 4 溶胶凝胶法 将 In NO3 3 4 5H2O 配制成 0 25mol L 的溶液 加入少量柠檬酸助剂 60 恒温搅拌 下缓慢滴加氨水 至 PH 6 时形成良好溶胶 80 水浴干燥 得到凝胶 120 干燥 得 到干凝胶 将其于 600 煅烧两小时 研细即得到 In2O3 粉体 1 2 5 化学共沉淀法 称取适量的 In NO3 3 4 5H2O 配制成溶液 采用双滴加料将氨水和 In NO3 3溶液滴 入盛有一定量去离子水并 60 恒温的烧瓶中 维持 PH 8 持续搅拌至完全形成白色的 In OH 3胶状沉淀 静置陈化 超声分散 抽滤 干燥 600 煅烧两小时即得 In2O3粉体 1 2 6 均匀沉淀法 将 In NO3 3 4 5H2O 配制成一定浓度的溶液 70 恒温 用尿素作沉淀剂 搅拌下 滴加 70 左右的尿素溶液 维持 PH 8 至生成 In OH 3白色沉淀 静置陈化 抽滤 干 燥 600 煅烧两小时即得 In2O3粉体 2 气敏元件的制备 老化及测试 23 2 1 气敏元件的制备及老化 取适量600 2h条件下煅烧的不同方法制备的纳米In2O3粉体 分别加入适量的松树 油粘合剂 充分研磨均匀 涂敷到缠绕铂丝电极的陶瓷管表面 600oC条件下 热处理 2h 然后陶瓷管中放置加热用的镍铬丝 制成旁热式气敏元件 为了防止涂敷的不均匀 等原因影响气敏性能的测定 每种样品涂制两个气敏元件 图1所示为元件的结构示意图 河南师范大学本科毕业论文 4 图 1 元件结构示意图 为了提高元件的稳定性 将元件进行老化处理 即将气敏元件在 300 条件下 于老化台 上老化 240h 2 2 气敏元件的测试 气敏性能测试在在HWC 30A汉威元件测试系统上完成 该系统采用静态配气法 通过测试气敏元件串联的负载电阻上的电压来反映气敏元件的敏感特性 元件的加热电 压可在较大范围内调节 负载电阻为可换插卡式 负载电阻与虚拟电阻应相等 以空气 为稀释气体配置不同浓度的待测气体 测试样品对这些气体的灵敏度 基本原理是 提 供气敏元件加热电源Vh 回路电源Vc 通过测试气敏元件串联的负载电阻RL上的电压 Vout来反映气敏元件的特性 元件的灵敏度分别用S Ra Rg 还原性气体 和S Rg Ra 氧化性气体 表示 其中Ra Rg 分别为元件在空气中和在被测气体中的电阻值 图2 气敏元件的测试系统原理图 河南师范大学本科毕业论文 5 3 3 结果与讨论结果与讨论 3 1 样品的样品的 XRD 测试测试 图 3 样品的 XRD 图谱分析 1 室温固相合成法 2 化学共沉淀法 3 均匀沉淀法 4 溶胶凝胶法 5 溶剂热法 6 微乳液法 图 3 为样品的 XRD 图谱 如图所示 六种方法制备的粉体均为 In2O3 由室温固相 合成法 化学沉淀法和溶胶凝胶法制备的 In2O3纳米材料的 XRD 图谱均与标准图谱卡号 JCPDS PDF 06 0415 几乎相符 而均匀沉淀法 溶剂热法和微乳液法制备的 In2O3纳米材 料的 XRD 图谱与标准图谱相比 仅存在峰的偏移 但偏移小于 1 有图谱可知均匀沉淀 法 溶胶凝胶法 溶剂热法 微乳液法制得的粉体峰形尖锐 结晶较完善 室温固相合成 法 化学共沉淀法所得峰形较宽 粒径小 结晶不够完善 XRD 图谱同时表明用溶剂热 河南师范大学本科毕业论文 6 法可以一步合成 In2O3纳米粉体 本实验测定未煅烧 经过 500oC 煅烧 600oC 煅烧的 In2O3粉体粒径分别为 11 31nm 13 07nm 23 07nm 结果表明粉体粒径随煅烧温度的增 加逐渐大 由 Scherrer 公式 D k cos 计算可知 六种样品的粒径分别为 9 89nm 9 30nm 22 38nm 14 74nm 23 07nm 22 69nm Scherrer 公式中 D 表示晶粒 在垂直于 hkl 晶面方向的平均厚度 为射线波长 为 Bragg 角 半衍射角 为衍 射线的本征加宽度 用衍射峰极大值一半处的宽度表示 单位为弧度 3 2 气敏性能的测定 3 2 1 制备方法对元件灵敏度的影响 0 200 400 600 800 1000 1200 灵敏度 制备方法 均匀沉淀法 固相合成法 溶剂热法 微乳液法 化学沉淀法 溶胶凝胶法 图 4 元件灵敏度与制备方法的关系 1 溶剂热法 2 室温固相合成法 3 微乳液法 4 溶胶凝胶法 5 均匀沉淀法 6 化学共沉淀法 图 4 为不同方法制备的 In2O3粉体制得的气敏元件在 110 工作温度下对 100ppmCl2 的灵敏度关系曲线 如图所示 室温固相合成法 溶剂热法 微乳液法 溶胶凝胶法 化学共沉淀法 均匀沉淀法制备的粉体对 100ppmCl2灵敏度分别为 51 315 1 532 1 654 15 624 1175 491 186 562 结果表明用均匀沉淀法所得的 In2O3 元件对 Cl2的灵敏度最高 可达 1175 化学沉淀法所得的 In2O3元件 Cl2灵敏度也较高 达到 174 而溶胶凝胶法 溶剂热法 微乳液法制备的元件在此条件下灵敏度相对较低 分别为 11 136 3 511 1 该结果除与制备方法有关 实验条件的控制 元件的制备过程 河南师范大学本科毕业论文 7 等因素也是影响灵敏度数据的因素 3 2 2 加热温度对元件灵敏度的影响 图5 元件灵敏度与加热温度的关系 图5为均匀沉淀法制备的In2O3粉体制得的气敏元件在不同工作温度下对 100ppmCl2的灵敏度关系曲线 我们测定了元件在不同加热温度下 600 煅烧2h的元 件灵敏度随着加热温度的升高大致呈现先高后低的趋势 其最大值出现在110 附近 低温时 元件灵敏度较高 而元件在高温工作时 元件表面的氧化反应速度较快而限 制了气体的扩散 使得元件表面被测气体的浓度减小 而引起元件灵敏度的降低 工 作温度对灵敏度的影响较大 在测试范围内 灵敏度均随加热温度的升高而呈现下降 趋势 存在一个最大值 此值对应的加热温度即为最佳加热温度 分析可知 在低温区 由于体系的能量小于其施主电离能E0 因此显示出低导电 性能 随着工作温度的升高 体系获得足够的能量可以克服施主电离能E0 其载流子 浓度骤增 电导变大 呈现出主要靠电子导电的n型半导体特征 3 2 3 气体浓度对元件的灵敏度的影响 图6 元件灵敏度与气体浓度的关系 河南师范大学本科毕业论文 8 图6为均匀沉淀法制备的In2O3粉体制得的气敏元件在110 下对不同浓度Cl2的灵敏度 关系曲线 如图所示 当Cl2浓度较低时 元件灵敏度较小 随着Cl2浓度的增加 元件吸 附的Cl2分子越多 在较低浓度范围内 元件的灵敏度随Cl2浓度增加 上升缓慢 当Cl2气 体的浓度为50ppm时 灵敏度已达到25 当氯气气体的浓度为100ppm时 灵敏度急剧上 升 达到1175 491 空气中氯气含量最高允许浓度为1mg m3 可见In2O3气敏元件可以满 足检测低浓度的Cl2气体的要求 3 2 4 元件的选择性 图 7 元件对不同气体的灵敏度 图7为均匀沉淀法制备的In2O3粉体制得的气敏元件在110 下对100ppm不同气体的灵 敏度关系曲线 选择性是气敏元件的另一个重要参数 理论要求是在相同的体积分数条 件下 对所被检测气体之一有较好的灵敏度 而对其他种类的气体的灵敏性能较低或者根 本没有灵敏性能 则证明此材料具有良好的选择性 选择性是气敏元件最需要解决的问 题之一 气体传感器的选择性高低用选择性系数来表示 它表示气体传感器对被检测气 体的识别以及对干扰气体的抑制能力 其表示方法如下 K Sl S2 其中 S1为材料对检 测气体的灵敏度 本实验中 检测气体是Cl2 S2为元件对干扰气体的灵敏度 实验中 选择的干扰气体为NO2 H2S 甲醛 氨水 汽油 乙醇 如图7所示Cl2对干扰气体 NO2 氨水 H2S 乙醇 汽油 甲醛的选择性分别为 60 1000 1000 1000 1000 1000左右 经过多次测试 发现该元件的气敏性能重复 性也较好 有望开发为具有高选择性的Cl2敏感元件 河南师范大学本科毕业论文 9 3 3 气敏元件的响应气敏元件的响应 恢复特性恢复特性 图 8 元件的响应 恢复曲线 图8 分别为均匀沉淀法制备的In2O3粉体制得的气敏元件在110 250 工作温 度下对100ppmCl2的响应 恢复曲线 气敏元件的响应恢复特性也是衡量元件气敏性能好坏 的一个重要指标 定义响应时间tres为元件接触被测气体后 负载电阻R1上的电压由U0变化 到U0 90 Ux U0 所需的时间 恢复时间trev为元件脱离被测气体后 负载电阻RL上的电 压由U0恢复到U0 10 Ux U0 所需的时间 U0为元件在空气中时负载电阻上的电压值 Ux为元件在被测气体中时负载电阻上的电压值 根据响应恢复定义并计算可知 元件响 应时间为7s 测试范围内无恢复 元件响应时间为5s 恢复时间为5s 可见 虽然温度 增加 灵敏度下降 但有利于恢复 4 敏感机理探讨敏感机理探讨 气敏元件的气敏效应机理是一个复杂的问题 尚处于探索阶段 一般认为 气体的 吸附和解吸会导致半导体表面能带结构的畸变 使宏观电阻值发生变化 半导体气敏元件 灵敏度高 结构简单 使用方便 价格低廉 自60年代问世以来发展迅速 n型半导体在 检测时阻值随气体浓度的增大而减小 在 200 300 温度它吸附空气中的氧 形成氧 的负离子吸附 使半导体中的电子密度减少 从而使其电阻值增加 当遇到有能供给 电子的氧化性气体时 原来吸附的氧脱附 而由 氧化性气体以正离子状态吸附在金 属氧化物半导体表面 氧脱附放出电子 气体以正离子状态吸附也要放出电子 从而 使氧化物半导体导带电子密度增加 电阻值下降 气体不存在时 金属氧化物半导 体又会自动恢复氧的负离子吸附 使电阻值升高到初始状态 半导体气敏传感器是 基于金属氧化物与气体发生作用电导率变化来检测气体的 当气体分子吸附在半导 河南师范大学本科毕业论文 10 体的表面 电子在半导体和吸附质之间发生传递 电子传递的结果是在半导体表面形 成电荷耗尽层 引起能带弯曲使逸出功和电导率产生变化 用来解释对氧化 性气体的 敏感 氧化物半导体传感器相似的敏感机理 24 26 涉及In2O3基纳米材料气敏特性的 主要过程有 对氧分子的吸附和离子化 对待测气体分子的吸附和离子化 对纯的 In2O3 存在带1个或2个电荷的氧空位缺陷 可以作为吸附位 是导致气体敏感的原 因 27 这里对Cl2 NO2气敏机理进行 简要分析 牛新书等 28 认为 In2O3具有 n 型半导体的特征 当In2O3暴露于空气中会吸附 空气中的O2 化学反应如下所示 O2 e O2 ads 在一定温度下 O2发生化学吸附从 In2O3中夺取电子形成吸附态的 O2 O 和O2 等 从而使n型半导体电阻增加 当 In2O3遇到氧化性气体 Cl2电导会降低 其机理为 由于材料在不同热处理的过程中反应生成大量的氧空位 VO In3 OOx 1 2O2 g VO In 在室温时对其周围价带电子捕获形成的电中性氧空位VOx电离 VO 2 e VOx VOx VO e VO VO e 随温度升高 元件电导急剧增加 高于一定的温度时 G值达最高 当 In2O3暴 露于空气中时 由于吸附氧从材料导带获取电子而发生价态转换 O2 gas O2 ads O22 ads 2O ads 2O2 ads 材料电导呈整体下降 当 In2O3处于Cl2气氛中时 由于Cl2具有强氧化性 吸附以 Cl2为主 Cl2从 In2O3表面或者晶粒间界夺取电子 材料表面载流子数目减少 从而 电阻增加 随着温度的升高 吸附的氧气及氯气分子会以游离的形式解析 1 2 Cl2 gas e Cl ads 吸附的电子又重新回到半导体表面 从而减小了电导的降低 达到检测的目的 M Ivanovskaya 等 29 认为 对 NO2的敏感机理有以下两个过程 化学吸附 化 学吸附氧的解吸 第一个过程 河南师范大学本科毕业论文 11 NO2 gas Z s ZO s NOgas 在 In2O3中In3 和F是吸附中心 Z s 第二个过程 O2 解吸 ZO s 2 Z s O2 gas 反应是通过 O2的浓度控制的 当温度较高时更加突出 反应限制了 NO2在氧化物表 面的解吸 影响材料气敏性能的机制有两种 1 材料本身的表面微结构 如表面氧吸附量决 定了空间电荷的量 2 材料中电子传导机制 烧结后的颗粒以颈部相连 颈部的宽度 是阻碍电子运动的主要因素 它主要取决于粒径的大小 比较几种方法制备的 In2O3粉体对气体的气敏性能可以看出 采用不同方法制备的 In2O3对气体的气敏性能有很大差异 各种方法均有其优点 实验制备过程控制好实验条 件至关重要 气敏性能的测定关键要涂好元件 控制煅烧温度和时间 本实验选择 In NO3 3 4 5H2O 为原料采用均匀沉淀法制备的 In2O3粉体 不仅颗粒小 而且具有气敏 性能好 工作温度低 适用工作温度范围宽等优点 因为均匀沉淀法是利用某一化学反 应 使溶液中的构晶离子由溶液中缓慢 均匀的释放出来 避免了沉淀剂局部过浓的不 均匀现象 通过添加均相沉淀剂尿素 使尿素在 70 左右发生水解生成 NH4OH 得到的 氨水使溶液呈现碱性 从而使铟盐中的 In3 沉淀 另外 实验采用溶剂热法一步合成了 In2O3 省去了生成 In OH 3的中间过程 无需煅烧 简化了 In2O3的合成工艺 合成 In2O3与传统化学沉淀法合成 In2O3的气敏性能经过对比 发现灵敏度 选择性以及稳定 性均优于化学沉淀法合成材料 利用这种方法所得到的纳米颗粒晶化好 粒度小 粒径 分布窄 团聚程度轻 所以 近年来利用水热 溶剂热法制备纳米材料受到人们的广泛关 注 5 结论与展望结论与展望 本实验采用六种化学方法制备 In2O3纳米粉体 室温固相合成法 溶剂热法 化学共 沉淀法制得的 In2O3粒径较小 均匀沉淀法制备的粉体所得的气敏材料对 Cl2的气敏性能 最佳 以所得 In2O3材料制备了旁热式烧结型气敏元件 元件的最佳工作温度是 110 对 Cl2有较好的灵敏度和较好的响应 恢复时间 可望进一步开发为用于化工生产及环境 监测方面的新型氧化性气体敏感材料 河南师范大学本科毕业论文 12 目前 寻求新的气敏材料和通过对现有气敏材料进行改性 以提高其灵敏性和可靠性 成为研究的热点 1 虽然In2O3气敏机理是一个复杂的问题 它不仅涉及吸附理论 表面 物化反应 表面状态及半导体电子理论等知识 而且同一反应往往是多种机理共同起作 用 同时 其气敏性能与氧的存在是分不开的 从催化氧化反应的角度出发推测气固反 应机制 研究气敏效应 可以洞悉反应机理 深入研究反应动力学 对改进气敏性能 开发新型半导体气敏材料及掺杂物质都有着重要的指导意义 相信In2O3将会成为下一个 气敏材料研究的热点 随着其新的气敏特性的不断发现和应用 对半导体气敏材料和气 体传感器的发展将产生明显地促进作用 因此在贯穿绿色化学 化工的理念的前提下 改进已有的工艺条件 开发新的工艺条件制备性能优异的In2O3纳米材料 使其更好的造 福于人类 河南师范大学本科毕业论文 13 参考文献参考文献 1 王修智 蒋民华 神奇的新材料 材料卷 M 济南山东科学技术出版社 2007 201 2 Jaswinder Kaur Rajesh Kumar and M C Bhatnagar Effect of Indium doped SnO2 nanoparticles on NO2 gas sensing properties 2007 3 3 常剑 蒋登高 詹自力等 半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述 M 4 吴玉锋 田彦文 韩元山等 气体传感器研究进展和发展方向 J 计算机测量与控制 2003 11 10 731 734 5 李平 余萍 肖定全 气敏传感器的近期进展 J 功能材料 1999 30 2 56 62 6 Liu Xingqin Xu Zhengtiang Liu Yafei et a1 Sens Actuators B 1998 52 273 279 7 N Hongshi C Viriyaworasakul P Mangkorntong et al Ethanol sensor based on ZnO and Au doped ZnO nanouries 2007 8 詹自力 纳米 In2O3 气敏性能及其气敏机理研究 D 郑州 郑州大学 2004 年 9 孙良彦 刘正绣 常温振荡式 CO 气敏元件的研制 J 传感器技术 1995 1 10 13 10 徐甲强 刘艳丽 牛新书 室温固相合成 In2O3及其气敏性能研究 J 无机材料学报 2002 17 2 67 70 11 徐甲强 刘艳丽 牛新书 贵金属催化剂对氧化铟气敏特性的影响 J 功能材料 1999 29 增 627 630 12 李晶 陈世柱 纳米 In2 O3的制备与结构表征 J 中国粉体技术 2003 9 1 33 35 13 全宝富 刘凤敏 李爱武等 sol gel 法制备低阻 In2 O3膜 J 功能材料 2001 32 4 407 409 14 Mulali A Brave A Leppert V J et al Synt hesis andcharacterization of indium oxide nanoparticles J NanoLett 2001 1 6 287 289 15 Gagao udakis E Bender M Do uloufakis E et al The In2O3 fluence of depo sition parameters on room temperature ozone sensing properties of InOx J Sens Actuators 2001 B80 155 161 16 王廷富 潘庆谊 程知萱 In2O3薄膜及纳米颗粒制备进展 J 材料导报 2001 15 8 45 47 17 徐甲强 刘艳丽 牛新书 室温固相合成 In2O3 及其气敏性能研究 J 无机材料学报 2002 17 2 367 370 18 张永红 陈明飞 彭天剑 共沸蒸馏制备氧化铟粉体及性能研究 J 湖南有色金属 2002 18 4 26 28 19 于汉芹 ITO 超细粉末的研制 J 有色金属 冶炼部分 1999 2 45 48 20 陈世柱 尹志民 黄伯云 用喷雾燃烧法制备 ITO 纳米级粉末的研究 J 有色金属 2000 52 2 88 90 21 王玉棉 王胜 侯新刚等 并流沉淀法制备纳米 ZnO 粉体 J 有色金属 冶炼部分 2003 6 43 46 河南师范大学本科毕业论文 14 22 Li Y B Bando Y Golberg D Single Crystalline In2O3 nanotubes filled with In J Adv Mater 2003 15 7 8 581 585 23 Zhang Gong Liumei lin Effect of Particle Size and Dopant on Properties of SnO2一based Gas Sensors J Sensors and Actuators B 2000 69 1 2 144 152 24 Shukla S Seal S Ludwig L et al Nanocrystalline indium oxide doped tin oxide thin film as low temperature hydrogen sensor J Sens Actuators B 2004 97 256 265 25 Wang YD WU X H Su Q et al Ammonia sensing characteristics of Pt and SiO2 doped SnO2 materials J Solid State Eletronics 2001 45 347 350 26 Lampe U Gerblinger J Me