热发射扫描电镜技术规格及要求.doc

热发射扫描电镜技术规格及要求热发射扫描电镜技术规格及要求1、设备组成、布置方式及用途说明1.1设备名称：热发射扫描电镜1.2数量：一套1.3场发射扫描电镜主要由以下部分组成：主机：热场发射扫描电镜附件：电制冷能谱(EDS)与EBSD一体化系统；离子束镀膜仪；精密切割机；半自动研磨/抛光机；振动抛光机。1.4推荐布置方式：开放式布置。1.5.电镜主要用于材料的微观形貌观察，要求该设备可以直接对导电（金属材料、半导体材料）和不导电的材料（陶瓷、塑料、玻璃等）进行观察，以满足研究近似原始状态下相关样品的观察和分析需求；配上能谱仪，可对材料的微区成分进行定性和定量分析及元素线扫描和面分布分析；配上EBSD，可通过实时采集背散射电子以及标定背散射电子衍射花样，快速获取逐点的晶体学结构信息，分析研究材料的晶体取向、微观织构及其相关的材料性能等。1.6.能通过程序控制实现自动化检测。2、技术指标要求2.1.场发射扫描电镜FESEM场发射扫描电镜作为最关键部件，要求选用国际知名品牌产品。投标文件应对所选用场发射显微镜品牌、特色及技术指标给予详细描述。1性能参数1.1分辨率二次电子像（SE）15KV1nm1KV1.6nm分析模式（EDS或EBSD分析）15KV3nm背散射电子像（BSE）30KV2.5nm1.2放大倍数30-800,000放大倍数误差3 %调节自动放大倍数修正功能，放大倍数预设功能；连续可调1.3加速电压0.2-30KV调节连续可调1.4探针电流（束流范围）4pA-100nA稳定度优于0.2%/h调节连续可调1.5成像模式二次电子像；背散射电子像调节模式二次电子和背散射电子成像系统可以任意比率混合， 自动调节和手动调节亮度、对比度 2电子光学系统2.1电子枪（灯丝）标书需详细描述本产品的电子光学系统特点具有自动对中和启动电子枪功能；在显示器中显示全部发射器参数的状态信息；灯丝寿命优于两年。2.2透镜控制系统需在标书上详细说明透镜控制系统；实现了大小样品的高分辨率。取代机械式可调光阑，避免机械上的误差和人为的误操作。2.3物镜光阑物镜光栏应能自加热自清洁；无需拆卸镜筒即可更换物镜光阑；光阑寿命优于两年。2.4电子束位移扫描旋转、动态聚焦和倾斜校正补充，图像旋转连续调整，工作距离改变自动旋转补偿；样品倾斜时自动聚焦并修正。3样品室3.1样品台五轴马达驱动，同时保留各轴手动，移动范围：X50mm；Y50mm；Z25mm；T-5+70；R=360连续旋转，电脑控制全对中旋转控制，内置样品防撞警报器3.2样品室最大可装载直径不小于150mm样品；兼容性高，预留了EDS、EBSD以及其他标准扩展接口。3.3重复性重复性：2 m； 3.4稳定性最小步长：90 nm；漂移：在稳定20min后，在 360 s内（样品台不倾斜），样品台漂移小于 40 nm； 3.5样品台控制样品台移动：在屏幕图形上用鼠标控制及操纵杆控制；灵敏度与放大倍数相协调；样品台导航：由模拟样品台移动的Smart SEM 图形来进行；接触报警：与屏幕上的信息同时进行音响报警。4检测器4.1镜筒内二次电子检测器一个和背散射电子检测器各一个；样品室二次电子检测器一个和背散射电子检测器各一个4.2样品室红外CCD相机一个5电脑控制、数字图像记录系统和标准应用软件5.1配置与EDS和EBDS的数据连接通道； 5.2具有自动控制功能：自动真空控制、自动调节饱和电流、透镜光阑对中、自动调焦、加速电压偏压自动补偿、电子束大小电流自动调整、自动调整扫描速度（根据信噪比）、自动调整对比度&亮度、自动消像散。5.3图像处理：最大像素不小于40963536像素。图像显示：单幅图像显示或4帧图像（SE和BSE,混合像，CCD像）同时显示，双分屏显示（显示电镜工作参数）；图像记录: TIFF, BMP或JPEG; 几何量实时测量（任何倍率下误差低于3%以下)；标准配备多种测量软件工具；图像存取和管理软件；操作软件内建帮助软件，协助使用者查询相关操作步骤；具有产品控制和数据处理的其他标配功能。5.4电镜控制操作软件。6控制和数据处理系统6.1基于以太网架构的数据传输系统；Intel双核控制和操作计算机系统（要求标书需明确配置）； Windows XP操作系统；中央处理器：CPU：Intel P4 3.2GHz。内存：3.45G；外界接口：串行、并行、SCSI、USB 2.0接口、网络；硬盘1000GB；CD、DVD刻录；显示器：19英寸LCD显示器（标书需明确厂家与型号）7真空系统7.1涡轮分子泵，离子泵，前级机械泵；换样时间：300秒（高真空模式）；电子枪室真空度10-7Pa数量级； 样品室真空度：高真空模式下10-4Pa数量级。8工作条件和安装要求8.1电源:220V/50Hz；运行环境温度:15-25度； 运行环境：相对湿度99%的标定成功率。1.4（*）取向精准度任何扫描速度下，获得优于0.3 度的取向精准度，并可同时给出数据可用性的量化指标；2（*）数据库系统具有专用的EBSD和ICSD数据库；具有人工建立数据库和添加源于XRD的通用数据库功能。3（*）软件功能与能谱联合使用，具备图像采集系统：具有SEM成像功能，可支持多种SEM图像类型，图片尺寸不低于40964096；具备EBSD花样自由采集，无标样自动系统校准功能，拥有极图与反极图，取向分布，相区分与鉴定，能够分析晶界织构，以及EDS和EBSD的同步分析，离线数据再处理等软件包；标书需详细提供产品功能的软件特点。4（）计算机提供通讯连接和高性能计算机工作站，保证解析的高速度；标书需详细提供产品功能的特点。2.3附件：离子束镀膜仪功能：适用于不同材质的试样表面喷镀导电层。主要技术指标：1. 样品能够快速镀膜，只产生极小的热量；2. 控制样品旋转和摇摆速率，确保样品镀膜均一；3. 样品载台适用于各种SEM样品；4. 配有测膜厚度装置（FTM），能够连续测量沉积速率；5. 提供多种材质（C、Pt、Au、Cr）的靶材；6. 隐藏在腔体内的耙材完全与溅射污染物隔离；7. 可选配第二个耙材交换仪器即可再增加两个耙材，可在保持真空的情况下极短时间内选择两个可用耙材中任意一个。2.4附件：精密切割机功能：适用于不同材质的试样取样，包括陶瓷，金属，稀土材料，复合材料，生物材料等；能自动完成试样的切割，并有良好的切割效果，试样损伤小；对于失效分析的试样能精确定位切割。主要技术指标：1. 工作功率: 1/8 HP（92瓦）直流马达2. 刀片转速: 0-975 RPM连续可调，步长1RPM3. 刀片尺寸: 75mm(3英寸)-178mm（7英寸）4. 安装孔尺寸: 1/2 (12.7毫米) 5. 最大切割直径: 40毫米6. 自动切割开关，滑动筹码配重系统(0-500g)7. 数字式样品定位系统，定位精度0.1mm8. 带有可拆卸的防护罩，可进行全自动封闭切割9. 内装切割片精整装置10. 标准配置包含所有连接管线, 工器具及操作手册11. 耗材配置冷却液（950ml）及金刚石刀片（152x0.50x12.7）。12. 工作环境: 220V/单相2.5附件：半自动研磨/抛光机功能：通过选用不同的研磨/抛光介质，完成从粗磨至精抛的样品制备过程主要技术指标：13. 磨盘工作功率：750瓦14. 自动工作头功率：116瓦15. 磨盘直径：250mm16. 底盘转速： 10-500 转/分钟, 转动方向可调17. 自动工作头转速：30-60转/分钟, 转向可调节, 以在必要时增加切削速度18. 压力模式：同时具有单点力(5-45牛顿)和中间力(20-260牛顿)两种模式19. 触摸面板控制20. 水流出口, 出水大小/方向可调节21. 安全性能：紧急停车旋钮; 22. 所有夹具可方便且快速的与工作头装配或拆卸, 以满足频繁的清洗和显微观察要求23. 气动压力控制, 稳定安全24. 面板控制: 压力模式, 压力大小, 工作头转向, 工作时间, 水流开关25. 外形尺寸及设备重量:506 X621X653mm , 175磅 (85KG)26. 工作环境: 220V/50Hz，气压85psi (6bars)，清洁自来水2.6附件：振动抛光机功能：