电子电路基础.doc

单项选择题5、图示电路是（B ）电路。A微分电路 B积分电路 C指数电路 D对数电路16、图示电路是（A ）电路。A微分电路 B积分电路 C指数电路 D对数电路7、电路如题图所示，电路引入(B )负反馈。（2 分）A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联11、电路如题图所示，电路引入(C )负反馈。A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联12、电路如题图所示，电路引入(D )负反馈。A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联13、电路如题图所示，电路引入(B )负反馈。A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联14、电路如题图所示，电路引入(A )负反馈。A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联6、电路如题图所示，电路引入(B )负反馈。A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联1、当PN结外加正向电压时，内外电场方向（ A）。A相反 B相同 C不确定2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流（ A）。A增大 B减小 C不变 D无法判定3、基本微分电路的电容器接在运放电路的（ C）。A反向输入端 B同向输入端 C反向端与输出端之间 D输出端4、负反馈使放大电路增益下降，增益稳定性(A )。A提高 B下降 C不变 D不确定6、锗二极管的死区电压是（ A）。（2 分）A0.10.2V B0.5V C0.7V D0.6V9、在本征半导体中掺入5价元素就成为（ B）型半导体。AP型半导体 BN型半导体 CPN结 D纯净半导体10、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（C ）负反馈。A电流负反馈 B电压负反馈 C直流负反馈 D交流负反馈14、在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻Rb的数值，容易出现（B ）失真。A饱和 B截止 C低频 D交越15、欲将方波转换成三角波，应选用（B ）。A微分运算电路 B积分运算电路 C差分输入运算电路 D乘法电路16、当PN结外加反向电压时，扩散电流（B ）漂移电流，耗尽层变宽。A大于 B小于 C等于 D不确定17、在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（C ）（2 分）A晶体缺陷 B温度 C杂质浓度 D掺杂工艺18、二极管两端电压大于（B ）时，二极管才导通。（2 分）A击穿电压 B死区电压 C饱和电压 D放大电压19、在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻Rb的数值，将使静态工作点（A ）。（2 分）A升高 B降低 C不变 D不定20、负反馈使放大电路增益(A)。（2 分）A增大 B下降 C不变 D不确定3、基本积分电路的电容器接在 运放电路的（ C）。A反向输入端 B同向输入端 C反向端与输出端之间 D输出端6、要提高放大电路的输出电阻，可采用（ A）A电流 B电压 C直流 D交流9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A）。（2 分）A大 B.小 C相等 D无法判定12、PN结具有（B ）导电特性。A双向 B单向 C不确定13、在放大电路的耦合方式中，（ B）低频特性最好。（2 分）A变压器耦合 B直接耦合 C阻容耦合 D光电耦合14、当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。（2 分）A增大 B减小 C不变 D无法判定15、影响放大器高频特性的原因是（C ）。（2 分）A极间耦合电容 B发射极旁路电容 C三极管结电容 D温度18、集成运算放大器采用耦合方式是（B）（2 分）A变压器耦合 B直接耦合 C阻容耦合 D光电耦合19、在固定偏置放大电路中，当RC、RB的参数分别为（B ）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的=100。（2 分）A5.6k、10k B5.6k、510k C5.6k、10M D100k、1M1、N型半导体可以在纯净半导体中掺入(C )价元素实现。（2 分）A3 B4 C5 D64、测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于(B )（2 分）A放大状态 B截止状态 C饱和状态 D击穿状态8、PNP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 （C ）（2 分）AUC UE UB BUB UC UE CUC UB UE DUB UE UC11、要减小放大电路的输入电阻，可采用（B ）（2 分）A串联 B并联 C电流 D电压5、为了提高放大器输出电流的稳定性，并降低此放大器对前级电路的影响，应采用（C ）负反馈。（2 分）A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联9、在开关型稳压电路中，调整管工作在（D ）状态。A放大 B饱和 C截止 D开关12、要提高放大电路的输入电阻，可采用（ A）A串联 B并联 C电流 D电压13、影响多级放大器低频特性的原因是（A ）。（2 分）A极间耦合电容 B三极管放大倍数 C三极管结电容 D温度15、稳压二极管在正常稳压工作时是处于（B ）工作区间。A正向导通 B反向击穿 C反向截止 D正向死区6、在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于（ ）A硅PNP型 B硅NPN型 C锗PNP型 D锗NPN型参考答案：B8、当PN结外加反向电压时，内外电场方向（ B）。A相反 B相同 C不确定16、在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V，11.3V，0V，则该管属于（ A）A硅PNP型 B硅NPN型 C锗PNP型 D锗NPN型17、测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为1.7V,1.9V,-6.5V, 则可判断该管属于（B ）。A锗NPN型 B锗PNP型 C硅NPN型 D硅PNP型6、在本征半导体中掺入3价元素就成为（A ）型半导体。AP型半导体 BN型半导体 CPN结 D纯净半导体7、半导体中的少数载流子产生的原因是( D)A外电场 B内电场 C掺杂 D热激发8、当PN结外加正向电压时，扩散电流（ A大于）漂移电流，耗尽层变窄。（2 分）A大于 B小于 C等于 D不确定10、硅二极管的死区电压是（B ）。A0.10.2V B0.5V C0.7V D0.6V11、测得三极管发射结正偏，集电结正偏，此时该三极管处于(C )（2 分）A放大状态 B截止状态 C饱和状态 D击穿状态12、测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于(A )A放大状态 B截止状态 C饱和状态 D击穿状态17、在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V、3V、6V，则该管属于（ A）A锗NPN型 B锗PNP型 C硅NPN型 D硅PNP型18、测得某放大电路中三极管三管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V，则三极管的三个电极分别是（B ）。A(E、C、B) B(E、B、C) C(B、C、E) D(B、E、C)19、在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V，则这只三极管属于（C ）A硅PNP型 B硅NPN型 C锗PNP型 D锗NPN型测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V，UB=3.7V，UE=3V，则该管工作在（ C）A放大区 B截止区 C饱和区 D击穿区填空题1、固定输出的三端集成稳压器为使调整管工作在放大区，输入电压比输出电压至少应高(2-3)伏。2、桥式整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的(0.9)倍。（2 分）3、三极管放大电路三种组态中，希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用(共集电极 )组态。24、桥式、含有电容滤波的整流电路，其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的(1.11.2)倍。25、(微分)运算电路可以实现将方波转换成尖脉冲波。26、三极管放大电路三种组态中，共集电极组态没有电压放大作用。27、零点漂移的产生原因是温度变化。28、集成运放工作在非线性应用时，必须在电路中引入正反馈或开环状态。30、集成运放工作在线性应用时，必须在电路中引入负反馈。21、环境温度升高时，半导体材料的导电能力会增强。23、纯净半导体中掺入微量的某种杂质，会使半导体的导电性能增强。24、电流源电路在集成运放中常作为偏置电路，作用是为差分电路提供偏置电流，抑制零点漂移。25、在温度升高时，本征半导体中载流子的数量将增加。26、差分放大电路的基本功能是对差模信号的放大作用和对共模信号的抑制作用。27、本征半导体参与导电通常有两种载流子。28、空穴为N型半导体的少数载流子。29、空穴为多数载流子的杂质半导体称为P型半导体。30、共模抑制比KCMR越大，表明电路抑制零点漂移的能力越强。（2 分）21、当本征半导体温度升高时，电子和空穴的数目都增加。23、P型半导体的多数载流子为空穴。25、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。29、当半导体材料受光照射时，其导电能力会增加。在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻Rb的数值，容易出现（饱和 ）失真。PNP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 （UC UB1的放大器。30、单相半波整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的 0.45 倍。差分放大电路有4种输入输出应用方式27、在纯净半导体中掺入杂质或升高温度，都会使半导体的导电性能增强。问答题1、理想运放的线性区有哪两条重要结论？虚短 U-=U+虚断 Ii-=Ii+=02、试分析图示电路为什么不能放大正弦交流信号并说明改正方法，设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（A)集电极信号被旁路。去掉C2。（B）基极信号被旁路。去掉C2。3、试分析图示电路为什么不能放大正弦交流信号并说明改正方法，设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（A） 电路集电极C2错误，其将输出信号旁路。应取消C2（B） （B) 电路不符合发射结正偏，集电结反偏原则。可将晶体管换成NPN管（或将电源电压极性取反，但同时要更改电解电容的极性）。4、试分析图示电路为什么不能放大正弦交流信号并说明改正方法，设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（A）基极信号被旁路。须去掉C3。（B）集电极没有直流偏置。将C2取消。5、功率放大器的主要技术要求有哪些？1.效率尽可能高；2.具有足够大的输出功率；3.非线形失真尽可能小。6、集成运算放大器有几部分组成？说明各部分电路的作用。由差分输入级、电压放大级、输出级和偏置电路构成。差分输入级抑制零点漂移，电压放大级负责高增益，输出级实现带负载能力强，偏置电路向各级电路提供稳定偏置电流。7、试述分压式偏置电路中Re和Ce的作用。Re为反馈电阻，稳定静态工作点。Ce为射极旁路电容，使电路在稳定静态工作点同时，放大倍数不下降。8、放大电路的组成原则有哪些？1.要求放大电路发射结正偏，集电结反偏；2.输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输入电极，并形成变化的基极电流iB，进而产生晶体管的电流控制关系，变成集电极电流iC的变化；3.输出回路的设置应当保证晶体管放大后的电流信号能够转换成负载需要的电压形式；4.信号通过放大电路时不允许出现失真。9、集成运算放大器输入级和输出级电路及采用的理由。（输入级采用差分电路，目的是抑制零点漂移。输出级采用射极输出器或互补对称功放电路，目的是具有较强的带负载能力。10、放大电路为何要设立静态工作点，其高低对电路有何影响？晶体管输入特性曲线是非线性的，若不设置静态工作点，但信号输入时，基极电流就从曲线的原点处开始变化，基极电流波形将发生畸变而造成输出波形失真。静态工作点设置不合适会出现饱和失真或截止失真。静态工作点过高会出现饱和失真，静态工作点过低会出现截止失真。11、试分析图示电路能否放大正弦交流信号，若不能则说明改正方法，设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（A ) 能够构成低频放大电路。注意：Cb不影响信号的传输。（B) 集电极无直流偏置。可将C2删除。12、放大电路的组成原则有哪些？1.要求放大电路发射结正偏，集电结反偏；2.输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输入电极，并形成变化的基极电流iB，进而产生晶体管的电流控制关系，变成集电极电流iC的变化；3.输出回路的设置应当保证晶体管放大后的电流信号能够转换成负载需要的电压形式；4.信号通过放大电路时不允许出现失真。13、试分析图示电路能否放大正弦交流信号，若不能则说明改正方法，设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（10 分）（A ) 能够构成低频放大电路。注意：Cb不影响信号的传输。（B) 集电极无直流偏置。可将C2删除。14、什么是交越失真？什么电路中会出现？如何克服？（10 分）出现在过零处的失真现象成为交越失真；乙类功放电路；甲乙类互补功放。15、与一般电压放大器比较，功放电路在性能上有什么不同点？（10 分）参考答案从完成任务的角度和对电路的要求来看，它们之间有着很大的差别。低频电压是在小信号状态工作，动态工作点摆动范围小，非线形失真小，因此可用微变等效电路法分析和计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能指标，一般不考虑输出功率。而功率放大电路是在大信号情况下工作，具有动态工作范围大的特点，通常只能采用图解发进行分析，而分心的主要性能指标是输出功率和效率。16、放大电路耦合方式有什么要求？（10 分）耦合后，各级仍具有合适静态工作点。保证信号在级与级之间能顺利而有效地传输出去。耦合后，多级放大嗲路的性能指标必须慢需实际负载的要求。填空题17、与一般电压放大器比较，功放电路在性能上有什么不同点？（10 分）从完成任务的角度和对电路的要求来看，它们之间有着很大的差别。低频电压是在小信号状态工作，动态工作点摆动范围小，非线形失真小，因此可用微变等效电路法分析和计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能指标，一般不考虑输出功率。而功率放大电路是在大信号情况下工作，具有动态工作范围大的特点，通常只能采用图解发进行分析，而分心的主要性能指标是输出功率和效率。18、简述射极输出器的特点与应用（10 分）参考答案1.输入信号和输出信同相；2.无电压放大作用，有电流放大作用；3.输入电阻高、输出电阻低。4.适用于输入级、输出级，以及阻抗匹配的缓冲级。19、简述共发射极放大电路的性能特点与应用（10 分）1.输出信号和输入信号相位相反；2.有电压放大作用，有电流放大作用；3.功率增益最高（与共集组态和共基极组态比较）；4