提高习题 -模拟集成电路.doc

模拟集成电路1电路如图1a所示，用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。设1，VCC= VEE=10V，VBE=0.6V。求电流Io的值。若ro(rce)=100kW。与图b电路比较，该电路有何优点？ (a) (b)图12电路如图2所示，设T1、T2的特性完全相同，且rce Re2，re R，求电流源的输出电阻。 图23电路如图3所示，NMOS管的参数为：VT=1V，Kn = 50mA/V2，ln =0。PMOS管的参数为：VT =1V，KP = 25mA/V2，l = 0,设全部管子均运行于饱和区,试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。图34图4是由P沟道MOSFET管T2，T3组成镜像电流源作为有源负载，N沟道MOSFET管T1构成共源放大电路。当rds1 = rds2 = 2MW，VT1=1V，导电系数K =100 mA/V2，IREF =100 mA，求Av。 图45在图5所示的射极耦合差分式放大电路中，+VCC10V，VEE10V，Io1mA，ro25k（电路中未画出），Rc1Rc210k，BJT的200，VBE0.7V；（1）当vi1vi20时，求IC、VE，VCE1和VCE2；（2）当vi1vi2时，求双端输出时的Avd，和单端输出的Avd1，Avc1和KCMR1的值。图56电路如图6所示，Re1Re2100，BJT的100，VBE0.6V，电流源动态输出电阻ro=100 k，求：（1）当vi10.01V、vi20.01V时，求输出电压vovo1vo2的值；（2）当c1、c2间接入负载电阻RL5.6kW时，求的值；（3）单端输出且RL时，vo2？求Avd2、Avc2和KCMR2的值。（4）电路的差模输入电阻Rid、共模输入电阻Ric和不接RL时，单端输出的输出电阻Ro2。图67电路如图7所示，设BJT的1230，34100，VBE1VBE20.6V，VBE3VBE40.7V。试计算双端输入、单端输出时的Rid、Avd1、Avc1及KCMR1的值。图78电路如图8所示，已知BJT的12350，rce200k，VBE0.7V，试求单端输出的差模电压增益Avd2、共模抑制比KCMR2、差模输入电阻Rid和输出电阻Ro。图89电路如图9所示，T1T4特性相同，设107，rbb200，VBE0.7V，rce2rce4167kW，T5的rce5100kW，Re5100，Re651，R4.7k，VCC6V，VEE6V。（1）计算电路的偏置电流；（2）求c2端输出时的差模电压增益Avd2，共模电压增益Avc2和共模抑制比KCMR；（3）求差模输入电阻Rid，从c2看入的输出电阻Ro。提示：图910CMOS源极耦合差分式放大电路如图10所示，电路参数为+VDD10V，VSS10V，Io0.1mA，PMOSFET T3、T4的KP80 A/V2，0.015V1，VT1V。NMOSFET T1、T2的Kn100 A/V2，0.01V1，VT1V。确定差模电压增益Avd2？图1011电路如图11所示，电路参数如图所示，已知JFET的IDSS4mA，VP2V，T1、T2的gm1.41ms电流源电路T3的gm32mS，电流源的动态电阻RAB2110k。（1）求电路Avd2、Avc2（从d2输出时和KCMR2）；（2）当vi150mV，vi210mV时，求vo2？图1112电路如图12所示，电路中JFET T1、T2的gm1.41ms，10.01V1，BJT的rce4100 kW电流源电流Io1mA，动态电阻ro2000k（图中未画出）；RL40k，当vid40mV，求输出电压vo2、共模电压增益Avc2和共模抑制比KCMR2。图1213在射极耦合差分式放大电路中，为什么在差分对管的射极电路里各接入的射极电阻Re时，可以扩大传输特性的线性工作范围？它是以什么代价来换取的？14图14表示一BJT集成运放电路。(1) 试判断两管T1和T2的两个基极，哪个为同相端，哪个为反相端？(2) 电路共有几级放大？各级分别是什么组态的放大电路？它们各有什么特点？图1415失调电流补偿电路如图15所示。当IBNI1IF100nA，IBP80nA，使输出误差电压Vor0V时，求平衡电阻R2的值是多少？图1516运放的单位增益带宽fT1MHz，转换速率SR1V/s，当运放接成反相放大电路的闭环增益Avd10，确定小信号闭环带宽fHf；当输出电压不失真幅度Vom10V时，求全功率带宽BWP。17有效值检测电路如图17所示，若R2为，试证明vo式中T。图1718电路如图18所示，试求输出电压vo的表达式。图1819电路如图19所示，运放和乘法