2.半导体三极管放大电路题.doc

半导体三极管及其放大电路 一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其_ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_ a 0.1V b 0.5V c 0.7V 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_ a 0.1V b 0.3V c 0.5V 5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的为_ a 40 b 50 c 60 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_ a 越好 b 越差 c 无变化 7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_ a 高 b 低 c 一样 8.温度升高，晶体管的电流放大系数 _ a 增大 b 减小 c 不变 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_ a 升高 b 降低 c 不变 10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_ 极的电位最低。 a 发射极 b 基极 c 集电极 11.温度升高，晶体管输入特性曲线_ a 右移 b 左移 c 不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线_ a 上移 b 下移 c 不变 12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_ a 不变 b 减小 c 增大 12.晶体管共射极电流放大系数与集电极电流Ic的关系是_ a 两者无关 b 有关 c 无法判断 15. 当晶体管的集电极电流IcmIc时，下列说法正确的是_ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的PC=PCM c 晶体管的一定减小 16.对于电压放大器来说， 越小，电路的带负载能力越强_ a 输入电阻 b 输出 c 电压放大倍数 17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管 18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _a 处于饱和状态 b 放大状态 c 截止状态 d 已损坏 19在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_a 同相 b 反相 c 相差 90 度 20在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_ 失真a 饱和 b 截止 c 饱和和截止 21.引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是_ a 输入电阻太小 b 静态工作点偏低 c 静态工作点偏高 23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_a 输出功率 b 静态工作点 c 交流参数 25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _ a 晶体管的电流放大系数太大 b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化 27. 在放大电路中，直流负反馈可以 _ a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 b 提高放大电路的放大倍数 c 稳定电路的静态工作点 28. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 29. 射极输出器无放大 _ 的能力。 a 电压 b 电流 c 功率 30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _ 放大电路。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 31. 与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定_ a 不变 b 变大 c 变小 32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_a 0.5kW b 1kW c 2kW 35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _ 多级放大电路。 a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合 36 . 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相比，低频响应_ a 好 b 差 c 相同 37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 _ 多级放大电路。 a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合 38. 若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了_ 倍。 a 80 b 800 c 10000 39. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2k，Ro=3k。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为 _ a 40dB b 32dB c 16dB 40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 _ 失真。 a 饱和 b 截止 c 频率 41.放大电路的两种失真分别为 _ 失真。 a 线性和非线性 b 饱和和截止 c 幅度和相位 42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合)多级放大电路相比，低频响应 _ a 差 b 好 c 差不多 44. 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号Ui为正弦波，则输出信号_ a 会产生线性失真 b 会产生非线性失真 c 为正弦波 45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_ 放大电路的高频特性最好。 a 共射极 b 共集电极 c 共基极 46. 对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 _ a 变宽 b 变窄 c 两者一样 47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率fH _ a 越高 b 越低 c 无变化 48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降 _ a 3dB b 6dB c 20dB 49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 _ a 越大 b 越小 c 无变化 51. 已知某晶体管的fT=150MHz,b=50。当其工作频率为50MHz时，f_ a 50MHz b 30MHz c 3MHz52. 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_ 度的附加值。 a180 b 90 c 45 53在单级阻容耦合放大电路的波特图中， (1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频， b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频， c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频， (2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_ a 45 / 十倍频， -45 B/ 十倍频 b 45 / 十倍频， 45 B/ 十倍频 c - 45/ 十倍频， -45 B/ 十倍频 54.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。A. 83 B. 91 C. 100二、判断题55.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）56.放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）57.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）58.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）59.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）三、解答题1.电路如图P2.19所示，晶体管的b60，=100。 （1）求解Q点、Ri和Ro； 图P2.19（2）设10mV（有效值），问？若C3开路，则？ 2.按要求填写下表。电路名称连接方式（e、c、b）性能比较（大、中、小）公共极输入极输出极R iR o其它共射电路共集电路共基电路3.已知某电路电压放大倍数 试求解： （1）？fL？fH ? （2）画出波特图。 4.分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。图P2.2 5.电路如图P2.6所示，已知晶体管b50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC12V，晶体管饱和管压降UCES0.5V。 （1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路图P2.66.在全频段阻容耦合共射单级放大电路中，信号在低频段不可忽略的电容或等效电容有（ ） A 发射极电容元件； B 三极管的结电容；C 电路导线分布电容； D 偶合电容元件7.对三极管基本放大电路析时，须乘以（1+）倍折算的元件是（ ）,A 折算到发射极电流并联支路的三极管输入电阻rbe； B 折算到基区的三极管发射结电阻rbe;C 折算到基极电流串联回路的发射极电阻Re； D 折算到基极电流串联回路的发射极电容Ce ； 8.在放大电路的交流通路中（ ）可以视为短路。A 无内阻的直流电压源； B高、中频交流信号下工作的耦合电容元件；C 高、中交流信号下的三极管结电容； D 高、中频交流信号下有旁路电容的电阻元件9.电路如图6所示，说明下列三种情况时， 电路各属于和种组态，各有何特点？（1）U2 = 0，从C极输出：共 极组态特点： . .（2）U2 = 0，从E极输出：共 极组态特点： . .（3）U1 = 0，从C极输出：共 极组态特点： . . 10.固定偏流电路如图7(a)所示。已知：VCC = 12V，Rb = 280k, Rc = 3k, RL = 3 k,三极管= 50, 取 rbb= 200，UBE = 0.7V. 求:（1）静态工作点Q；（2）求电压增益 Au ； （3）假如该电路的输出波形出现如图7(b)所示的失真,问是属于截止失真还是饱和失真?调整电路中的哪个元件可以消除这种失真?如何调整 ?图7(b) 图7（a）11.射极偏置电路如图8所示。已知: VCC = 12V，Rb1 = 2.5k, Rb2 =7.5k，Rc = 2k, Re = 1k, RL = 2k,三极管 = 30,取rbb= 300， UBE = 0.7V.求：（1）静态工作点Q；（2）电压增益Au；（3）电路输入电阻Ri和输出电阻Ro图812.试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 图(c) 图(d)13.在图(a)所示电路中，已知晶体管的=100，rbe=1 k；静态时UBEQ=0.7 V， UCEQ=6 V，IBQ=20 A；输入电压为20 mV；耦合电容对交流信号可视为短路。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打“”。 （1）电路的电压放大倍数 （） （） （） （） （2）电路的输入电阻 （） （） （） （） （3）电路的输出电阻 （） （） （） （4）信号源的电压有效值 （） （）【解题过程】为了得到正确结论，可首先画出图(a)所示电路的交流等效电路，如图(b)所示；然后按各动态参 数的定义分别求解它们的数值。 由图可得,， （1）、均用静态量求解，故不正确；当电路带负载时，输出电压应为考虑了负载作用的 ，为空载时的，故也不正确。结论是：，。 （2）、均用静态量求解Ri，故不正确；放大电路的输入电阻Ri是放大电路自身的参数，与信 号源内阻Rs无关，故也不正确。结论是：，。 （3）输出电阻Ro是放大电路自身的参数，与负载电阻RL无关，故不正确；用静态量求解Ro， 故也不正确。结论是：，。 （4）从图(b)可知，是在Rs和Ri回路中Ri所得的电压，故结论是：，。图(a)图(b)14.单级放大电路如图所示，已知Vcc=15V，, 此时调到，晶体管饱和压降UCES为1V，晶体管的结电容可以忽略。试求： （1）静态工作点，： （2）中频电压放大倍数、输出电阻、输入电阻； （3）估计上限截止频率和下限截止频率； （4）动态范围=？输入电压最大值Ui p=？ （5）当输入电压的最大值大于Ui p时将首先出现什么失真？【相关知识】（1）共射极放大电路。 （2）放大电路的频率特性。【解题过程】（1）采用估算法求解静态工作点。由图可知 故 （2）利用微变等效电路法，求解放大电路的动态指标。 （3）当电路中只有一个惯性环节时，电路的截止频率可以表示为，其中 为电容 所在回路的等效电阻。 在高频区，根据题意，晶体管的结电容可以忽略，影响电路上限截止频率的电容只有负载等效电 容。故电路的上限截止频率为 在低频区，影响下限截止频率的电容有、和。可以分别考虑输入回路电容（、）和 输出回路电容（）的影响，再综合考虑它们共同作用时对电路下限截止频率的影响。 只考虑输出回路电容时 只考虑输入回路电容和时，为了简化计算，忽略偏置电阻及射极电阻的影响，把射极旁路电 容折算到基极回路，则有 由于，所以电路的下限截止频率为 （4）由于，即电路的最 大不失真输出电压受截止失真的限制，故电路的动态范围 输入电压最大值 （5）由上述分析可知，当输入电压的最大值大于U ip时，电路将首先出现截止失真。15. 电路如图所示。晶体管T为3DG4A型硅管，其、rbb=80。电路中的VCC=24V、RB = 96k、RC =RE=2.4k、电容器C1、C2、C3 的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值Ui=1V。试求：(1) 输出电压Uo1、Uo2的有效值；(2) 用内阻为10k的交流电压表分别测量uo1、uo2时，交流电压表的读数各为多少？【解题过程】 (1) (2) 设表内阻为RL，则 由以上计算结果可见，信号由发射极输出时，因电路输出电阻小而带负载能力强。16.图为一个放大电路的交流通路。试在下列三种情况下写出电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式： （1） ，信号从基极输入，放大后从集电极输出； （2） ，信号从基极输入，放大