半导体物理名词解释.doc

半导体复习资料（名词解释）20131161、 离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成的晶体。共价晶体：由共价键结合形成的晶体。2、 布拉菲点阵：实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列。把基元看作是一个几何点，按晶体相同的周期在空间进行排列得到的点阵称为这种晶体的布拉菲点阵。3、 原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。晶胞： 布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积最小的重复单元。4、 施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。5、量子态密度：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度。状态密度：单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。有效状态密度：所有有可能被电子占据的量子态数。6、深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。将其引入半导体中，形成一个或多个能级。该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。 浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。7、空穴：在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。8、有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。有效质量表达式为：9、理想半导体：晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，纯净不含杂质的，晶格结构是完整的。 实际半导体：原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动，含有若干杂质，存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。10、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。11、复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。非平衡载流子的复合率（净复合率）：产生率：单位时间单位体积内所产生的电子-空穴对数。非平衡载流子的产生率（净产生率）：12、陷阱：有显著陷阱效应（积累非平衡载流子的作用）的杂质能级称为陷阱。陷阱中心：相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。13、平衡态：指的是系统内部一定的相互作用所引起的微观过程之间的平衡。非平衡态：对半导体施加外界作用，破坏了热平衡条件，迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态。稳定态：14、费米能级：电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。准费米能级：导带费米能级和价带费米能级都是局部的费米能级，成为准费米能级。15、绝缘体能带结构：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，且禁带宽 度较大。半导体能带结构：价带全部被电子填满，禁带上面的导带是空带，但禁带宽度相对较小。16、扩散系数：扩散长度：非平衡载流子深入样品的平均距离。17、散射几率:18、迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度。19、复合中心：促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。表面复合：在半导体表面发生的复合过程。20、简并：服从费米统计律的电子系统称为简并系统。非简并：服从玻耳兹曼统计律的电子系统称为非简并系统。附：深能级杂质：若杂质提供的施主能级距离导带底较远；或提供的受主能能级距离价带顶较远。浅能级杂质：通常情况下，半导体中些施主能级距离导带底较近；或受主能能级距离价带顶较近。离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成的晶体。布拉菲点阵：实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列。把基元看作是一个几何点，按晶体相同的周期在空间进行排列得到的点阵称为这种晶体的布拉菲点阵。晶胞： 布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积最小的重复单元。施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。将其引入半导体中，形成一个或多个能级。该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。间接复合：导带中