XINTF笔记

XINTF笔记2011-8-3 未完待续 T.F1. 时钟XINTF有两个时钟，XTIMCLK和XCLKOUT。2. 写缓冲默认情况下，禁止写访问缓冲。在大多数情况下，为了提高XINTF性能，应该使能写缓冲。写缓冲的深度最大可以有三个，写缓冲区的深度在XINTCNF2寄存器中配置。3. LEAD（建立）、Active（激活）、trail（跟踪）任何读或写访问XINTF区的时间可分为以下三部分： Lead，Active和Trail。每个ZONE区对应的XTIMING寄存器可以设置访问XINTF过程的每个部分的等待周期，此周期基于XTIMCLK时钟。为方便访问慢速外设，寄存器的X2TIMING位可用于设置将各部分等待周期加倍。LEAD部分：片选信号被拉低，地址数据被放到地址总线XA上。在整个LEAD部分周期长度可以在XTIMING寄存器中进行设置。读/写的默认设置都是最大6个XTIMCLK周期。Active部分：进行了外部设备的访问。在读取操作中，读准备（XRD）被外设拉低，相当数据被送到DSP数据锁存器XD上；在写操作中，写使能（XWE0）被拉低，数据被送到DSP的数据总线XD上。如果该区配置为对XREADY信号取样，外设可以通过控制XREADY信号来额外延长Active部分的时间。当不对XREADY信号取样时，整个Active部分长度为XTIMING寄存器中设置的等待周期加1。在默认情况下，读/写操作的等待周期为14个XTIMCLK周期。Trail部分： 当片选信号为低，但读/写标志位已经回到高电平状态的持续时间。Trail部分的周期可以在XTIMING寄存器中进行设置。默认情况下，Trail持续6个XTIMCLK周期。根据系统要求LEAD、Active、Trail可根据XINTF特定ZONE区连接的设备来确定最优值。在进行配置时，应考虑以下几点因素：（1） 最小等待状态的要求（2） XINTF的时序特点（3） 外设的时序要求（4） 芯片和外设间的传输延迟4. XREADY信号采样通过采样XREADY，外部设备可以延长Active周期。所有ZONE区共享1个XREADY信号输入，但每个ZONE区都可以单独设置是否采样XREADY信号。此外，采样过程可被指定为同步或者异步采样。（1） 同步采样Synchronous sampling：当同步采样XREADY时，如果在XTIMCLK上升沿检测到XREADY是低电平，那么ACTIVE区将延长1个XTIMCLK时钟并将在下一个XTIMCLK时钟上升沿继续检测。（2） 异步采样Asynchronous sampling：当异步采样XREADY时，如果在XTIMCLK上升沿检测到XREADY是低电平，那么ACTIVE区将延长3个XTIMCLK时钟。并将在下一个XTIMCLK时钟上升沿继续检测。无论是同步采样还是异步采样，当XREADY信号被采样为低电平时，Active都将会延长1个XTIMCLK周期，然后继续采样XREAD信号。直到XREAD信号被采样为高电平时，结束Active部分。如果一个ZONE区被配置为采样XREADY信号，它在读/写操作中是这样做的。默认配置为异步采样XREADY信号，当使用XREADY信号时，应考虑最低等待状态的要求。这个要求在同步采样方式和异步采样方式中是不一样的，决定于以下几点：（1） XINTF的时序特点（2） 外设的时序要求（3） 芯片和外设间的传输延迟5. 访问转换当XINTF对不同的ZONE区访问时的转换问题。不涉及。6. 数据总线宽度每个XINTF的ZONE区可单独配置为16位或32位数据总线。XA0/XWE1信号功能的变化取决于配置。当某个ZONE区被配置为16位数据总线模式（XTIMINGxXSIZE = 3）时， XA0/XWE1信号工作在最低有效地址线（XA0）模式下。如果三个ZONE区的数据宽度（由XTIMINGxXSIZE设置）彼此不同，那么在两个不同数据宽度的区之间连续访问时会需要注意：不同ZONE区的访问之间应该使用XBANK配置增加至少一个延迟周期。例如，指定区域配置如下：ZONE0配置为16位模式（XTIMING0XSIZE = 3）ZONE6配置为32位模式（XTIMING6XSIZE = 1）ZONE7配置为32位模式（XTIMING7XSIZE = 1）按照以上配置，当ZONE0和ZONE7或者ZONE0和ZONE6之间连续访问时，ZONE0区至少应该增加1个区域转换延迟周期(i.e. XBANKBANK = 0 and XBANKBCYC = 1).。 7. 外部DMA支持。无涉及。8. LEAD（建立）、Active（激活）、trail（跟踪）设置XINTF信号的时间可以调整，以匹配特定的外部设备，如读/写操作的设置和持续时间。通过设置XTIMING寄存器，每个ZONE区的时序参数都可以单独配置。此外，还可以配置每个区域是否采样XREADY的信号。这可以让XINTF的访问效率最大化。下表显示了XTIMING寄存器中设置的各参数见得关系以及其XTIMCLK周期数。9. 配置XBANK周期。不涉及。10. XINTF寄存器下表显示XINTF配置寄存器。这些寄存器的修改会影响XINTF访问的时序，并应只能由XINTF以外的代码执行。XTIMING0/6/7 Register位字段值描述31:23保留22X2TIMING01该位指定该ZONE中XRDLEAD、XRDACTIVE、XRDTRAIL、LXWRLEAD、XWRACTIVE、XWRTRAIL值的比例系数。比例为1:1。比例为2:1（默认）。21:18保留17:16XSIZE00011011这两位必须为01或者11，其他组合会导致XINTF错误。保留，使用会导致错误。32位数据，使用所有32根数据线。保留，使用会导致错误。16位接口。在这种模式下区将只使用16位数据线。XA0/WE1信号作用为XA0（默认）。15READYMODE01设置同步或异步采样XREADY的输入。如果XREADY不进行采样（USEREADY= 0），此位被忽略。同步采样。异步采样（默认）。14USEREADY01确定是否采样XREADY信号。XREADY信号在该ZONE不被采样。XREADY信号可延长读/写 ACTIVE部分的持续时间。13:12XRDACTIVE这两位设置读操作中LEAD部分的等待周期，当X2TIMING位被设置时，等待周期将加倍。X2TIMING00X无效01011个XTIMCLK周期2个XTIMCLK周期10012个XTIMCLK周期4个XTIMCLK周期11013个XTIMCLK周期6个XTIMCLK周期11:9XRDACTIVE这两位设置读操作中ACTIVE部分的等待周期，当X2TIMING位被设置时，等待周期将加倍。X2TIMING00000001011个XTIMCLK周期2个XTIMCLK周期010012个XTIMCLK周期4个XTIMCLK周期011013个XTIMCLK周期6个XTIMCLK周期100014个XTIMCLK周期8个XTIMCLK周期101015个XTIMCLK周期10个XTIMCLK周期110016个XTIMCLK周期12个XTIMCLK周期111017个XTIMCLK周期14个XTIMCLK周期8:7XRDTRAIL.。待续，其他设置类似XINTF Configuration Register位字段值描述31:19保留18:16XTIMCLK000001010011100101110111这些位设置XTIMING和XBANK寄存器为LEAD，ACTIVE和TRAIL等操作的时间的基本时钟。此设置会影响所有XINTF区。改变XTIMCLK值，应只能由XINTF外区域代码执行。注意：默认情况下禁用XTIMCLK。它必须在XINTF寄存器可以写入前由PCLKCR3寄存器启用XTIMCLK = SYSCLKOUT/1XTIMCLK = SYSCLKOUT/2 (默认)。保留保留保留保留保留保留15:12保留11HOLDAS10HOLDS9HOLD8保留7:6WLEVEL00011011当前写缓存中数据：写缓存里有0个数据写缓存里有1个数据写缓存里有2个数据写缓存里有3个数据5:4保留3CLKOFF01设置关闭XCLKOUT模式，可以省电以及降噪。复位时为0XCLKOUT使能（默认）XCLKOUT禁止2CLKMODE01XCLKOUT除2模式，无论哪种模式被采用，所有总线时序都是从XCLKOUT的上升沿开始XCLKOUT=XTIMCLKXCLKOUT=XTIMCLK/2(默认)1:0WRBUFF00011011写缓冲寄存器。写缓冲允许处理器不用等待XINTF执行完写过程就能继续运行。无写缓存，CPU会等待XINTF完成写操作（上电复位默认）1个写操作缓存。2个写操作缓存3个写操作缓存如果缓存区满，任何读或写操作将使CPU挂起。缓存深度设置的改变仅在当前缓存区为空的时候允许，当缓存区有数据时改变缓存深度设置会导致不可预期后果。XINTF Signal DescriptionsNAMETYPE描述XD31:0I/O/Z32位双向数据总线，在16位模式下，仅XD15:0位使用。XA31:0O/Z32位地址总线，数据将在XCLKOUT时钟的上升沿时放置到总线上直到下次访问。XA0/ XWE1O/Z16位模式下，是地址总线的最低位。32位模式下，作为写选通的地有效信号使用XWE1。XCLKOUTO/ZXTIMCLK派生的时钟源，可作为片上或者片外等待状态使用的通用时钟源，复位默认为：XCLKOUT = XTIMCLK/2XTIMCLK = SYSCLKOUT/2XWE0O/Z低电平有效的写选通位，XRDO/Z低电平有效的读选通位XR/WO/Z高电平时表示正在进行读操作，低电平时表示写操作。一般情况下保持在高电平。XZCS0OZONE片选信号。低有效。XZCS6XZCS7XREADYI当外设准备好完成访问时置1。对