【毕业学位论文】（Word原稿）氮化铟镓与磷化铝镓铟面射型半导体雷射光学特性之研究-光电科技

国立彰化师范大学物理研究所 硕士论文 指导教授：郭艳光教授 氮化铟镓与磷化铝镓铟面射型半导体雷射光学特性之研究 A of 究生：黄旭晴撰 中华民国九十年七月 I 国立彰化师范大学物理研究所 硕士论文 研究生：黄旭晴 氮化铟镓与磷化铝镓铟面射型半导体雷射光学特性之研究 A of 论文业经审查及口试合格特此证明 论文考试委员会主席 (黄满芳 ) 委员： (黄满芳 ) (黄满芳 ) 指导教授：郭艳光教授 (黄满芳 ) 所长：张惠博主任 (黄满芳 ) 中华民国九十年七月 权书 (博硕士论文 ) 本授权书所授权之论文为本人在 彰化师范 大学 (学院 ) 物理 系所 组 89 学年度第 2 学期取得 硕 士学之论文。 论文名称： 氮化铟镓与磷化铝镓铟面射型半导体雷射光学特性之研究 同意 不同意 本人具有著作财产权之论文全文资料，授予行政院国家科学委员会科学技术资料中心、国家图书馆及本人毕业学校图书馆，得不限地域、时间与次数以微缩、光碟或数位化等各种方式重制后散布发行或上载网路。本论文为本人向经 济部智慧财产局申请专利的附件之一，请将全文资料延后两年后再公开。 (请注明文号： ) 同意 不同意 本人具有 著作财产权之论文全文资料，授予教育部指定送缴之图书馆及本人毕业学校图书馆，为学术研究之目的以各种方法重制，或为上述目的再授权他人以各种方法重制，不限地域与时间，惟每人一份为限。 上述授权内容均无须订立让与及授权契约书。依本授权之发行权为非专属性发行权利。依本授权所为之收录、重制、发行及学术研究利用为无偿。上述同意与不同意之栏位若未钩选，本人同意视同授权。 指导 教授姓名： 郭艳光 研究生签名：黄旭晴 学号： 8822212 (亲笔正楷 ) (务必填写 ) 日期：民国 90年 6月 30日 1. 本授权书请以黑笔撰写并影印装订于书名页之次页。 2. 授权第一项者，请再交论文一本予毕业学校承辨人员或径寄 10606路 1702室国科会科学扳术资料中心王淑贞。（电话 02 3. 本授 权书已于民国 85年 4月 10日送请内政部著作权委员会 (现为 经 济部智慧财产局 )修正定稿。 4. 本案依据教育部国家图书馆 85)图编字第 712号函辨理。 o my my my of I my to my in He is my in He me me to be a to be I to in me to my as my I to of my I am my on my in my me am me am of me me to go me a my I we be a to I am to he me to I am u, a in of he me to my is a me a to up my An - to to to to no it . . . . X . . 1 . 2 . 7 . 11 . . 17 . . 18 of . 20 of . 23 . 42 . on 40. 47 . 49 of . 52 of . 58 . 71 . . 75 . . . 77 . . 82 of .in .ED D. 10 . 10 of . 13 . 19 of BR (a) (b) 22 a) (b) . 29 a) of (b) of . 30 a) of (b) of . 31 in .32 -I of . 32 a) of (b) of . 33 a) of (b) of . 34 a) of 0 m m ( (b) of 0 m m (. 35 a) of of (b) of of 36 a) of (b) of . 37 a) of (b) of . 38 a) of (b) of . 39 a) of (b) of . 40 a) of (b) of . 41 . 51 as a of of in .5 54 5 BR . 54 X of . 55 of BR of BR is 0, 20, 30, 40, 50 0. 61 -I of at . 61 a) is 3.9 (b) is 1.4 .as a of . 63 a) of at an 1.4 of is of (b) of at an 1.4 of is of . 64 of . 65 a) of (b) to of .as a of . 67 as of .67 of 0of I .68 a) of (b) to of .-V of of .of of .70 iC . 8 文摘要 我们利用 用模拟软体来模拟以磷化铝镓铟与氮化铝镓铟为材料所成长的面射型半导体雷射，并设计不同的结构以比较其雷射的操作效能。 在磷化铝镓铟的面射型雷射方面，我们将波长锁定在 670磷化铝镓铟做雷射的活性层，然后分别使用砷化物与磷化物来做为雷射的 拟的结果显示以砷化物所做的 同样的对数之下会有比较高的反射率，而且以砷化物作 为 且在同一电流之下，雷射的输出功率也会比较大，我们并以此为出发点，继而探讨不同的 拟所得的结果是当使用 构时，虽然可以降低雷射的下限电流，但是也会相对的降低雷射操作时的 在氮化铝镓铟的面射型雷射方面，我们以氮化铟镓做雷射的活性层，然后用氮化铝镓来做为雷射的 雷射的输出波长锁定在440讨不同对数的 构对雷射操作效能的影响，模拟的结果显示当 0且使用 与 磷化铝镓铟的面射型雷射相反的是氮化铝镓铟的面射型雷射使用 n we D) we to of 70 we as of BR is of BR in at we of a in of of 40 we as QW as BR of In we BR In is BR of 0 0 we By we of is in of 1 . is to in so In we an in 2 he is up It in nP As at nP 10m, 55020It is we of to 1. lP is , aP is , nP , 2. By nP be at be lP aP of be P is to is of P, as as x is it an As a it in In x is of is we is In is to in we of P in be to is to is to 3 If we in in be in be of in be of as in we at of it of in it in q. (1): Eg(x)= (1) of eV x is .3 is 90 70 nm if we in of is of in of is as as in is by 7. 4 us in at to It of In if we we of 8 In of us in As is It is of It is of BR we BR in is to is In we BR by to if 5 N=2 N=1 of in 6 7 aN ED 997 10 it in of to is up is to 12 of in is we a to aN It