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文档简介
1 5 2晶体三极管的特性曲线 一 输入特性 输入回路 输出回路 与二极管特性相似 特性基本重合 电流分配关系确定 特性右移 因集电结开始吸引电子 导通电压UBE on 硅管 0 6 0 8 V 锗管 0 2 0 3 V 取0 7V 取0 2V 二 输出特性 截止区 IB 0IC ICEO 0条件 两个结反偏 截止区 ICEO 2 放大区 放大区 截止区 条件 发射结正偏集电结反偏特点 水平 等间隔 ICEO 3 饱和区 uCE uBE uCB uCE uBE 0 条件 两个结正偏 特点 IC IB 临界饱和时 uCE uBE 深度饱和时 0 3V 硅管 UCE SAT 0 1V 锗管 放大区 截止区 饱和区 ICEO 三 温度对特性曲线的影响 1 温度升高 输入特性曲线向左移 温度每升高1 C UBE 2 2 5 mV 温度每升高10 C ICBO约增大1倍 T2 T1 2 温度升高 输出特性曲线向上移 温度每升高1 C 0 5 1 输出特性曲线间距增大 O 1 5 3晶体三极管的主要参数 一 电流放大系数 1 共发射极电流放大系数 直流电流放大系数 交流电流放大系数 一般为几十 几百 Q 2 共基极电流放大系数 1一般在0 98以上 Q 二 极间反向饱和电流 CB极间反向饱和电流ICBO CE极间反向饱和电流ICEO 三 极限参数 1 ICM 集电极最大允许电流 超过时 值明显降低 2 PCM 集电极最大允许功率损耗 PC iC uCE U BR CBO 发射极开路时C B极间反向击穿电压 3 U BR CEO 基极开路时C E极间反向击穿电压 U BR EBO 集电极极开路时E B极间反向击穿电压 U BR CBO U BR CEO U BR EBO P342 1 7 已知 ICM 20mA PCM 100mW U BR CEO 20V 当UCE 10V时 I
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