课程设计标准埋层双极晶体管SBC.doc_第1页
课程设计标准埋层双极晶体管SBC.doc_第2页
课程设计标准埋层双极晶体管SBC.doc_第3页
课程设计标准埋层双极晶体管SBC.doc_第4页
课程设计标准埋层双极晶体管SBC.doc_第5页
已阅读5页，还剩1页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

标准埋层双极晶体管SBC-设计报告一、 版图全貌及版图说明采用负胶工艺，版图尺寸：54m50mL1版为埋层注入扩磷版L2版为PN结隔离环的扩硼版L3版为基区扩硼版L4版为发射区和集电区扩磷版L5版为金属引线孔L6版为金属引线孔的反刻版（以上各版另需翻刻一副，共计12块版。其中L6版有颜色的部分不保留） L1版为埋层注入扩磷版 尺寸大小：38m35m L2版为PN结隔离环的扩硼版 尺寸大小：54m50m L3版为基区扩硼版 尺寸大小：36m18m L4版为发射区和集电区扩磷版 尺寸大小：34m23m L5版为金属引线孔 尺寸大小：32m30m L6版为金属引线孔的反刻版 尺寸大小：34m32m二、工艺流程图 L1版光刻，扩砷得N型埋层。外延生长得到外延层L2版光刻，扩硼得到隔离环L3版光刻扩硼得基区L4版光刻扩磷得发射区和集电极L5版光刻，L6版反刻得金属电极。三、 工艺流程说明一、热氧化惨杂浓度为的P型硅衬底，生长厚度约为5001000nm的氧化层。二、用L1版光刻，形成埋层窗口。三、进行浓度为 As注入并退火得Xj=2m，形成n+埋层。四、利用HF腐蚀掉硅片表面的氧化层。五、将硅片放入1150的外延炉中进行外延生长27分钟，得10m外延层，浓度为。六、生长氧化层，用L2版光刻，形成隔离扩散窗口。七、采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为。在1000下进行12分钟的硼扩散，得到结深Xj=0.2m。撤去恒定扩散源，在1300下进行90分钟的再扩散，得到结深Xj=10m，形成P型隔离区。八、生长氧化层，用L3版光刻，扩硼。采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为。在1000下进行12分钟的预扩散，得到结深Xj=0.2m。撤去恒定扩散源，在1200下进行100分钟的再扩散，得到结深Xj=4m的基区。九、生长氧化层，用L4版光刻，扩磷。采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为。在900下进行10分钟的预扩散，得到结深Xj=0.2m。撤去恒定扩散源，在1000下进行100分钟的再扩散，得到节深Xj=2m的发射区和集电
人人文库> 全部分类> 教育资料 > 备课教案

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论