标准解读

《GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片》是一项中国国家标准，发布于1989年，旨在规定水平生长法制备的砷化镓（GaAs）单晶及其切割片的质量要求、测试方法和检验规则。以下是该标准的主要内容概述：

  1. 范围：本标准适用于采用水平法生长技术制备的砷化镓单晶及其切割片，明确了这些材料的适用范围和基本要求。

  2. 术语和定义：标准首先界定了相关专业术语，确保读者对砷化镓单晶及切割片的基本概念有清晰理解。

  3. 分类和标记：规定了砷化镓单晶及切割片的分类方法，包括按纯度、尺寸、用途等进行区分，并要求产品应有明确的标识信息，以便于追溯和使用。

  4. 技术要求：

    • 化学成分：详细说明了砷化镓单晶中主元素及杂质元素的最大允许含量，确保材料的电学和光学性能。
    • 物理性质：包括晶体结构、电阻率、载流子浓度、晶向、直径、厚度等参数的规范要求。
    • 表面质量与缺陷：规定了单晶表面应达到的光洁度标准，以及内部缺陷如位错、夹杂物的允许程度。

  5. 试验方法：详细描述了如何通过各种检测手段（如X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量等）来测定砷化镓单晶及切割片的上述各项技术指标，确保测试结果的准确性和可重复性。

  6. 检验规则：制定了产品出厂前的检验流程、抽样方案及合格判定准则，确保每批产品的质量符合标准要求。

  7. 标志、包装、运输和储存：规定了砷化镓单晶及切割片的包装方式、标志内容、运输注意事项及适宜的储存条件，以防止在流转过程中受到损害。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 11094-2007
  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-03-01 实施
©正版授权
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文档简介

DS.661.868.146-415H81中华人民共和国国家标准GB1109489水平法砷化单晶及切割片Boat-growngalliumarsenidesingleCrystalsandAs-cutslices1989-03-31发布1990-03-01实施国家技术监督局发布中华人民共和国国家标准水平法神化家单晶及切割片GB11094-89Boat-growngaliumarsenidesinglecrystalandAs-cutslicea1主题内客与适用范围本标准规定了水平法神化家单品及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于水平法制备的砷化镖单晶及其切割片。产品供制作光电器件、徽波器件和传感元件等元器件用。2引用标准GB4326非本征半导体单品蛋尔迁移率和蛋尔系数测量方法GB8759化合物半导体单晶晶向射线衍射测量方法GB8760神化惊单品位错密度测量方法3产品分类3.1导电类型产品按导电类型分为N型和P型，按电阻率分为低阻导电型和高阻半绝缘型。以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按位错密度分级。3.2牌号单品及切割片的牌号分别表示为：HBMORAS-口阿拉伯数字与罗马数字组合表示产品等级与等次化学元素符号表示掺杂剂。有两种掺杂剂时，元素符号之间用“十”连接水平法神化缘单品中国有色会具
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