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文档简介

核磁共振h谱(化学位移)、样本、1、2、3、4、5、化学位移的发生、化学位移的显示方法、影响化学位移的因素、常见基团的化学位移、例题分析、1、化学位移的发生、电子屏蔽效果、氢核周围存在不断运动的电子，在外磁场的作用下运动的电子向与外磁场相反的方向被感应的磁场在有机化合物中，氢核受到核外电子的屏蔽作用，改变其共振频率，即引起共振吸收峰的位移的现象称为化学位移。 (根据氢的核不同，某些化学环境的化学位移值也不同。 2 )化学位移的表示方法，如定义所述，不同的氢核所在的化学环境不同，峰位置也不同，其峰的位置也难以正确测定，因此，以实验中的标准物质为基准，将基准物质(通常以TMS为基准物质)的光谱峰位置作为核磁谱的坐标原点。 计算式、抗磁屏蔽：由于原子核外的电子在施加磁场的感应下产生抗磁场，接受原子验证的磁场稍微下降，所以屏蔽被称为抗磁屏蔽。 绘制成以恒定电磁频率扫描磁场强度，横轴从左到右表示磁场强度增加的方向。 如果某个官能团的氢核的抗磁屏蔽较大，则必要磁场强度变得更强，因此可以推测该光谱位于其他官能团光谱的右方(即相对较高时的位置)。 也就是说，光谱线的电场强度右高左低，3、影响化学位移的因素、3.1、感应效果、与质子相连的元素的电负性越强，吸电子作用越强，质子周围的电子云密度越小，遮蔽作用越弱，出现在信号峰值越低的地方。 诱导效果通过耦合电子沿耦合轴方向传播，取代基距离越远诱导效果越弱。 多取代基对化学位移的影响。 3、影响化学位移的因素、3.2、S-P混合、从SP3(碳单键)向SP2(碳双键) s电子的处罚从25%增加至33%，结合电子接近碳原子，因此，向隔断连接的氢原子的作用即共振位移低的情况位移。 3.3、磁各向异性、屏蔽区域：感应磁场和外磁场方向相反的区域屏蔽解除区域：感应磁场和外磁场方向相同的区域。 如图所示，双键的h位于未屏蔽区域中，因此它处于较低位置。 化学位移为4.5-5.1，3，3，影响化学位移的因素，3.3，磁各向异性，如图所示，三键为直线配置，h所在的感应磁场的方向与外磁场的方向相反，位于屏蔽区域，因此位于高电场。 化学位移为23 .如图所示，苯上的6个电子产生强感应磁场，h位于屏蔽解除区域，处于低电场。 化学位移为6.8-8 .3、影响化学位移的因素、3.4、氢键的影响、与杂原子(n、o等)结合的质子容易形成氢键。 氢键质子与没有形成氢键的质子相比，屏蔽效果小，出现在共振吸收峰低的情况。 3.5、温度的影响、3.6、溶剂效应、温度：大多数信号的共振位置对温度的影响较小，-OH、-NH和-SH随温度升高，氢键程度降低，化学位移向高位移。 溶
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