IC制造流程简介

.,IC制造流程简介,.,基本概念,半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其指四价硅中添加三价或五价化学元素而形成的电子元件，它有方向性，可以用来制造逻辑线路使电路具有处理资讯的功能。半导体的传导率可由搀杂物的浓度来控制：搀杂物的浓度越高，半导体的电阻系数就越低。P型半导体中的多数载体是电洞。硼是P型的掺杂物。N型半导体的多数载体是电子。磷，砷，锑是N型的搀杂物。集成电路（IC)是指把特定电路所需的各种电子元件及线路缩小并制作在大小仅及2平方公分或更小的面积上的一种电子产品。集成电路主要种类有两种：逻辑LOGIC及记忆体MEMORY。前者主要执行逻辑的运算如电脑的微处理器后者则如只读器READONLY及随机处理器RANDOMACCESSMEMORY等。,.,集成电路(IC)产业主要分为设计生产测试封装四个阶段.集成电路的生产主要分三个阶段：,基本概念,.,.,基本制程,.,基本制程,.,原理：在晶片表面上覆上一層感光材料，來自光源的平行光透過光罩的圖形，使得晶片表面的感光材料進行選擇性的感光。感光材料：正片經過顯影(Development)，材料所獲得的圖案與光罩上相同稱為正片。負片如果彼此成互補的關係稱負片,.,微影制程-1,.,微影制程-2,.,掺杂物(Doping)概念:Togettheextrinsicsemiconductorbyaddingdonorsoracceptors,whichmaycausetheimpurityenergylevel.Theactionthataddingparticularimpuritiesintothesemiconductoriscalled“doping”andtheimpuritythataddediscalledthe“dopant”.,Doping介绍,Doping方法:1.扩散（Diffusion）2.离子植入（Implantation）,.,Pre-deposition:将掺杂物置于wafer表面.Generallyuseddopantresourcefurnacedesign:,Carriergas,Heater,石英管,Soliddopantsourcefurnace,O2,Liquiddopantsource,Carriergas,Gasdopantsource,Valve,O2,(a),(c),(b),扩散制程（DIFF)-1,Soliddopantsource,.,Drive-in:Toimplantthedopantintothewaferbythethermalprocess,扩散制程（DIFF)-2,.,1.Thedefinition:Amanufacturingprocessthatcanuniformlyimplantstheionsintothewaferinthespecifieddepthandconsistencebyselectingandacceleratingions.2.Thepurpose:Tochangetheresistancevalueofthesemiconductorbyimplantingthedopant.3.Energyrange(8yearsago)(1)Generalprocess：10KeV-180KeV(0.35m)(100KeVfor0.18mnow)(2)Advancedprocess：10KeV-3MeV(100C/sUniformTemperatureChangingLowThermalBudget(tocomparewithFurnace)ToAvoidMOSDistortion,.,Halogen-WHeater(vertical),Halogen-WHea