华南农业大学半导体物理期末考试试卷A答案_第1页
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文档简介

1、华南农业大学期末考试试卷（A卷）参考答案及评分标准2014-2015学年 第二学期 考试科目：半导体物理 一、 单选题（每小题 1 分，本题共 10 分）1. D 2 C 3 D 4 D 5. C 6. A 7. C 8. D 9. B 10. C 二、 填空题（每空 1 分，本题共 20 分）符号物理量符号物理量符号物理量P区平衡少子电子N区平衡少子空穴电离施主浓度电离受主浓度空穴扩散系数电子迁移率寿命本征载流子浓度Nc导带有效LED发光二极管IC集成电路FET场效应管MOS金属氧化物半导体结构MIS金属绝缘体半导体结构CCD电荷耦合器件MBE分子束外延CVD化学气相淀积GMR巨磁阻QHE量

2、子霍尔效应SOI自旋轨道作用三、 简答题（本题共10小题，每小题5分，共 50分）1. 高登摩尔预言：集成电路的集成度每18个月翻一番。2. （2分），费米能级拉直和势垒区形成的势垒高度（3分）3.（1）C表示平衡费米能级（2分）（2）B表示电子的准费米能级（2分）（3）D表示空穴的准费米能级（1分）4. （1）不可能（2分）（2）空穴的有效质量与电子不同（3分）5. 强电离区b、高温本征激发区c（3分，错1处扣2分）、b（2分）6. （1）GaAs为阱材料（1分）；（2）形成第一类异质结（1分）；（3）AlGaAs掺杂类型为N（1分）；（4）调整Al浓度（2分）7.（1）霍尔效应：扁长条形材

3、料，其面积最大的一个表面在xy平面，磁场垂直xy平面，若在x向施加电流，则在y方向产生电场。（2分）（2）半导体载流子浓度小（3分）8. 磁场（2分）；斯特恩-盖拉赫实验（3分）9. 肖特基结是多子器件（1分），PN结是少子器件（1分）；肖特基结正向导通电压低（1分）；肖特基结反向击穿电压低（1分）；肖特基结反向漏电流大（1分）（反向漏电流概念错无分）10.E0真空能级；Ec导带底；Ev价带顶；EF费米能级；Ws功函数；亲和能（错一处扣1分，扣完为止）四、计算和证明题（本题共5 小题， 共 20 分）1 （ 5分）解：原子体积；原胞总体积为（以上2分）（3分）（公式错无分，无百分比扣1分）2（ 5分）解：（4分）（1分）3 （ 5分）解：无光照时 （2分，结果错扣1分）光照时 （2分，结果错扣1分）结论：小

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