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文档简介

1、8.1 模拟CMOS集成电路8.1.1模拟集成电路和数字集成电路的比较8.1.2 MOS器件的对称性 对称是模拟集成电路版图设计的重要技巧之一，包括器件对称、布局布线对称等。常用的匹配规则有： 1) 把匹配器件相互靠近放置 2) 保持器件相同方向 图(c)和(d)的方案更合理。图8.1 (a)差分对管;(b)M1和M2管的栅极取向不同的版图; (c)栅在一条直线上的版图;(d)栅平行排列的版图第1页/共11页“栅阴影”效应使源区或漏区边缘的扩散产生细微的不对称。图8.2 由注入倾斜造成栅阴影区 考虑栅阴影后,图(a)的结构更好一些。 栅阴影效应 (a)两个MOS管的栅在同一直线上; (b)两个

2、栅相互平行 第2页/共11页 3) 增加虚拟器件提高对称性 注意器件周围保持相同的环境。 (a)M2管旁边的的金属线引起不对称;(b)在M1管相对称位置安排同样一条线来消除不对称性4) 共中心(四方交叉) 共中心版图 第3页/共11页5) 器件采用指状交叉布线方式 一维交叉耦合 第4页/共11页8.2 铝栅CMOS集成电路8.2.1 铝栅CMOS电路版图 铝栅工艺中没有多晶层，版图的层次只有P-阱、P+扩散区、N+扩散区、光刻栅、接触孔、金属和压焊块等。 1. 反相器第5页/共11页2. 门电路(a) 2输入或非门 (b) 3输入或非门 3. 无隔离环D触发器(a) 有铝层的照片 第6页/共11页 (b) 去除铝层后的照片 从照片提取的D触发器电路图 第7页/共11页8.3 双极集成电路8.3.1 双极晶体管的版图图形 1. NPN管 NPN管最常用的版图图形有4种。第8页/共11页2. PNP管 (1) 横向PNP管 横向PNP管的结构及其寄生的PNP管 横向PNP管的结构 第9页/共11页 多集电极横向PNP管 多集电极横向PNP管 (2)

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