磁场中磁介质课件

1、磁场中磁介质12-1 磁介质磁介质 磁化强度磁化强度磁介质磁介质能与磁场产生相互作用的物质能与磁场产生相互作用的物质磁化磁化磁介质在磁场作用下所发生的变化磁介质在磁场作用下所发生的变化一、一、 物质磁性的概述物质磁性的概述第十二章第十二章 磁场中的磁场中的磁介质磁介质 RI0B无磁介质时：无磁介质时：nIB00磁场中磁介质 RI RI RI RI磁介质磁介质锰、铬、氮气锰、铬、氮气-银、铜、氢银、铜、氢.铁、钴、镍及其合金铁、钴、镍及其合金充有磁介质，充有磁介质，有三种情况有三种情况BBB0BB 1）0BB 2）0BB 3）此种磁介质称此种磁介质称为为顺磁质顺磁质此种磁介质称此种磁介质称为为抗

2、磁质抗磁质此种磁介质称此种磁介质称为为铁磁质铁磁质B磁场中磁介质BBBo （1）顺磁质）顺磁质（3）铁磁质）铁磁质（2）抗磁质）抗磁质B 根据根据 的大小和方向可将磁介质分为四大类的大小和方向可将磁介质分为四大类 0BB 0BB 0BB 附加磁场附加磁场二二、分子电流与分子磁矩分子电流与分子磁矩分子磁矩分子磁矩轨道磁矩轨道磁矩自旋磁矩自旋磁矩电子绕核的轨道运动电子绕核的轨道运动电子本身自旋电子本身自旋等效于圆电流等效于圆电流分子电流分子电流磁场中磁介质BpMmnISpm 分子磁矩在外磁场中受到分子磁矩在外磁场中受到磁力矩磁力矩，使它向磁场方向，使它向磁场方向偏转，且按统计规律取向偏转，且按统计

3、规律取向分子电流所对应的磁矩在分子电流所对应的磁矩在外磁场中的行为决定介质外磁场中的行为决定介质的特性。的特性。BImpmpmpImpImpI磁场中磁介质LmpM0BmpLmp0BmpM轨道角动量与磁矩的关系：轨道角动量与磁矩的关系：Lmepm2222rrVerIpmmVrL 电子磁矩受到力矩电子磁矩受到力矩BpMm角动量定理角动量定理dtLdM绕磁场进动附加一磁矩绕磁场进动附加一磁矩 与外场与外场 反向。反向。mp0B磁场中磁介质1、顺磁质、顺磁质分子的固有磁矩不为零分子的固有磁矩不为零0 mp无外磁场作用时，由无外磁场作用时，由于分子的热运动，分于分子的热运动，分子磁矩取向各不相同子磁矩取

4、向各不相同,整个介质不显磁性。整个介质不显磁性。0 mp三、三、磁化质的磁化质的顺磁性与抗磁性顺磁性与抗磁性磁场中磁介质 有外磁场时，分子磁矩要有外磁场时，分子磁矩要受到一个力矩的作用，使分子受到一个力矩的作用，使分子磁矩转向外磁场的方向。磁矩转向外磁场的方向。mp0B0BpMm M 分子磁矩产生的磁场方向和外磁场方向一致，分子磁矩产生的磁场方向和外磁场方向一致，顺磁质磁化结果，使介质内部磁场增强。顺磁质磁化结果，使介质内部磁场增强。0BB 0B磁场中磁介质mp指出一点：附加磁矩指出一点：附加磁矩 与与 相比要小得多，相比要小得多，mp相差两个数量级。因此磁介质中的相差两个数量级。因此磁介质中

5、的磁场是加强了。磁场是加强了。0BB （顺磁质）（顺磁质）0B0Bmp0磁场中磁介质2、抗磁质、抗磁质分子的固有磁矩为零分子的固有磁矩为零0 mp在外磁场中，抗磁质分子会产生附加磁矩在外磁场中，抗磁质分子会产生附加磁矩电子绕核的轨道运动电子绕核的轨道运动电子本身自旋电子本身自旋mp外磁场场作用下产生外磁场场作用下产生附加磁矩附加磁矩mp 电子的附加磁矩总是削弱外磁场的作用。电子的附加磁矩总是削弱外磁场的作用。抗磁性是一切磁介质共同具有的特性。抗磁性是一切磁介质共同具有的特性。0BB 总与外磁场总与外磁场方向方向反向反向磁场中磁介质3.介质磁化的过程如下：介质磁化的过程如下：0mp一致取向与0B

6、pm00BBBB0mp反向取向与0Bpm00BBBBmmpp在外场中在外场中0mp在外场中在外场中顺磁质顺磁质抗磁质抗磁质磁场中磁介质定义定义:磁化强度磁化强度1 mAVpMmii四、四、磁化强度与磁化电流磁化强度与磁化电流Is磁化电流磁化电流 s沿轴线单位长度上的磁化电流沿轴线单位长度上的磁化电流（磁化面电流密度）（磁化面电流密度）ssmLSLSVpMM sI0I 磁化强度磁化强度M在量值上等于磁化面电流密度。在量值上等于磁化面电流密度。LSSIpssm 磁场中磁介质nMS 式中：式中：M为磁化强度为磁化强度n为介质表面外法线的单位矢。为介质表面外法线的单位矢。abcd取如图所示的积分环路取

7、如图所示的积分环路abcda: LabMl dM 磁化强度对闭合回路磁化强度对闭合回路L的线积分，等于穿过以的线积分，等于穿过以L为周界的任意曲面的磁化电流的代数和。为周界的任意曲面的磁化电流的代数和。 ssIab 磁场中磁介质BBB 0SBB一一、磁介质中的高斯定理磁介质中的高斯定理0 sSdB0 sosSd)BB(SdB0 soSdB0 sSdB通过磁场中任一闭合曲面的总磁通量为零通过磁场中任一闭合曲面的总磁通量为零磁介质中的高斯定理磁介质中的高斯定理12-2 介质中的磁场介质中的磁场 磁场强度磁场强度磁场中磁介质二、二、磁介质中的安培环路定理磁介质中的安培环路定理 LLsIIl dB)(

8、00 l dMIl dBLLL 000 LLIld)MB(00 LsLIldMMBH 0 定义定义磁场强度磁场强度 LLIl dH0 在稳恒磁场中，磁场强度矢量沿任一闭合路径在稳恒磁场中，磁场强度矢量沿任一闭合路径的线积分（即环流）等于包围在环路内各传导电的线积分（即环流）等于包围在环路内各传导电流电流的代数和，而与磁化电流无关。流电流的代数和，而与磁化电流无关。单位单位：安培：安培/米米(A/m)磁场中磁介质MBH 0 内内LLIl dH0几点说明：几点说明：MHB001） 是一辅助物理量，描述磁场的基本物理量是一辅助物理量，描述磁场的基本物理量 仍然是仍然是HBHB（ 名称张冠李戴了）名称

9、张冠李戴了）H2） 的单位是的单位是A/m（SI制）制）3）MBH0是一普遍关系式，以可写成：是一普遍关系式，以可写成：磁场中磁介质三三 各向同性的磁介质各向同性的磁介质HMm MBH 0 HB 介质的磁导率介质的磁导率介质的磁化率介质的磁化率m HBm 0H)(Bm 10 r0MHB00令：令：mr1称为相对磁导率称为相对磁导率磁场中磁介质电介质中的电介质中的高斯定理高斯定理磁介质中的磁介质中的安培环路定理安培环路定理 SiSqqSdE)(01 LsLLIIl dB000 l dMIl dBLLL 00 LLIl dMB)(0 MBH 0 LLIl dH0 SSSSdPqSdE0011 SS

10、qSdPE)(0 PED 0 VeSdVSdD 磁场中磁介质E)(De01 EEDr 0 称为相对电容率称为相对电容率或相对介电常量或相对介电常量r 之间的关系之间的关系EDP、)(er 1EPe0 HMm 之之间的关系间的关系M,H,BMBH 0 PED 0 H)(Bm 10)(mr 1HHBr 0r 称为相对磁导率称为相对磁导率r 0 磁导率磁导率磁场中磁介质例例1 一环形螺线管，管内充满磁导率为一环形螺线管，管内充满磁导率为，相对磁导，相对磁导率为率为r的顺磁质。环的横截面半径远小于环的半径。的顺磁质。环的横截面半径远小于环的半径。单位长度上的导线匝数为单位长度上的导线匝数为n。 求：环

11、内的磁场强度和磁感应强度求：环内的磁场强度和磁感应强度rHl dHL 2 NI rNIH 2 nI HHBr 0 rO解：解：磁场中磁介质例例2 一无限长载流圆柱体，通有电流一无限长载流圆柱体，通有电流I ，设电流，设电流 I 均匀分布在整个横截面上。柱体的磁导率为均匀分布在整个横截面上。柱体的磁导率为，柱，柱外为真空。外为真空。求：柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。求：柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。解：解：IR0 I rH Rr rHl dHL 2 I IRr22 22 RIrH 22 RIrB 磁场中磁介质在分界面上在分界面上H 连续连续, B 不连续不连续Rr IrH 2rIH

12、2 rIB 20 IR0 Hr HRrRI 2OBRrRI 2ORI 20磁场中磁介质练习练习 一磁导率为一磁导率为 1的无限长圆柱形直导线，半径为的无限长圆柱形直导线，半径为 R1，其中均匀地通有电流，其中均匀地通有电流 I 。在导线外包一层磁导。在导线外包一层磁导率为率为 2 的圆柱形不导电的磁介质，其外半径为的圆柱形不导电的磁介质，其外半径为 R2，如图所示。求磁场强度和磁感应强度的分布。如图所示。求磁场强度和磁感应强度的分布。 2 1IR2R1磁场中磁介质解：由安培环路定律解：由安培环路定律 iLIl dH iIrH 2 2 1IR2R11Rr 212 RIrH 2112 RIrB 2

13、1RrR rIH 2 rIB 22 2Rr rIH 2 rIB 20 磁场中磁介质无限长直电流的磁场无限长直电流的磁场圆电流中心的磁场圆电流中心的磁场长螺线管电流中部的磁场长螺线管电流中部的磁场环形长螺线管中部的磁场环形长螺线管中部的磁场aIH 21RNIH2 nIH nIH 无限大均匀磁介质中磁场的毕无限大均匀磁介质中磁场的毕-沙伐定律沙伐定律34rrlIdBd llrrlIdBdB34磁场中磁介质 0Il dHL0 l dEL 0qSdDS0 SdBS DEHB EBDH 1 磁场中磁介质测量磁滞回线的实验装置测量磁滞回线的实验装置0510 1520A测量测量H测量测量B 的探头的探头（霍

14、尔元件）（霍尔元件）电阻电阻电流表电流表螺绕环螺绕环铁环铁环狭缝狭缝换换向向开开关关12-3 铁磁质铁磁质铁磁质的磁化规律铁磁质的磁化规律磁场中磁介质1、磁化曲线磁化曲线RNIH 2 磁强计磁强计测量测量B,如用感应电动势测量如用感应电动势测量或用小线圈在缝口处测量；或用小线圈在缝口处测量；Hr HBor 由由 得出得出 曲线曲线铁磁质的铁磁质的 不一定是个常数，不一定是个常数，它是它是 的函数的函数Hr 原理原理: 励磁电流励磁电流 I; 用安培定理得用安培定理得HHr HBHr,B 05 10 1520A磁场中磁介质BHo.1.2.c a.初始磁化曲线初始磁化曲线BssBsBsH.rbr.

15、cccH.dsBc.re磁磁 滞滞 回回 线线磁滞现象磁滞现象：B 滞后于滞后于 H 的变化的变化2、磁滞回线磁滞回线磁场中磁介质初始磁初始磁化曲线化曲线a.bcdBOH.SBSHe.rB fCHSB .SH 矫顽力矫顽力CH 饱和磁感应强度饱和磁感应强度磁滞回线磁滞回线剩剩 磁磁rB磁场中磁介质HBcHcH rBSBB的变化落后于的变化落后于H，从而具有剩磁，从而具有剩磁，即即磁滞效应磁滞效应。每个。每个H对应不同的对应不同的B与磁化的历史有关。与磁化的历史有关。磁滞回线磁滞回线-不可逆过程不可逆过程在交变电流的励磁下反复磁化使其温度升高的在交变电流的励磁下反复磁化使其温度升高的磁滞损耗磁滞

16、损耗与磁滞回线所包围的面积成正比。与磁滞回线所包围的面积成正比。磁场中磁介质 （1）根据现代理论，铁磁质相邻原子的电子之）根据现代理论，铁磁质相邻原子的电子之间存在很强的间存在很强的“交换耦合作用交换耦合作用”，使得在，使得在无外磁场无外磁场作用时，电子自旋磁矩能在小区域内自发地平行排作用时，电子自旋磁矩能在小区域内自发地平行排列，形成自发磁化达到饱和状态的微小区域。列，形成自发磁化达到饱和状态的微小区域。 这些区域称为这些区域称为“磁畴磁畴”多晶磁畴结构多晶磁畴结构 示意图示意图二、二、磁畴磁畴结构结构磁场中磁介质（2）在外磁场作用下，磁畴发生变化。分两步：在外磁场作用下，磁畴发生变化。分两

17、步：A 外磁场较弱时，凡磁矩方向与外磁场相同或外磁场较弱时，凡磁矩方向与外磁场相同或相近的磁畴都要扩大（畴壁向外移动）。相近的磁畴都要扩大（畴壁向外移动）。B 外磁场较强时，每个磁畴的磁矩方向都程度外磁场较强时，每个磁畴的磁矩方向都程度不同地向外磁场方向靠拢（即取向）。不同地向外磁场方向靠拢（即取向）。 外磁场外磁场越强，取向作用也越强。越强，取向作用也越强。此上两种变化都导致单位物理小体积内磁矩矢量此上两种变化都导致单位物理小体积内磁矩矢量和（即磁化强度和（即磁化强度M从零逐渐增大，其方向与外场从零逐渐增大，其方向与外场相同。外磁场越强，相同。外磁场越强， M也越强，这便是起始磁也越强，这便

18、是起始磁化曲线的成因。化曲线的成因。磁场中磁介质当再加外磁场时，当再加外磁场时， M不再增加，磁化达到饱和。不再增加，磁化达到饱和。（3） 畴壁的外移及磁畴磁矩的取向是不可逆的，畴壁的外移及磁畴磁矩的取向是不可逆的， 当外磁场减弱或消失时磁畴不按原来变化规律逆着当外磁场减弱或消失时磁畴不按原来变化规律逆着退回原状。这解释了磁滞的原因。退回原状。这解释了磁滞的原因。（4）既然既然磁畴起因于电子自旋磁矩的自发有序排磁畴起因于电子自旋磁矩的自发有序排列列，而热运动是有序排列的破坏者，因而当温度高，而热运动是有序排列的破坏者，因而当温度高于某一临界时，磁畴就不复存在，铁磁质就变为普于某一临界时，磁畴就

19、不复存在，铁磁质就变为普通顺磁质。这一临界温度叫通顺磁质。这一临界温度叫居里点居里点。磁场中磁介质把一块有剩磁的铁磁质加热至居里点以上再冷却，把一块有剩磁的铁磁质加热至居里点以上再冷却，其剩磁会完全消失。其剩磁会完全消失。顺磁性顺磁性 来自分子的固有磁矩。来自分子的固有磁矩。抗磁性抗磁性 起因于电子的轨道运动在外磁场作起因于电子的轨道运动在外磁场作用的变化。用的变化。铁磁性铁磁性 起因于电子自旋磁矩的自发有序排列。起因于电子自旋磁矩的自发有序排列。例如，铁的居里点是例如，铁的居里点是1043K。磁场中磁介质显示磁畴结构的铁粉图形显示磁畴结构的铁粉图形磁场中磁介质纯铁纯铁硅铁硅铁钴钴三种铁磁性物质的磁畴三种铁磁性物质的磁畴磁场中磁介质Si-Fe单晶单晶( (001) )面的面的磁畴结构磁畴结构箭头表示箭头表示磁化方向磁化方向磁场中磁介质3. 有剩磁、磁饱和及磁滞现象。有剩磁、磁饱和及磁滞现象。铁磁质的特性铁磁质的特性2. 有很大的磁导率。有很大的磁导率。 放入线圈中时可以使磁场增强放入线圈中时可以使磁场增强102 104倍。倍。4.温度超过居里点时，铁磁质转变为顺磁质。温度超过居里点时，铁磁质转变为顺