模拟电子技术基础模拟综合试卷12(附答案)

1、第 1 页模拟综合试卷12 答案一、填空（ 24 分，每空 1 分）1半导体中存在两种载流子，分别为电子和 空穴。杂质半导体分为两种，分别为 n 型半导体 和 p 型半导体 。2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。3从信号的传输途径看，集成运放由输入级 、中间级、 输出级 、偏置电路这几个部分组成。4某放大器的下限角频率l，上限角频率h，则带宽为（h-l）/2hz。5共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其交流电阻大的特点以获得较高增益。6在 rc 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于3 才能起振。7电压比较器工作时

2、，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生1 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生1 次跃变。8、乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙 类推挽放大器。9、负反馈系统产生自激的条件是，相应的振幅条件是，相位条件是。10、若三级放大电路中au1=au2=30db ，au3=20db，则其总电压增益为 80 db ，折合为 104倍。11、差分放大电路， 若两个输入信号 ui1=ui2，则输出电压，uo= 0 v；若 ui1=100 v，ui 2=80 v则差模输入电压uid= 20 v；共模输入电压uic= 90 v。二、按要求选其中正确的一项填入括

3、号（26 分，每小题 2 分）1当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流is将增大，是因为此时pn结内部的。（ b）a 多数载流子浓度增大 b少数载流子浓度增大c多数载流子浓度减小 d少数载流子浓度减小2、晶体三极管的各极电流是由（c ）形成的。a、多数载流子b、少数载流子c、两种载流子d、热运动3、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定，可以加入下列负反馈：( b ) a、电流串联b、电压串联c、电流并联d、电压并联4、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为12v，3.7v，3v，则它是（ a ） 。anpn 型硅管 b.npn 型锗管 c.pnp 型硅管 d.pnp 型锗管5

4、. rc桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成, 即 rc串并联选频网络和（ d ） 。第 2 页a、基本共射放大电路 b、基本共集放大电路c、反相比例运算电路 d、同相比例运算电路6、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ c ） 。a 电阻阻值有误差 b 晶体管参数的分散性c 晶体管参数受温度影响 d 受输入信号变化的影响7、 某只硅稳压管的稳定电压vz = 4v，其两端施加的电压分别为 +5v（正向偏置）和 5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ d ） 。a +5v 和-5v b -5v和+4v c +4v和-0.7v d +0.7v和-4v 8、差分放大电路的长尾电阻的主要

5、功能是（ a ） ，而提高共模抑制比。a 抑制共模信号； b 抑制差模信号；c 放大共模信号； d既抑制共模信号又抑制差模信号；9、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ d ） 。 a 电压放大倍数高 b 输出电流小 c 输出电阻增大 d 带负载能力强10、由 npn型三极管组成的基本共射放大电路的静态工作点设置不当时，输出波形容易产生失真，q点偏高时的失真叫做失真，对应的输出电压波形将出现失真。 （ b ）a 饱和；顶部 b 饱和；底部 c 截止；底部 d 截止；顶部11、当我们想要放大频率为10khz以上的信号时，应采用（ b ）滤波器。a、低通 b、高通 c 、带阻 d、带通1

6、2、石英晶体振荡频率稳定的原因是（ b ）a 体积小 b 品质因数高 c 振荡频率高 d 有两个振荡频率13、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ d ） 。ap沟道增强型 mos 管 b、p沟道结型场效应管c、n沟道增强型 mos 管 d、n沟道耗尽型 mos 管三 、电路分析（ 16 分）1、判断图 3.1.1 ，图 3.1.2 电路的反馈极性与组态（6 分）0 id/ma - 4ugs/v 5第 3 页图 3.1.1 图 3.1.2 （瞬时极性标图 1 上）（瞬时极性标图2 上）电流并联负反馈电压串联负 反馈2、判断电路工作状况（ 10 分）（1）图 3.2.1 电路如下图示，请回答问

7、题：图 1 电路无（填有或无）放大作用。简单说明理由：因电容隔直作用，该电路中基极静态偏置电流为零，所以放大电路处于截止状态，无法对交流信号进行放大。图 3.2.1 （2）图 3.2.2 电路如下图示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区，并说明理由。图 3.2.2 解：图 a、晶体管为 pnp ，因发射结正偏、集电结反偏，所以三级管工作在放大区；图 b、晶体管为 npn ，因发射结反偏、集电结反偏，所以三级管工作在截止区；图 c 、晶体管为 pnp ，因发射结正偏、集电结偏置电压为零伏，所以三级管工作在临界饱和区；四、电路分析和计算（ 34 分）1、如下图所示的电压串联负反馈电路

8、中，假设集成运放的开环电压放大倍数a=100000 ，电阻r1 = 2k，rf = 18k。（15 分）1) 估算反馈系数和反馈深度；2) 估算闭环放大倍数；3) 如果开环电压放大倍数的相对变化量为10% ，求闭环电压放大倍数的相对变化量。图 4.1 +vccr2r1+ c1第 4 页解：该电路为电压串联负反馈电路，1）反馈系数为1.0182211frrrf；反馈深度为100001af。2）因反馈类型为电压串联负反馈，所以闭环放大倍数即为闭环电压放大倍数。101 .010000011000001afaaf3）因%10ada，所以闭环电压放大倍数的相对变化量为%001.0%)10(1 .0100

9、0001111adaafadaff2、下图示放大电路中，已知三极管的100，300bbr，krb560、krc3，vvcc12，krl3。 （12分）（1）试估算静态工作点；（2）计算三极管的ber值；（3）求出中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；图 4.2 解： （1）makvruvibbeqccbq02. 056012maiibqcq202.0100vrivuccqccceq63212（2）kirreqbbbe6 .122610130026)1(（3）中频时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻为（微变等效电路不提供）946.13/3100kkkrrabelukkkrrrbebi6. 16. 1/560/krrco33、试推导图 4.3 反相输入求和电路的求和表达式。 （7 分）解：设1r 上电流