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1、关于PBC影响晶体成长的探讨汇报人：杨光豪目录CONTENTS背景Discussion background01基本概念Basic Conception02实际应用practical application05界面推移特点Interface passing feature03PBC理论Hypothesis of PBC theory04研究背景3材料问题的核心是晶体学问题通过对固态物质的内部及在各种物理条件下晶体生长的规律结构的研究PART ONEPART TWOPART THREE以及对晶体生长机理的本质问题的探讨，才能得到满足人类需求的各种类型的晶体基本概念4晶体生长粗糙界面与光滑界面晶体

2、生长的过程实际上是在晶体流体（蒸气 溶液 熔体）界面向流体中不断推移的过程。基元进入进入晶格座位的方式以及通过界面方式的不同，在微观上可以将界面分为粗糙界面以及光滑界面。5粗糙界面n 生长过程中，粗糙界面更容易接纳从液相中扩散来的原子，由于这个缘故，晶体以这种方式长大远比光滑界面更容易，只要沉寂原子的供应不成问题，晶体就可以连续不断的长大。光滑界面n 在光滑界面上，液相中的单个原子与晶面的结合力很弱。所以这种界面的推移，只能靠界面上出现台阶，然后从液相中扩散来的原子沉积的台阶边缘，依靠台阶向其侧面扩展而进行长大。这种生长的方式叫连续生长这种生长方式叫侧向生长6粗糙与光滑界面在微观和宏观上特征相

3、异7结合能生长速度周期键链第一要点第二要点第三要点在结晶作用的过程中，当一个slice结合到晶体表面上时所释放的键能形成键所需要的时间随键能的增大而减小晶体结构中由一系列的强健不间断的的具有周期性的链（Periodic Bond Chain，缩写为PBC）8PBC理论的基本模型A B CPBC矢量短箭头周期强键三个晶面9K面含有两个获以上公面的PBC平面，这个面的面网密度最大，当相应的Slice结合到F面上时，只形成较少的强健，结合能小，生长速度慢。F面S面只含有一个只含有一个PBC矢量的平面，当相应的矢量的平面，当相应的slice结合到结合到S面上时，所形成的强键至少要比面上时，所形成的强键至少要比F面多一个面多一个。生长速度较慢。不含有不含有PBC矢量的平面，当相应的矢量的平面，当相应的slice结合到结合到K面上时，所形成的强键又要比面上时，所形成的强键又要比S面多一面多一个个，放出的键能最大，生长最快。结果：K面的法向生长速度要大于S面，S面又大于F面，所以在实际晶体上，F面将表现为很常见而且发育较大的面，K面则会消失，其余的就是S面。PBC理论的实际应用（杂质对晶体生长的影响）10杂质在晶体的生长中，除了溶质和溶剂之外的物质都叫杂质杂质常常是被晶体表面吸附，不同的晶面对杂质的吸附能力不同。杂质往往被集中地吸附在某些晶面上。按照PBC的理论，当溶质结

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