版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领
文档简介
1、嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用 文档说明: 当前各类嵌入式系统开发设计中,存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。 Nor-flash存储器的容量较小、写入速度较慢,但因其随机读取速度快,因此在嵌入式系统中,常应用在程序代码的存储中。Nor-flash存储器的内部结构决定它不适合朝大容量发展;而Nand-flash存储器结构则能提供极高的单元密度,可以达到很大的存储容量,并且写入和擦除的速度也很快。
2、60; Nand-flash存储器是flash存储器的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量存储器的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量资料的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 本文以三星公司的K9F1208UOB芯片为例,介绍Nand-flash存储器芯片的读写流程和时序。 1 Nand-Flash存储器的工作原理&
3、#160; 1.1 Nand-Flash存储器的组成结构及指令集 K9F1208UOB的容量为64Mb,存储空间按128K个页(行)、每页中528个字节(列)的组成方式构成。备用的16列,位于列地址的512-527。K9F1208UOB还将存储空间分为块(block),每1块由32个页构成。因此K9F1208UOB中一共有4096个块。这种“块-页”结构,恰好能满足文件系统中划分簇和扇区的结构要求。K9F1208UOB的内部结构如图1所示。
4、; 图1 K9F1208UOB的内部结构
5、60; K9F1208UOB的读和写都以页为单位,擦除则以块为单位进行操作。 K9F1208UOB的地址通过8位端口传送,有效地节省了引脚的数量,并能够保持不同密度器件引脚的一致性,系统可以在电路不作改动的情况下升级为高容量存储器件。 K9F1208UOB通过CLE和ALE信号线实现I/O口上指令和地址的复用。指令、地址和数据都通过拉低WE和
6、CE从I/O口写入器件中。有一些指令只需要一个总线周期完成,例如,复位指令、读指令和状态读指令等;另外一些指令,例如页写入和块擦除,则需要2个周期,其中一个周期用来启动,而另一个周期用来执行。 1.2 Nand-Flash操作 1.2.1 页读操作 在初始上电时,器件进入缺省的“读方式1模式”。在这一模式下,页读操作通过将00h指令写入指令寄存
7、器,接着写入3个地址(1个列地址,2个行地址)来启动。一旦页读指令被器件锁存,下面的页读操作就不需要再重复写入指令了。 写入指令和地址后,处理器可以通过对信号线R/B的分析来判断该操作是否完成。如果信号为低电平,表示器件正“忙”;为高电平,说明器件内部操作完成,要读取的数据被送入了数据寄存器。外部控制器可以在以50ns为周期的连续RE脉冲信号的控制下,从I/O口依次读出数据。连续页读操作中,输出的数据是从指定的列地址开始,直到该页的最后-个列地址的数据为止。
8、160; 1.2.2 页写操作 K9F1208UOB的写入操作也以页为单位。写入必须在擦除之后,否则写入将出错。 页写入周期总共包括3个步骤:写入串行数据输入指令(80h),然后写入3个字节的地址信息,最后串行写入数据。串行写入的数据最多为528字节,它们首先被写入器件内的页寄存器,接着器件进入一个内部写入过程,将数据从页寄存器写入存储宏单元
9、。 串行数据写入完成后,需要写入“页写入确认”指令10h,这条指令将初始化器件的内部写入操作。如果单独写入10h而没有前面的步骤,则10h不起作用。10h写入之后,K9F1208UOB的内部写控制器将自动执行内部写入和校验中必要的算法和时序,这时系统控制器就可以去做别的事了。 内部写入操作开始后,器件自动进入“读状态寄存器”模式。在这一模式下,当RE和CE为低电平时,系统可以读
10、取状态寄存器。可以通过检测R/B的输出,或读状态寄存器的状态位(I/O 6)来判断内部写入是否结束。在器件进行内部写入操作时,只有读状态寄存器指令和复位指令会被响应。当页写入操作完成,应该检测写状态位(I/O 0)的电平。 内部写校验只对没有成功地写为0的情况进行检测。指令寄存器始终保持着读状态寄存器模式,直到其他有效的指令写入指令寄存器为止。 1.2.3 块擦除 &
11、#160; 擦除操作是以块为单位进行的。擦除的启动指令为60h,块地址的输入通过两个时钟周期完成。这时只有地址位A14到A24是有效的,A9到A13则被忽略。块地址载入之后执行擦除确认指令D0h,它用来初始化内部擦除操作。擦除确认命令还用来防止外部干扰产生擦除操作的意外情况。器件检测到擦除确认命令输入后,在WE的上升沿启动内部写控制器开始执行擦除和擦除校验。内部擦除操作完成后,检测写状态位(I/O 0),从而了解擦除操作是否有错误发生。 1.2.4 读状态寄存器 &
12、#160; K9F1208UOB包含一个状态寄存器,该寄存器反应了写入或擦除操作是否完成,或写入和擦除操作是否无错。写入70h指令,启动读状态寄存器周期。状态寄存器的内容将在CE或RE的下降沿处送出至I/O端口。 器件一旦接收到读状态寄存器的指令,它就将保持状态寄存器在读状态,直到有其他的指令输入。因此,如果在任意读操作中采用了状态寄存器渎操作,则在连续页读的过程中,必须重发00h或50h指令。
13、60; 1.2.5 读器件ID K9F1208UOB器件具有一个产品鉴定识别码(ID),系统控制器可以读出这个ID,从而起到识别器件的作用。读ID的步骤是:写入90h指令,然后写入一个地址00h。在两个读周期下,厂商代码和器件代码将被连续输出至I/O口。 同样,一旦进入这种命令模式,器件将保持这种命令状态,直到接收到其
14、他的指令为止。 1.2.6 复位 器件提供一个复位(RESET)指令,通过向指令寄存器写入FFh来完成对器件的复位。当器件处于任意读模式、写入或擦除模式的忙状态时,发送复位指令可以使器件中止当前的操作,正在被修改的存储器宏单元的内容不再有效,指令寄存器被清零并等待下一条指令的到来。当WP为高时,状态寄存器被清为C0h。 2 系统硬件连线及软件设
15、计 2.1硬件连线 K9F1208UOB和S3C2440A的接口电路如图2所示。
16、160; 图2 K9F1208UOB与S3C2440A硬件电路 2.2 软件设计 步骤1:Nand-Flash初始化 利用ADS1.2等工具建立工程文件nandflash_test.mcp,在Nand.c文件中Test_K9S1208子函数实现了主要测试功能。gpacon = rGPACON;rGPACON=(rGPACON &(0x3
17、f<<17)|(0x3f<<17);首先备份rGPACON的内容,再设置GPA17-22的工作方式。然后调用Nand-Flash初始化函数。NF8_Init0;/初始化函数初始化函数的实现源码如下:rNFCONF=(TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)I(TWRPH1<<4)|(0<<0):rNFCONT=(0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)
18、|(1<<1)|(1<<0): 步骤2:读器件ID码 由于S3C2440A中没有像支持SDRAM 一样提供直接与Nand-flash存储器的接口,读写的过程要靠软件编程来完成。初始化Nand-Flash后,就可以对Nand-Flash进行操作了。程序调用NF8_Print_Id()子函数读出器件ID码。id=NF8_CheckId(); /继续调用子函数device=(U8)id;maker=(U8)(id>>8):Uart_Printf("
19、Maker:%x,Device:%x ",maker,device);NF8_Print_Id()源码如下:NF_CMD(0x90);/写入90h指令NF_ADDR(0x0);/写入地址00hfor(i=0;i<10;i+);Uart_Printf("NFSTAT:0x%x ",rNFSTAT);id=NF_RDDATA8()<<8;/Maker code 0xec读出ID值id |=NF_RDDATA8();/Devide code(K9S1208V:0x76),(K9K2G16U0M:0xca)
20、 步骤3:页读写程序 本实验实现了某页的写及读出验证功能。Test_NFS_Rw子函数实现这一功能。 程序首先初始化要写入的数据,*dstPt是要读出验证的数据,先填0;*srcPt是要写入的数据,先用随机数填满。for(i=0;i<512;i+) *dstPt+=0x0;/填0for(i=0;i<512;i+)#if A
21、DS10=TRUEif(offset=-1) *srcPt+=rand()%0xff;/随机数填满#elseif(offset=-1) srcPt+ =i%0xf;#endifelse *srcPt+=i+offset;写之前先进行擦除工作:if(NF8_EraseBIock(block)=FAIL) return;然后进行页写入操作:if(NF8_WritePage(block,page,srcPt)=FAIL) return;将用随机数填满的srcPt指向的数据写入到指定的页中。写入之后再读出验证:if(NF8_ReadPage(block,page,dstPt)=FAIL) return
22、;Uart_Printf("Checking data. ");for(error=0,i=0;i<512;i+)if(*srcPt+!=*dstPt+)/比较操作Uart_Printf("Error:%dW:%x,R:%x ",i,*srcPt,*dstPt);error+;if(error!=0)Uart_Printf("Fail to R/W test(%d). ",error);return(2);elseUart_Printf("R/W test OK. ");return(1); 其中NF8_ReadPage(block,page,dstPt)将读出的数据放入dstPt指向的地址空间里。最后将写入的数据和读出的数据比较,打印验证信息。
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- 化工分离技术
- 安徽省淮北市2025-2026学年七年级上学期期末考试语文试题(含答案)
- 化工企业设备培训课件
- 2026年上海市松江区初三上学期一模数学试卷和参考答案
- 第一章第1节人口分布
- 2026黑龙江齐齐哈尔市龙沙区五龙街道公益性岗位招聘1人考试参考试题及答案解析
- 2026年上半年云南省青少年科技中心招聘人员(3人)参考考试题库及答案解析
- 2026广东惠州市博罗县市场监督管理局招聘编外人员6人考试参考试题及答案解析
- 2026年甘肃省嘉峪关市人民社区卫生服务中心招聘备考考试题库及答案解析
- 2026北京印钞有限公司招聘26人考试参考题库及答案解析
- 国家自然基金形式审查培训
- 2026马年卡通特色期末评语(45条)
- NCCN临床实践指南:肝细胞癌(2025.v1)
- 免租使用协议书
- 2025 AHA心肺复苏与心血管急救指南
- 2026年九江职业大学单招职业适应性测试题库带答案详解
- 危化品库区风险动态评估-洞察与解读
- 激光焊接技术规范
- 消防联动排烟天窗施工方案
- 2025年高考物理 微专题十 微元法(讲义)(解析版)
- 2025年国家能源投资集团有限责任公司校园招聘笔试备考题库含答案详解(新)
评论
0/150
提交评论