MDATESTTHEORY

1、MDA TEST THEORYMDA TEST THEORYKaven_wang 2008/08/18Open/short 为什么使用短路群为什么使用短路群(Short Group)电路板之短路测试是要测试出待测电路板上不被预期的 (Unexpected)短路现象，而待测电路板上通常亦有一些预期的(Expected)短路，如Jumper、Fuse或小电阻、电感等小于短路Threshold之组件存在。故可藉由学习的过程中，将预期的短路形成一短路群，其功能如下a.节省测试程序准备时间b.加快测试速度另一方面，电路板之开路测试是要测出待测电路板上预期(Expected)短路的组件是否因错件或漏件而造

2、成开路，例如下列之组件即可在开路测试中，测出是否为开路。Fuse小于短路Threshold之小电阻JumperInductorsTracesCable短路群学习时会将预期(Expected)短路形成短路群，但其判断的准则为何？TR-5001在学习短路群时，将由起始针号开起始针号开始始，循序寻找与此针号之阻抗小于RawTHD之针点，形成一短路群。例1：25610251541Raw THD =则短路群为41,6,10执行短路群组学习,其将依照内容学习.此时治具与待测板接触,成待测状态. 储存短路群组资料至.SPG 将学习之短路群组数据与.DAT档案比较,分析.将分析结果储存至.SPA档案 RSHO

3、RT testRSHORT test在Open/Short学习后,系统会根据DAT数据检查是否有类似短路状态,例如电感L,跳线J,小电阻等,如果找不到相关原因,会自动产生一個RSHORT Step.用户要一个一个确认其正确与否，找到原因.如待测板两点确实短路，可在电路图中寻找其原因，如一颗IC内部短路，标注其原因 如待测板两点为开路，可从机台，治具，接触性这几个方面来检查.开关板内部是否短路（检查方法，自检开关板），interface探针的完整性检查治具：看测试两点是否内部短路，如果短路，修改治具接触性：贴胶带在待测板上校针。电阻测试原理如上图所示，在量测电阻时是由系统送出一个定电流源到待测物

4、上，经由量测待测物两端之电压来计算出待测物之电阻值。我们令系统送出之定电流为I，待测物之电阻为RX，待测物上之电压为VRX，而待测物之电阻值可以由以下之公式计算而得之。IVRRXX如上图所示，若待测物RX并联有较大的电容时，若仍使用定电流的方式来量测的话，则电容会将定电流源之电流分流，直到电容充饱才成断路，如此会增加量测时间，此时若改以电压源V(0.2V)对电容加以充电，使电容迅速饱达到断路之状态，再量回其电流Ix，即可轻易的求得Rx。计算公式如下：IxVxRXResistance Debug 送电流时高点尽量少的连接元器件,送电压时低点尽量少的连接元器件 找隔离点（首选R,再选C） R的测量

5、值偏大，先將GuardNail都设爲0,Mode设为0试试，如果还是偏高,一定要找原因，因为正常状态下R不可能偏大（看电路板上的元器件是否完好，治具是否完好） RR时，可修改Expect V 单测稳定，整体测试不稳定，Rpt中可設A orD，如果还是不稳定，可移动到本项测试首部，减少干扰 JUMPER测试原理测试原理 在TR-5001上我们定义量测值1为短路，量测值4为开路。 (ops=5, 25, 55)跳线、短路测试之量测值0X515X25125X55355X4如果X25，则量测值显示1在25X55之间，则量测值显示 3 若55X，则量测值显示 4电感Debug 在实际测试中我们基本都用跳

6、线来测试电感，其误判的基本处理方法和Jumper差不多，但应注意以下两点： 1.电感OPEN时测试值和偏差值都很大。 2.当电感并联时和它并联的电感一般测不了。电容测试原理电容测试原理 大电容测试大电容测试上图为大电容量测之线路，量测原理是利用系统送之定电流源，对待测物电容CX加以充电，经过一固定时间T之后，再去量测待测物电容CX上之电压值VCX，于是便可以利用下列之公式加以算出CX之电容值。其中因为I为定值，T也为定值，VCX为已知值，故可轻易地算出CX之值。CXXVCTI交流信号之电容量测 如果我们使用直流信号来量测电容，则电容在一开始的瞬时时会类似短路， 当其电容稳定后则类似断路，因此我

7、们无法使用直流信号来量测电容， 于是我们使用交流信号来量测电容。其交流信号之大小为40mVrms之正弦波电压。如上图所示，在待测物电容CX两端加上一固定频率之正弦波信号，由于电容对于交流信号所呈现之阻抗会随着频率而改变，所以我们会对待测物施以一固定频率之正弦波信号，再量测其流经待测物之电流值I，经由V/I即可得到电容之交流阻抗，然后再经由阻抗计算公式即可得到其电容值。公式如下：Cxfreq21電容交流阻抗C test Mode Select0-1000pF Mode-2加 补偿值 1n-100n Mode-1 100n-1u Mode-01u以上Mode-4,8,11 or 13CR a .R

8、为小电阻，不可测 b .R为大电阻,可测Mode-5，6 or 7CC a.小电容不可测，仅测大电容，ExpectV为所有并联电容值之和 b.相同电容，仅测其中一个，ExpectV为所有并联电容值之和C Test Guard Select 为了使我们送的信号尽可能准确，可以选择隔离点对电路进行隔离，就是利用电压平衡来达到准确测量。 对于小于150UF的电容在选择Mode 4时，最多可以选择2个隔离点。 对于大于150UF的电容在选择Mode 4时，不允许有隔离点。Diode Test用Mode-1 20mA电流比较大，相对稳定并联大电容，测试不稳，加DLY配合RPT(不能用A ,D) 如上图

9、反向：并联电容，电容在未充满状态，可能会出现Pass现象，持续F8,可以检查出，解决方法，加DLY如上图 正向：可能由于时间短，电容未充满，电压偏低不稳，可加DLY解决 测试diode送的电压是2V,正向量测电压一般爲0.7V反向或缺件为2V左右 diode测试时必须进行反向检测,确认反向是否会fail，若pass可能为假测，一定要确认.测试LED时一定要用mode1,并Change Hi Lo pin看是否Fail晶体管量测晶体管量测IBVCEIC5mA0.2VExample NPNBCEGPHi pin(AP)Lo pin(BP)a.将射极(Emitter)接地并从AP送一定电流源5mA。

10、b.由VBE (GP)输入电压。c.将VBE增加到晶体管进入饱合，于是使得VCE的电压低于0.2v FET testN-TYPEdiode-s-d测试TYPE-DMode-1在Vgs增加到FET进入饱和（2V-5V），得到Vds的电压低于0.2V（有时可能达到0.4V）PartNameBOM-VExpectVHlim%Llim%ModeTypeHiNLoNGuardN-TYPE2V-5V0.2V-0.4V30-14QDSG1，BOM中尽量少用5V高电压，由于电压过高可能会对IC造成伤害 2，当pass后，设置BOM值或者Guard点为0（也就是使FET处于非饱和状态）,确认是否会fail，若p

11、ass可能为假测，一定要确认. P-TYPE 1.diode-d-s测试TYPE-D Mode-1 2.在Vgd增加到FET进入饱和（2V-5V），得到Vsd的电压低于0.2V （有时可能达到0.4V）PartNameBOM-VExpectVHlim%Llim%ModeTypeHiNLoNGuardP-TYPE2V-5V0.2V-0.4V30-13QSDG如果上面不能测试，可以试 Rgd-2.4K左右 TYPE-RMode-4 or 5 Rgs-2.4K左右 TYPE-R Mode-4 or 5ClampingDiode测试原理测试原理大部份IC在输入/输出PIN中，会加上保护DIODE，主要

12、目的为作电压CLAMP，以CMOS组件为例gateI/O pinVccGNDSiO2Rs由于输入端为MOS的gate，gate为一“金属-SiO2”的电容，其中SiO2为一薄膜，若gate的电压太高，如静电，将会产生大电场而击穿此SiO2薄膜，故须对gate端作限压，乃加入DIODE，但当PIN的电压过高时，易将DIODE烧毁(有大电流流经DIODE)，故常在gate端串接电阻作限流，以保护DIODE即“以DIODE保护MOS的gate“而”以RS保护DIODE“,此RS由IC制程中所作出，通常为数百至数K，误差很大(IC的制程不易做出准确的电阻，且此RS只是作保护，不须准确) Clmapin

13、g Diode TEST即利用此DIODE特性，来判断IC的PIN有无空焊方法为于控制板中产生电压(依输入值)源送出，而为防止负载短路，须加限流(3mA)，同时于控制板中量回负载电压(与量电阻的Vx方式相似)，由于RS的误差大，且随各厂牌而异，故對ClampingDiode的量测值需取较大的误差此电压源为可调式，通常以一DAC(数位-模拟转换器)来完成，由于须由程控，故此可调式电压源置于控制板内，同时量回Vx的方式与量电阻相似，故由控制板量测Vx值。 V xA SB SR sclamping diode 注意事项 学习值大于1.4v a.必须逐个确认大于1.4V的步骤，标注其原因.例如没有cl

14、amping diode等. b.针对产品不同，或客户要求不同来判断是否skip. 例如notebook,由于元器件对电压相对敏感，必须要skip2.两个或多個clamping diode并联，没有办法测试其缺件和反向3.如果没有Vcc和Gnd或少于8pin时，不能学习Clamping Diode4.把所有不能learning的IC确认是否有Diode的测试方式，若有则必须在component teststep部分增加其测试步骤，测试方法與DiodeTest一样. 检查时，测量值偏小很多加DLY,不要用Mode-1,防止电流过大，引起IC烧毁AgilentTestJet测试原理测试原理其原理是

15、利用IC内部的LeadFrame与SensorPlate之间的微小电容量，当我们從TESTPIN送一个300mV,10KHz之讯号到待测物的待测脚上时，此时会将IC的其他接脚透过FIXTURE上的TESTPIN接到地，若是待测脚OPEN时由於LeadFrame上并没有信号，所以Sensor Plate上的Amplifier无法感应到够大的电压，当接脚是接上的时则因為LeadFrame与SensorPlate之间的电容量使得Sensor Plate上的Amplifier可以感应到一个比ICOPEN时大的电压，于是我们便可以依此电压得知IC脚是否有OPEN。TestJet Learning 方式用max./min. value方式相同类型的nail太多引起learning上下限偏高，也会被skip例如Vcc，Gnd. a. Tp-表示共有多少个相同