混凝土浇筑技术交底大全

1、混凝土浇筑技术交底编号工程名称丰储街32号地块工程施工单位中亿丰建设集团股份有限公司安全技术交底 容一、 现场准备1、完成钢筋隐检工作，检查支铁、垫块，注意保护层厚度，核实预埋件，水、电管线、盒、槽、预埋洞的 数量、位置及固定情况。检查模板下口，洞口及角模处拼装是否密，边角柱加固是否可靠，各种连接件是否牢 固，经检查符合设计要求后，办好隐检、预检手续。2、检查并清理模板残留杂物、，脱模剂应涂刷均匀，不得漏刷。3、现场所需的各种小机具（如振捣棒、木抹子、铁锹等）都已到位。浇筑用架子及马道已支搭完毕，并经 检查合格。4、塔吊能正常运转，保证垂直运输。现场临电、用水已设置完毕。5、硅泵车到位，运转良

2、好，配套的硅运输车数量充足，保证硅的连续浇筑。6、现场道路畅通，能保证硅运输车出入自由。二、硅浇筑与振捣的一般要求1硅灌注入模，不得集中倾倒冲击模板或钢筋骨架。应按浇筑程序分层均匀布料。柱墙板灌注高度大于2m时，应采用串筒、溜槽下料，出料口至浇筑层倾落的自由高度不得超过1.5m,以防砂的离析分层。采用插入式振捣，混凝土分层灌注厚度应控制在400mm左右。2浇筑竖向结构外前，柱底部应填以50100mm厚与硅成分相同的水泥砂浆， 墙体底部应填以3050mm 厚与硅成分相同的水泥砂浆。3浇筑硅时应分段分层连续进行，浇筑厚度应根据结构特点，钢筋疏密决定，一般为振捣器有效作用都分长度的1.25倍，最厚不

3、超过50cm o混凝土浇筑技术交底编号工程名称丰储街32号地块工程施工单位中亿丰建设集团股份有限公司安全技术交底 容4使用插入式振捣器要快插慢拔，插点要均匀排列，不得遗漏，做到均匀振实，移到间距为500mm左右。振捣上一层硅时应插入下层硅5cm,以消除层间接缝。平板振动器的移动间距，要保证振动器的平板能覆盖到振实部分的边缘。碎振捣时间为 30s左右，以外表面泛浆且不下沉为止。5浇筑硅连续进行，如必须间歇，应在前层硅初凝之前，将次层硅浇筑完毕，间歇的最长时间不超过 2小时。 抗渗碎禁私自留设施工缝，硅浇筑必须一次完成。6浇筑硅时经常观察模板、钢筋、预留洞、预埋件和插铁等有无移动、变形或堵塞等情况

4、，如果发现问题应 立即处理，并在已浇筑硅初凝结前处理完毕。三、施工缝的处理1施工缝处需待已浇筑混凝土的抗压强度不小于1.2mPa,才允继续浇筑。继续浇筑硅前，施工缝硅表面凿毛，剔除浮浆及松动子，并用水冲洗干净后，先浇一层同配比无子砂浆，然后继续浇筑，振捣密实，使新旧外紧密 结合。2由于地下硅采用抗渗硅，未经技术部门同意，施工时禁私自留设施工缝。需要留设施工缝的，由技术部门 在施工前确认部位。抗渗部位的施工缝留设要求按照设计图纸要求留设。四、主要施工工艺(1)外的浇筑由于基础底板整体性要求高，硅必须连续浇筑，不留施工缝，为了防止大体积硅因水化热得增加而产生 裂缝，采用分层、分段法施工，施工人员应

5、根据硅分层分段施工要求以及场地等情况来确定硅泵车得布置位置、 硅运输车得进出路线，此外还应注意硅浇筑时自由下落高度不超过2m o(2)硅振捣全部采用50型振捣棒，操作时要做到“快插慢拔”，快插是为了防止先将表面硅振实而于下面硅发生分混凝土浇筑技术交底编号工程名称丰储街32号地块工程施工单位中亿丰建设集团股份有限公司安全技术交底 容层、离析现象，慢拔是为了使硅能填满振捣棒抽出时所造成的空洞，在振捣上层硅时，应插入下层硅中5cm作用，以消除两层之间的暗缝，每一插点要掌握好振捣时间，一般为 2030s,但应视外表面呈水平不再显著下沉，不再出气泡，表面泛出灰浆为准，振动器插点要均匀排列，每次移动位置得

6、距离不大于0.5m。第二层硅浇筑完毕，要用铁锹铲平、拍实，并用木抹子分两次抹平。五、柱硅浇筑1、柱浇筑前底部先铺设 5-10cm厚同外配比的减子砂浆，柱碎分层浇筑，分层振捣，使用插入式振捣器（小50）时每层厚度不大于 50cm,振捣时以表面泛上浆无气泡为准，停止振捣。振捣时注意振捣棒 不得触动钢筋和预埋件，在上面振捣的同时下面设人随时敲打模板。2、柱顶表面用木抹子拍实压平，落地灰设专人清理，回收再用。3、当柱硅浇筑高度超过 3m时，浇筑不可在墙顶直接下灰，应采用串筒分段浇筑。4、柱体外应一次浇筑完毕，施工缝留在板下2cm处，剔凿1cm。5、柱浇筑完后，钢筋工将伸出的钢筋调整到位。6、硅浇筑后按

7、照冬施案要求进行测温，随时掌握硅温度，以便及时采取措施。六、梁板硅浇筑1、梁、板硅同时浇筑，由一端开始用“赶浆法”，即先浇梁，根据梁高分层浇筑成阶梯形，当达到板底标高时再与板的硅一起浇筑。随阶梯的不断延伸，梁板硅浇筑连续向前进行。2、振捣梁玲应用插入式振动器振捣棒，振捣棒应快插慢拔，移动间距为500mm。当浇筑梁、墙节点处时，由于钢筋较密时，用小 30振捣棒振捣。3、楼板硅的虚铺厚度要略大于板厚，要求均匀振捣，以表面出现浆液无气泡为止，移动应成排依次振捣前进，前后位置和排距互相搭接150mm ,防止漏振。为了防止混凝土浇筑后楼面不产生收缩裂缝，楼板硅表面应用木抹子搓压二遍。已浇筑的楼板硅强度未

8、达到1.2mPa之前，禁上人。混凝土浇筑技术交底编号工程名称丰储街32号地块工程施工单位中亿丰建设集团股份有限公司安全技术交底 容4、施工缝的位置：沿次梁向浇筑楼板硅，其位置留置在次梁跨度中间1/3围。（如是单项板施工缝可留在板的1/3位置.）施工缝的表面与梁轴线或板面垂直，不能留斜槎，施工缝用竹编条及密眼丝网档牢。施工缝处需待已浇筑混凝土的抗压强度不小于1.2mPa,按照要求处理完毕后才允继续浇筑。七、楼梯硅浇筑1、楼梯段硅需自下而上进行浇筑，先振实底板硅，达到踏步位置时再与踏步硅一起浇筑，不断向上推进，并随时用木抹子将踏步上表面抹平压光，一次成活，注意保护。2、施工缝位置：楼梯硅宜连续浇筑

9、，施工缝易留置在楼梯在楼梯段下1/3的部位。八、剪力墙的浇筑1、墙体浇筑前，浇筑前应清除模板的积水、木屑、铅丝、铁钉等杂物，先在新浇筑硅与下层硅接槎处均匀浇筑3 5cm厚与墙体碎成分相同的水泥砂浆，碎应分层浇筑，每层浇筑厚度控制成50cm左右。2、浇筑时应分层，每层厚度不宜超过30 -40cm,相邻两层浇筑时间间隔不应超过2h。浇筑混凝土时，浇筑厚度用标尺杆控制，标尺杆用小14钢筋或DN15钢管制成，并依分层厚度交替刷上红蓝两色。标尺杆制作及用法如下图，其高度同每层墙高（扣除楼板厚），并在杆底焊一小100薄圆盘，防止使用时杆头插 入混凝土。3、洞口处外浇筑时，应在洞口两侧均匀下灰，使两测碎高度

10、大体相同，以防洞口变形。4、纵、横墙交接处要加强振捣，每一振点的延续时间，以表面出现浮浆合不再下沉为止。5、外墙抗渗硅浇筑必须一次浇筑至梁底或板底，施工时禁私自留设水平施工缝。垂直施工缝除后 浇带外禁留设。混凝土浇筑技术交底编号工程名称丰储街32号地块工程施工单位中亿丰建设集团股份有限公司安全技术交底 容九、后浇带的浇筑1、后浇带硅选用加膨胀剂的补偿收缩混凝土，强度等级比其两侧硅强度等级高一级。本工程按设计要求设0.8m宽的后浇带，后浇带只有施工后浇筑2、后浇带硅浇筑时间：待其两侧结构施工完毕后至少60天。3、后浇带硅浇筑前将其两侧结构松散部分清理干净，混凝土表面凿毛，并将后浇带杂物清除，用

11、水冲洗干净。钢筋须进行除锈。4、后浇带硅浇筑时的温度应低于两侧硅浇筑时的温度。如后浇带浇筑时间为夏季，则应选择一段时期气温较低的天气（如阴天）进行，并应在夜间气温最低时进行。5、后浇带硅浇筑应振捣密实，浇筑完毕后加强养护，保证新旧硅的连接。6、后浇带硅强度未达到设计强度前，其所在跨及相邻跨的竖向支撑不得拆除。十、混凝土注意事项：1、碎浇筑前墙板必须洒水润湿。2、外到场后禁加水。3、每车碎到场后必须测量塌落度。4、砂泵送润泵砂浆禁浇在墙上。5、硅浇筑前必须提前制作铁凳，铺设完架板后能浇筑。6、硅浇筑完毕后泵车剩余硅应及时处理，硬化场地或路面。7、同等随浇筑砂浆，禁止将一段全部一次性浇筑完毕，应随浇筑随放砂浆。8、门窗洞口浇筑剪力墙， 遇门窗洞口时，洞口两侧浇筑高度应均匀一致，振捣棒距洞口边应学300Mm ,从两侧同时振捣，以防洞口变形。混凝土浇筑技术交底编号工程名称丰储街32号地块工程施工单位中亿丰建设集团股份有限