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文档简介
Photoresist maskFilm to be etched(a) Photoresist-patterned substrate(b) Substrate after etchPhotoresist maskProtected filmTStart of etchEnd of etcht = elapsed time during etchT = change in thicknessSubstrateFilmResistResistSubstrateFilm(a)BiasResistFilmSubstrateWbWaUndercutSubstrateResistFilmOveretch(b) （a）0时刻 （b）t1时刻Emax：最大刻蚀速率Emin：最小刻蚀速率Eave：平均刻蚀速率 硅片的等离子体刻蚀过程图等离子体的电位相对于接地电极来说是正的，等离子体区域中的电势在系统中最大刻蚀机辉光放电区域原理图和电势分布图刻蚀机辉光放电区域原理图和电势分布图典型圆桶式反应器结构在等离子刻蚀中被激发的基团的特征波长Plasma-etchinga wafer
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