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1、精选优质文档-倾情为你奉上学号 姓名 密封线东 南 大 学 考 试 卷（ 卷）课程名称电子器件考试学期得分适用专业电子科学与技术考试形式开卷考试时间长度120分钟I （total 20 points）Explain the following concept as simply as possible.1.××× effects of MOSFET2. ×××3. ××× transistor4. ××× voltage5. ××× of BJT

2、II （Total 40 points）Answer the following questions.1. How to control ×××?2. Explain the ××× effects.3. What is the ××× effect in BJT? 4. What are the differences between ××× and ×××?5. Explain the ××× of ×

3、××.III (Total 25 points) A standard MOSFET is fabricated with fms= , Qi= ,d= , gate area A= , and NA= .Assume T=300K. Calculate:(1) The ××× voltage;(2) The ××× voltage ; (3) Judge ××× of this MOSFET;(4) At ×××, the MOSFET exhibits

4、 a drain current of ID= . Using ××× in the textbook, determine the drain current if ×××.III( Total 10 points)For an ××× MOSFET with NA= and Qi= , its threshold voltage is about ××× for gate oxide of ×××. What is the required ××× to increase VT to ×××? Assume that ×××. Some constants: k=1.38´10-23J/K=8.62´10-5eV/K; q=1.6´10-19C; e0=8.85´10-14F/cm=8.85´10-12F/m; The relative dielectric constant of SiO2 is 3.9; The intrins

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