《数字电子技术基础》第6章.半导休存储器

1、 6.1 6.1 概述概述 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）6.3 6.3 只读存储器（只读存储器（ROMROM） 第第6 6章章 半导体存储器半导体存储器 衡量存储器性能的重要指标是存储容量衡量存储器性能的重要指标是存储容量和存取速度。存储一位二进制信息为一个和存取速度。存储一位二进制信息为一个单位，称为单位，称为1bit1bit。存储容量就是单片芯片。存储容量就是单片芯片存储的存储的bitbit数量，例如，芯片内集成了数量，例如，芯片内集成了1024bit1024bit，称为，称为1Kb1Kb。目前有的存储容量已。目前有的存储容量已经超过了经超过了1Gbit1Gbit

2、，如动态存储器，如动态存储器HY5PS1G831HY5PS1G831的容量为的容量为1G128 M1G128 M8 8）。）。 6.1 6.1 概述概述 随机存储器可以随时在指定的存储单随机存储器可以随时在指定的存储单元将数据存入（称写入）和取出（称读元将数据存入（称写入）和取出（称读出）。其特点是使用灵活，读、写方便。出）。其特点是使用灵活，读、写方便。电源维持供电，存储的数据就能保持，一电源维持供电，存储的数据就能保持，一旦失去电源供电，所存储的数据立即丢失，旦失去电源供电，所存储的数据立即丢失，属于易失性元件。属于易失性元件。 6.1 6.1 概述概述2 2）地址译码器）地址译码器3 3

3、）读）读/ /写控制电路写控制电路1 1）存储矩阵）存储矩阵 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）6.2.1 静态随机存储器（SRAM）1.1.组成结构组成结构1 1）工作原理）工作原理图图6.2.5 6.2.5 六管六管NMOSNMOS静态存储单元静态存储单元 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）2.SRAM2.SRAM存储单元存储单元2 2）读写时序）读写时序（2 2）写操作。）写操作。（1 1）读操作。）读操作。 3 3）其他）其他SRAMSRAM 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）（1 1）（2 2）（3 3） 集成密度。集成密度

4、。 芯片功耗。芯片功耗。外围电路。外围电路。 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）6.2.2 动态随机存储器（DRAM） 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）1 1. .四管动态存储单元四管动态存储单元 图图6.2.9 6.2.9 四管动态存储单元四管动态存储单元1 1）写数据）写数据2 2）读数据）读数据 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）2.2.单管动态存储单元单管动态存储单元图图6.2.11 DRAM 21166.2.11 DRAM 2116结构框及引脚结构框及引脚 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）6.2.3

5、集成RAM及扩展1.SDRAM 21161.SDRAM 2116 1)1)字扩展字扩展 2) 2)位扩展位扩展 6.2 6.2 随机存储器（随机存储器（RAMRAM）2.RAM2.RAM的字、位扩展的字、位扩展 6.3 6.3 只读存储器（只读存储器（ROMROM）6.3.1 ROM的基本机构表表6.3.1 6.3.1 图图6.3.26.3.2数据图数据图 6.3 6.3 只读存储器（只读存储器（ROMROM） 6.3 6.3 只读存储器（只读存储器（ROMROM）6.3.2 集成ROM及扩展图图6.3.4 EPROM 27646.3.4 EPROM 2764地址位、数据位扩展地址位、数据位扩

6、展 6.3 6.3 只读存储器（只读存储器（ROMROM）本章小结本章小结当今数字图像、数字信息量越来越庞大，因此需要处理的数据越来越多，要求存储这些数据的存储器的集成度越来越高、速度越来越快，经济合理选择存储器越显得重要。不可能将非常大容量的存储器的每个单元都引出数据输入/输出端，因此需要地址指针。只有地址指针指向的那些存储单元可以进行读/写数据信息操作。如果数据位线较多时可以采用分时读/写操作。当采用的存储芯片数据线或存储的地址不够用时，可以采用多片级联或并接进行数据扩展或地址扩展，也可同时进行地址、位扩展。第第6 6章章 半导体存储器半导体存储器本章小结本章小结目前随机存储器绝大部分是在时钟控制下工作的同步随机存储器，最新的同步随机存储器有DDR、DDR 和QDR，它们不仅应用于个人电脑，在通信设备中应用越来越广泛。早期的可编程只读存储器需要外部提供较高的电压才能向存储单元写入数据，最新的E2PROM直接可以进行读和写，只不过是在集成存储器电路内部提升电位达到写入数据的目的。另外只读存储器的工作电压也越来越低，降低了消耗的功率，提