光电子电路设计第六章2011

1、20max0()0.1LBddRRUSRS其中：光电导器件光敏面面积2000024ndEkTRTR其中 ：光电导器件工作温度；：光电导器件暗电阻；：光电导器件产生的总噪声功率与其它热噪声功率比4nLLLLLEkT RTR其中 ：负载电阻所处温度；：负载电阻阻值。00LABBLLBBLRUUI RRRUIRR+其中：器件偏置电流。+0( )ggGSP tS其中：器件光电导灵敏度。020()LABLRRUURR 222000220044()()LnsLLLLRREakT RkT RRRRR001gLBsrmsLrmsS R R IUPRRP，其中：入射到器件微小光照功率变化的有效值00/ /sLs

2、sgBrmssnsnssRRRUIS R IPREIR；0111ssiLiIURRR2220011111ninsnnLLiEIIERRRRRsiniUE2002gBLMS I RRR 00111sigBrmsLiUS R IPRRR001gLBisLS R R IRRRR 02BBMUI R2002LccgBMRRS I R 0115.5BBBccMUI RU00LcugBLMRRS I R R 0BBcuUI R2222000020044114LnnLLgBrmssinikTkTEIRRRRS R IPUEkTR22220001114LnnLLsiniTTkEIRRRRUE，且0000000

3、44gBrmsLLsinigBrmssiniMLS R IPTTkRRUES R IPUETTkRR2222000114siLnnLLniTUTEkIRRRRE2002gBrmssiLninMS R IPURREE200gBrmssiLninccS R IPURREE00gLBrmssiLnincuS R R IPURREE2222000114siLnnLLniTUTIEkRRRRE2204nnneennEkTERIRREIT ；其中、 ：晶体管 单位噪声带宽的噪声电压和噪声电流oBLBBdkdkUIRUIRR；：恒流偏置；：暗电阻。30/cmBdppBpdsUvEULvvEVL，其中：光生少

4、子（空穴）迁移速率；：电场强度（）； ：扫描区长度。dpLEL少子迁移长度；其中 ：光生少子平均寿命。2sBsppv LLLUv 扫描速度21LsLLgsggLgsGRR SSS RS 其中：器件光电导灵敏度；：入射辐照功率。22oBLBLgsoBLgsUIRI R SdUI R Sd 响应度1()2()1()2()DDDDDscUUscUUIIIIIq SJqSJII ，其中：光电流；：电子电荷， ：量子效率，：器件光敏面积， ：入射光子密度；：暗电流。1()00(1)DDqUkTUII eIkT ，其中 ：反向饱和电流；：玻尔兹曼常数； ：器件绝对温度。2()DUshDshIG UG，其中

5、：二极管表面漏电导。DBDLUUI R 1/LLiLiLLiiRRrGgGRgr ，其中：负载电阻电导；：前放输入电阻 电导。1DDLIUR 1()2()DDDscUUIIII ()DscdshDdIIgGUg ，其中：传感器静态工作点动态电导。222222222222222222()scsidshLiscisidshLindshLndnLnnidshLidshLindshLindnLninidshLidshLiIUgGGgI gIgGGgEgGGIIIEgGGggGGgEgGGgIIIgIgGGggGGg：前放输入电压信号有效值；：前放输入电流信号有效值；sisininiUIEI22222(

6、)sisiscndnLnndshLninindUIIIIIE gGGEII021DqUkTscq IIe4shkTG221shDKG UfscndII20000RRn rnr满足噪声匹配条件/0oiFiouoUI RUUA ；scIIIS ESE，其中：光电池光电流灵敏度；：入射光照度。maxLoptLmmRRRPI U当时，应该从光电池获取最大的输出功率(0.60.8)mocoptmscUURII()sDLoptDLDRRRRRRR光电池内阻正向电阻在线性工作范围（）内，有等效电路忽略2121()()oIoILIISEEUSEE RS光照度发生变化时，输出电流变化值；输出电压变化值；其中 ：

7、光电池短路电流灵敏度。22(0.60.8)BmoptImococBUURS EUUUEU增加反向偏置电源后，输出电压增加，负载电阻其中，为照度为时的开路电压；：反向偏置电源电压。oscFUI R 电流放大器输出电压：(/)KKKISSA lm，其中 ：入射到光电阴极的光通量；：光电倍增管的阴极灵敏度。(/)aaaISSA lm，其中 ：光电倍增管的阳极灵敏度。()0.9nnaamKKISGf gISfgn，其中：第一打拿极对阴极发射电子收集效率（一般）；：打拿极间传递效率（=1：聚焦型结构；1：非聚焦结构）；：打拿极个数（一般914个）。SbCs0.20.7AgMg0.0251DnnmDaUa

8、Ga Ua对：，对：，max20RaIImaxmax1maxaanDaaDaIICUmUUnUImn，其中：光电倍增管总的阳极电压；：阳极输出的电流脉冲峰值；：阳极输出的电流脉冲宽度；：允许最后一级打拿极电压相对变化值；：打拿极阳极个数。2max222222121()()aLaaaoaoaLUURSUEUSEISUS R，其中：照度为 曲线拐点对应的阳极电压；：阳极与最后一级打拿极电压；：光电倍增管阳极电流灵敏度；：照度为时倍增管的光通量。；。oaFaUEKS SRKESS，其中：校正滤光片与光电倍增管光谱匹配系数；：入射到校正滤光片表面的照度；：光接收面积； ：光电倍增管阳极电流灵敏度。112( )cos(21)2221cos(21)2215001nnAAtnfAnftnfHzs设干扰脉冲序列重复频率，脉冲宽度。0211592111ssFmFmCpFZKfCImAUVZK设继电器线包和触点寄生电容，只考虑干扰脉冲的基波分量，则等效阻抗；光耦最小工作电流，正向压降，则等效输入阻抗。0min2()160251FmFmAUIZZVAV能引起光耦工作的脉冲幅值满足100%100%cFcFIIII直流状态：；交流小信号：；对输出线性较好的光耦，。FwFFFEURIEUI限流电阻，其中：所加电源电压；：发光二极管正向压降