热敏陶瓷实用教案

1、敏感(mngn)陶瓷 8.1 概述(i sh) 8.2 热敏陶瓷 8.3 气敏陶瓷 8.4 压敏陶瓷第1页/共70页第一页，共70页。8.1 敏感(mngn)陶瓷概述 定义 分类、用途(yngt)与组成 陶瓷的半导化过程第2页/共70页第二页，共70页。敏感陶瓷(toc)的定义 敏感陶瓷(toc)的敏感性，是指陶瓷(toc)的电阻率、电动势等物理量对热、湿、光、气体、电压等变化敏感。第3页/共70页第三页，共70页。分类(fn li)、用途与组成 heat sensitive ceramics：过热(u r)保护传感器、温度计，掺杂BT humidity sensitive ceramics

2、(humiceram)：湿度计，ZnO-Li2O-V2O5系 photosensitive ceramics：光检测元件、光位计，CdSe gas sensitive ceramics：气体警报器，SnO2、ZnO voltage-sensitive ceramics：过压保护元件ZnO第4页/共70页第四页，共70页。传感器陶瓷传感器陶瓷(toc)（p226，表，表3-3-1） 温度传感器 载流子浓度随温度变化 半导体-金属相变 电阻变化 铁氧体磁性-顺磁性 磁化强度变化 氧浓差电池 电动势 位置(wi zhi)速度传感器 压电效应 反射波的波形变化第5页/共70页第五页，共70页。 光传感

3、器 热释电效应 电动势 反斯托克斯定律 倍频效应 荧光、热荧光 可见光 气体传感器 可燃性气体接触燃烧反应热 氧化物半导体吸附、脱附气体引起的电荷转移 气体热传导放热引起的热敏电阻的温度(wnd)变化 氧化物半导体的化学计量变化 电阻变化 高温固体电介质氧浓差电池 电动势 库仑滴定（电量滴定） 电量传感器陶瓷传感器陶瓷(toc)第6页/共70页第六页，共70页。传感器陶瓷传感器陶瓷(toc) 湿度传感器 吸湿离子导电 氧化物半导体 电阻 吸湿引起介电常数变化 介电常数 离子传感器 固体电介质 电动势 栅极吸附(xf)效应 金属氧化物半导体场效应 晶体管 电阻第7页/共70页第七页，共70页。陶

4、瓷(toc)的半导化过程 ？通常，Eg 3eV，常温下是绝缘体。 (1)偏离化学计量比 MOMO1+x (?型半导体) O22Oi +2h O22VM +2h +2OO h ，空穴 MOMO1-x (?型半导体) OoVO +2e+1/2O2 OoMi +2e+1/2O2 e ，电子 工艺途径：烧结气氛(qfn)/烧成制度第8页/共70页第八页，共70页。陶瓷(toc)的半导化过程 (2)掺杂（异价金属离子(lz)） P,As,Sb Si; La,Y Ba; Nb,Ta Ti (n) B,Al,Ga Si (p) BaTiO3(La2O3 ） La2O3 2 LaBa +2 Oo+ Oi La

5、2O3 2LaBa +3 Oo+VBa La2O3 2 LaBa +3Oo+2e (?型半导体)作业：试写出在BaTiO3中掺入Nb2O5后可能的缺陷方程式。 3BaTiO 3BaTiO 3BaTiO第八章第9页/共70页第九页，共70页。8.2 热敏陶瓷(toc)(heat sensitive ceramics)第10页/共70页第十页，共70页。热敏陶瓷(toc) 概述 研发历程(lchng) 定义 性能参数 分类 掺杂BaTiO3 PTC热敏陶瓷第11页/共70页第十一页，共70页。研究(ynji)历程 1955 年荷兰菲利浦公司的海曼（Haayman）等人发现在BaTiO3 陶瓷中加入

6、微量的稀土元素后，其室温电阻率大幅度下降，在某一很窄的温度范围内其电阻率可以升高三个数量级以上，首先(shuxin)发现了PTC 材料的特性； 以掺杂BaTiO3 为主晶相的PTC 陶瓷是最常用的PTC 材料，近年来还出现了许多新型PTC 材料，如复合、有机PTC 等； 我国对PTC 材料的研究开始于60 年代初； PTC 材料已广泛应用于电子通讯、汽车工业、家用电器等； 2000 年，世界的产销量达8 亿支，我国突破了1.5 亿支。（朱盈权，2002）第12页/共70页第十二页，共70页。何谓(hwi)热敏陶瓷？ 电阻率随温度发生明显(mngxin)变化的功能陶瓷。第13页/共70页第十三页

7、，共70页。热敏陶瓷(toc)的主要性能参数 阻温特性： RTN=ANeBN/T（NTC）; RTP=APeBpT（PTC） 电阻的温度系数T：温度变化1时电阻的变化率。TN= -BN/T2 ；TP=BP 耗散系数H：热敏电阻器温度升高(shn o)1 所消耗的功率。与热敏电阻的材料种类、结构、媒质的种类及状态等有关。 热容量c：热敏电阻器温度升高(shn o)1 所消耗的热能。 时间常数：热敏电阻温度改变到周围媒质温差的63.2%所需要的时间。 =c/H 额定功率Pm: 使用温度范围内所容许的最大功率。 工作温度T：第14页/共70页第十四页，共70页。热敏陶瓷(toc)的阻温特性RTN=A

8、NeBN/T（NTC）; RTP=APeBpT（PTC）RTN; RTP：指环境温度为t时，采用引起阻质变化不超过0.1%的测量功率所测得的电阻值 。AN; AP：与材料的物理特性(txng)及热敏电阻的结构尺寸有关。BN; Bp：材料常数，与材料的物理特性(txng)有关。第15页/共70页第十五页，共70页。热敏陶瓷(toc)的分类 (1) 阻温特性分类: PTC热敏陶瓷（RTP=APeBpT）：掺杂的BaTiO3 NTC热敏陶瓷（RTN=ANeBN/T）:含锰的二元系和三元系氧化物（表3-3-3，p240） 临界温度(wnd)热敏陶瓷.： 线性阻温特性热敏陶瓷: (2) 依据电阻的温度(

9、wnd)系数分类： 缓变型（ T 10%/） （3）依据使用温度(wnd)分类 低温： 中温： 高温：第16页/共70页第十六页，共70页。第17页/共70页第十七页，共70页。掺杂(chn z)BaTiO3 PTC热敏陶瓷 BaTiO3的晶体结构特征 BaTiO3热敏陶瓷的阻温特性 BaTiO3陶瓷产生PTC效应(xioyng)的条件 影响BaTiO3热敏陶瓷性能的因素 BaTiO3热敏陶瓷的制备工艺 BaTiO3热敏陶瓷产生PTC效应(xioyng)的物理机制 BaTiO3热敏陶瓷的应用第18页/共70页第十八页，共70页。晶体结构特征(tzhng) T（) 120 1205 5-80 T

10、c ，立方晶相：Ba立方晶格中心 Ti立方晶格顶点(dngdin) O 立方晶棱中点 Tc-50C ，四方晶相：c/a=1.01，第19页/共70页第十九页，共70页。PTC材料的基本(jbn)特性 电阻电阻(dinz)(dinz)温度特性温度特性 伏安特性伏安特性 电流时间特性电流时间特性 耐压特性耐压特性第20页/共70页第二十页，共70页。PTC材料(cilio)的性能与应用 由于应用领域的差异，对由于应用领域的差异，对PTC PTC 材料各项性能指标的要求有所不同。材料各项性能指标的要求有所不同。 如用于恒温加热，如用于恒温加热，PTC PTC 材料应具有较高的居里温度和高的耐压值；材

11、料应具有较高的居里温度和高的耐压值； 用于电视机消磁的用于电视机消磁的PTC PTC 热敏电阻器则侧重于要求高耐压热敏电阻器则侧重于要求高耐压(110V (110V 或或220V) 220V) ，为了获，为了获得大的起始电流，还要求低的常温电阻率，此外为了在高阻状态下得到小的残余电得大的起始电流，还要求低的常温电阻率，此外为了在高阻状态下得到小的残余电流，还必须流，还必须(bx)(bx)具有大的电阻温度系数具有大的电阻温度系数t t ； 电子信息产业需要的高响应大电流通量的电子信息产业需要的高响应大电流通量的PTC PTC 限流元件要求尽可能低的室温电阻率限流元件要求尽可能低的室温电阻率以减少

12、能量损耗。以减少能量损耗。第21页/共70页第二十一页，共70页。电阻电阻(dinz)(dinz)温度特性温度特性 电阻温度特性又称阻温特性，是指在规定电压下电阻温度特性又称阻温特性，是指在规定电压下PTC PTC 热敏电阻的零功率电阻值与电阻体温度之间的热敏电阻的零功率电阻值与电阻体温度之间的关系。关系。 零功率是指在某一规定温度下测量零功率是指在某一规定温度下测量PTC PTC 热敏电阻值时，保证功耗低到因功率引起的阻值的变化可以热敏电阻值时，保证功耗低到因功率引起的阻值的变化可以忽略的程度。忽略的程度。 表征电阻温度特性的参数表征电阻温度特性的参数 R25 R25 为额定为额定( dng

13、)( dng)零功率电阻零功率电阻 RminRmin最小零功率电阻，相应温度为最小零功率电阻，相应温度为TminTmin Rb Rb 为开关电阻，相应温度为开关电阻，相应温度Tb Tb 为开关温度，开关温度是电阻产生阶跃增大时的温度，与居里温度相为开关温度，开关温度是电阻产生阶跃增大时的温度，与居里温度相对应；对应； RmaxRmax为最大零功率电阻，相应温度为为最大零功率电阻，相应温度为Tmax Tmax 最大电阻与最小电阻之比最大电阻与最小电阻之比Rmax/RminRmax/Rmin为升阻比，是表征为升阻比，是表征PTC PTC 效应的重要参数效应的重要参数 电阻温度系数电阻温度系数t (

14、 %/) t ( %/) ，t = d R/Rd Tt = d R/Rd T BaTiO3 BaTiO3 基基PTC PTC 热敏电阻器的阻温特性示意曲线如图所示。热敏电阻器的阻温特性示意曲线如图所示。第22页/共70页第二十二页，共70页。R25 为额定零功率电阻 Rmin最小零功率电阻，相应温度(wnd)为TminRb 为开关电阻，相应温度(wnd)Tb 为开关温度(wnd)，即居里温度(wnd)Rmax为最大零功率电阻，相应温度(wnd)为Tmax 最大电阻与最小电阻之比Rmax/Rmin为升阻比第23页/共70页第二十三页，共70页。BaTiO3系PTC 陶瓷的电阻(dinz)温度特性

15、 o室温(sh wn)电阻率 PTC = lg ( max / min) TcdTdT1第24页/共70页第二十四页，共70页。 T Tc, NTC behavior Tc: 拐点温度， 急剧(jj)变化 可达104107 cm 钛酸钡第25页/共70页第二十五页，共70页。BaTiO3陶瓷(toc) 产生PTC效应的条件条件：晶粒充分半导化晶界具有适当(shdng)绝缘性半导化途径： 掺杂 M2O3: La,Pr,Nd,Gd,Y M2O5: Nb,Sb,Ta 控制烧结气氛，偏离化学计量比第26页/共70页第二十六页，共70页。BaTiO3陶瓷(toc)的半导化 BaTiO3的禁带宽度(kun

16、d)为 3eV BaTiO3陶瓷在室温下的体积电阻率约为 1012 -cm第27页/共70页第二十七页，共70页。BaTiO3 陶瓷(toc)半导化的途径和机制 强制还原法在真空、惰性气氛或还原气氛中加热处理(chl)BaTiO3，可得电阻率为100 103 -cm的 n 型BaTiO3半导体 机制：形成氧空位，产生Ti4+.e Ba2+Ti4+O32- Ba2+Ti4+1-2x(Ti4+.e)2xO3 + Vo + 1/2x O2 特点：采用工业原料可实现半导化，但强制还原的BaTiO3陶瓷不呈现PTC效应第28页/共70页第二十八页，共70页。 施主掺杂法（价控半导化）高价(o ji)元素

17、取代 如：三价离子(La3+, Nd3+. Sm3+, Y3+, Bi3+, Sb3+ 等）取代Ba2+ Ba2+Ti4+O32- + xLa3+ Ba2+1-xLa3+x Ti4+1-x(Ti4+.e) xO3 + xBa2+ 或 五价离子（如Ta5+, Nb5+, Sb5+等）取代Ti4 Ba2+Ti4+O32- + xNb5+ Ba2+ Ti4+1-2x(Ti4+.e) xNb5+xO3 + xTi4+第29页/共70页第二十九页，共70页。 掺杂过量时，重新绝缘化 原因： 稀土受主作用：部分稀土离子占据Ti位，实现电价补偿，重新绝缘 Ba2+Ti4+O32- + xLa3+ Ba2+1

18、-x/2La3+x/2 (Ti4+1-x/2La3+x/2)O3 + x/2Ba2+ + x/2Ti4+ Ba空位： (Ba2+1-3x/2x/2La3+x )Ti4+O3 , Ba空位补偿施主离子的多余(duy)电价，避免(Ti4+.e) 形成第30页/共70页第三十页，共70页。 价控半导化的特点：采用高纯原料，施主掺杂的浓度限制在一个狭窄的范围(fnwi)内，在空气中烧成即可实现半导化。第31页/共70页第三十一页，共70页。 AST掺杂：SiO2, SiO2 + Al2O3, SiO2 +Al2O3 +TiO2 原料中存在的受主杂质,如Fe、Mg等抑制半导化 BaTiO3 + xLa3

19、+ + xFe3+ Ba2+xLa3+x(Ti4+1-xFe3+x)O2-3 AST与原料中的受主杂质形成玻璃相，促进半导化 特点(tdin)： 采用一般工业原料，在空气中烧结即可实现半导化。钛酸钡第32页/共70页第三十二页，共70页。影响BaTiO3 陶瓷(toc)PTC效应的因素 组成的影响 Ba/Ti PbTiO3(Tc=510 ) SrTiO3(Tc=-250) 受主杂质妨碍(fng i)BaTiO3陶瓷的半导化 烧成条件影响：烧成温度、保温时间、冷却速率、烧成气氛 显微结构的影响 晶粒 晶界 第33页/共70页第三十三页，共70页。Ba/Ti比对BaTiO3热敏陶瓷(toc)性能的

20、影响 Ba/Ti1（在化学计量比附近(fjn)），陶瓷可以呈现最低的体积电阻率； Ba/Ti1 （在化学计量比附近(fjn)）， 陶瓷的体积电阻率高，易于实现陶瓷的细晶化。第34页/共70页第三十四页，共70页。BaTiO3系PTC陶瓷(toc)的添加剂及作用Addition typeAdditionfunctionTypicalsubstitution levelfor Ba or TiAddition elementsusedImpact on PTCpropertiesIsovalentSolid-solutionsubstitutionfor Ba or Ti inthe titana

21、te0-0.20Sr, Pb, Ca, SnAdjust TcAltervalentSemiconduction control0-0.008Y, La, Sb, Ce, Nb,TaResistivityadjustmentBoundaryBaririer layercontrol0-0.002Mn, Fe, V, CuHigh PTCmagnitudeSinteringLiquid-phasesintering0.005-0.020Si, Ti, Al, GeImprove PTCqualityPoisonsImpurities thatdegrade PTCquality0.0002-0.

22、0050Na, K, Al, P, Mg,transition metaqlsDegrade PTCquality第35页/共70页第三十五页，共70页。 等价取代调整居里温度 施主掺杂价控半导化 受主掺杂（Barrier Layer Modifiers)）如过渡(gud)金属离子如Mn3、Cr3，改变晶界势垒状态，提高PTC效应 对PTC效应有害的杂质碱金属离子：Na, K, Li, 过渡(gud)金属：Fe, Ni, Co, Cu等， 受主掺杂元素：Al, B， 阴离子：Cl, S, SO4等 助烧剂AST第36页/共70页第三十六页，共70页。等价取代(qdi)BaTiO3PTC热敏陶瓷

23、的阻温曲线第37页/共70页第三十七页，共70页。第38页/共70页第三十八页，共70页。Barrier Layer Modifiers对PTC效应(xioyng)的影响第39页/共70页第三十九页，共70页。第40页/共70页第四十页，共70页。1999第41页/共70页第四十一页，共70页。烧成条件(tiojin)对PTC陶瓷性能的影响 烧结气氛(qfn)：空气或氧气； 保温时间延长，电阻率升高； 烧结温度高，利于晶粒长大，对PTC陶瓷的性能不利； 降温速率慢，材料的电阻率高，通常150300C/h。第42页/共70页第四十二页，共70页。晶粒大小对BaTiO3 PTC热敏陶瓷(toc)性

24、能的影响 晶粒均匀细小，利于改善陶瓷的PTC开关特性，陶瓷具有高的正温度(wnd)系数； 晶粒大小通常为45m以下，要求原料细、纯、匀，也可以添加一些晶粒生长抑制剂控制晶粒长大。第43页/共70页第四十三页，共70页。PTC 材料(cilio)性能的改进 控制居里温度。在控制居里温度。在50 50 340 340 范围内可以对居里点进行有效的控制。范围内可以对居里点进行有效的控制。无掺杂的无掺杂的BaTiO3 BaTiO3 的居里点在的居里点在120 120 ，对其进行等价离子置换，可有效地，对其进行等价离子置换，可有效地改变其居里点。例如，在改变其居里点。例如，在BaTiO3 BaTiO3

25、中掺杂中掺杂Pb Pb 可以使其居里点向高温方向移可以使其居里点向高温方向移动动(ydng)(ydng)，掺杂，掺杂Sr Sr 则可以使居里点向低温方向移动则可以使居里点向低温方向移动(ydng)(ydng)，掺杂量，掺杂量不同居里点移动不同居里点移动(ydng)(ydng)的幅度也不同。的幅度也不同。 降低室温电阻率。用施主元素，即降低室温电阻率。用施主元素，即3 3 价或价或5 5 价的稀土元素如价的稀土元素如La3 + La3 + 、Ta5 Ta5 + + 、Nb5 + Nb5 + 等，取代等，取代Ba2 + Ba2 + 或或Ti4 + Ti4 + 的位置，导致电阻率下降。的位置，导致电

26、阻率下降。 提高升阻比与电阻温度系数。可掺杂微量受主元素，如提高升阻比与电阻温度系数。可掺杂微量受主元素，如MnMn。受主掺杂是低。受主掺杂是低价离子置换高价离子后，为了保持电价平衡，低价离子周围会产生空穴，价离子置换高价离子后，为了保持电价平衡，低价离子周围会产生空穴，在禁带中形成一个附加的受主能级，电子很容易激发到此能级，降低电子在禁带中形成一个附加的受主能级，电子很容易激发到此能级，降低电子载流子的数量，使电阻率上升。受主加入量应严格控制，过量的受主杂质载流子的数量，使电阻率上升。受主加入量应严格控制，过量的受主杂质会使材料失去会使材料失去n n 型半导性。型半导性。钛酸钡第44页/共7

27、0页第四十四页，共70页。BT热敏陶瓷(toc)的制备工艺(p235-238) 原料的选择 主料 掺杂剂：La2O3，Y2O3，Nb2O5 抗杂剂：AST 晶粒生长抑制剂：BaSO4 粉体制备/湿法球磨混料 成型(chngxng) 烧结 制备电极：Ag，Ni，Zn，Al 性能测试第45页/共70页第四十五页，共70页。粉体制备(zhbi)举例 固相法，sol-gel，化学(huxu)共沉淀法，醇盐水解法 固相法：BaCO3 + TiO2 BaTiO3 +CO2 化学(huxu)共沉淀法： Ba2+ + Ti4+ + H2C2O4 BaTiO(C2O4)2.4H2O第46页/共70页第四十六页，

28、共70页。粉体市场(shchng) 国外BaTiO3BaTiO3粉体，以日本的产量最大，占世界总产量的90%90%，达4 000 t/a4 000 t/a。著名的厂家是富士钛工业（株），日本的Sakai Sakai 化学工业（株），则用水热法生产BaTiO3BaTiO3，月产量达50 t50 t。 美国(mi u)TAM (mi u)TAM 公司生产的BaTiO3 BaTiO3 有12 12 个品种，其中有11 11 个系用固相法生产的，仅HPB HPB 是用草酸盐法生产的。第47页/共70页第四十七页，共70页。技术(jsh)陶瓷粉体原料的要求 化学特性： 纯度或含量、杂质的种类 物理特性：

29、 颗粒形状、粒度分布、密度(md)(md)、比表面积、物相、晶格常数、热特性（TGA TGA 与DTADTA）第48页/共70页第四十八页，共70页。成 型第49页/共70页第四十九页，共70页。成 型 干压成型（80100MPa），聚乙烯醇(j y x chn)溶液为粘结剂第50页/共70页第五十页，共70页。 高温烧结（13001400) （快速(kui s)） 1200低温氧化 VBa烧成工艺(gngy)第51页/共70页第五十一页，共70页。电极(dinj)(dinj)制备 PTC 热敏电阻在应用时，均需在其表面制备金属电极。电极的种类，则随用途不同而异。电极对产品的性能及稳定性影响(

30、yngxing)很大。电极材料应满足下述要求： （A）能与电阻体实现良好的欧姆接触； （B）导电性好； （C）与电阻体尽可能有一致的线膨胀系数； （D）化学稳定性好。第52页/共70页第五十二页，共70页。常用(chn yn)(chn yn)的电极 In-Ga电极 Ag-Zn Al电极 真空蒸镀与真空溅射Ni-Ag电极 为提高限流用PTC 元件的耐流与耐压特性，可采用真空蒸镀先蒸一层约0.20.3 mm的镍，再印刷一层Ag。 也有采用真空溅射金属Ti 或Cr； 或先溅射Cr（约0.3 mm厚），再溅射Ni（约0.2 mm厚），然后，再印刷一层Ag。与真空蒸镀相比(xin b)，真空溅射更易形成

31、欧姆接触。此类电极具有良好的抗老化特性与耐压特性，但成本高。 化学镀Ni或Cu电极钛酸钡第53页/共70页第五十三页，共70页。BaTiO3 半导瓷 PTC 效应(xioyng)的物理机制 与PTC效应相关的实验现象 BaTiO3单晶半导体不呈现PTC效应与晶界有关 施主掺杂的半导化BT陶瓷有PTC效应，而受主掺杂BT无PTC效应 还原气氛下的半导化BT不具有PTC效应 PTC效应与烧成气氛有关 PTC效应与冷却(lngqu)方式关系甚大第54页/共70页第五十四页，共70页。PTC效应(xioyng)的 Heywang模型 在多晶BaTiO3半导体材料的晶界存在一个由受主表面(biomin)

32、态引起的势垒层第55页/共70页第五十五页，共70页。 = v exp ( / kT)第56页/共70页第五十六页，共70页。 Heywang 模型无法解释以下现象： PTC效应只出现在施主掺杂 n型半导化BT，而还原法n型BT无PTC效应 PTC效应与冷却(lngqu)方式有关。第57页/共70页第五十七页，共70页。PTC 效应(xioyng)的Daniels 模型 1976年Daniels提出Ba缺位模型(mxng)： BaTi3O7 + 2BaBa + 2 OO 3BaTiO3 + 2 VBa + 2 VO 扩散系数：VO VBa 晶界上产生VBa 在高氧分压下，施主掺杂的BaTiO3

33、中的施主电子被双电离的钡缺位补偿，形成势垒第58页/共70页第五十八页，共70页。 Daniels 模型可很好的解释以下现象： 还原法制备的n型BaTiO3瓷无PTC效应： 因还原半导化，无钡缺位形成 冷却条件对PTC效应的影响(yngxing) 钡缺位是在冷却过程中形成的第59页/共70页第五十九页，共70页。PTC 效应(xioyng)的Jonker 模型 Jonker 认为BaTiO3半导体陶瓷的晶界存在着非平衡氧化还原(hun yun)反应。在Tc以下的低阻态主要是由BaTiO3的铁电性质决定的。钛酸钡第60页/共70页第六十页，共70页。PTC热敏陶瓷(toc)应用 对温度敏感特性(

34、txng)的应用 如电机的过热保护 延迟特性(txng)的应用 如 电视机的自动消磁，电冰箱的低温启动 自控加热方面的应用第61页/共70页第六十一页，共70页。消磁用PTC 热敏电阻(r mn din z)器 消磁用PTCPTC热敏电阻器用于消除彩管阴罩、防爆环剩磁及地磁等杂散磁场对彩色画面的影响，因而在彩电、彩显（监）中广为应用。 我国此类产品的质量，早在20 20 世纪90 90 年代中期，就已达到(d do)(d do)国外同类产品的先进水平；产量也已自给有余，并已大量出口。 为提高消磁效果，PTCPTC产品的发展趋势是： 提高TCTC，从现在的5050提高到6060或更高，以改善电流

35、时间衰减特性； 降低R25R25，从18 W18 W、27 W27 W、36 W36 W，降至9 W9 W、7 W7 W，甚至5 W5 W、3 W3 W，以提高突入电流。 双消磁并联消磁回路的应用，以解决74 cm74 cm、86 cm 86 cm 纯平彩电开机后出现的视频不良现象。 根据欧姆定律，I = V /I = V /（RPTCR+RLRPTCR+RL）。欲使I I 大，应使用低R25 R25 的PTC PTC 热敏电阻，或将两片，如9 W9 W的PTC PTC 热敏电阻并联。第62页/共70页第六十二页，共70页。马达(md)(md)启动用PTC PTC 热敏电阻器 PTC 热敏电阻，可用于冰箱、空调的压缩机启动。普通空调、电冰箱的压缩机，系由单相感应电动机驱动。启动时，既要克服电动机本身的惯性，又要克服负载高压制冷剂的反作用(zuyng)力，故需要较大的启动电流。通常要采用带有PTC 热敏电阻器的启动电路。 主回路中串接PTC 热敏电阻器，可避免通电之初，整流滤波电路直接承受大电流的冲击，造成储能元件损坏。即PTC 热敏电阻器，在通电初期起了缓冲保护作用(zuyng)。又当继电器失效，PTC 热敏电阻因通电后呈高阻态，也可对电路进行保护。 国内此类产品与日本村田及德国