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1、5电阻率、氧含量对比图关于氧施主单晶退火试验的报告试验一共选取10片试片均有氧施主效应单晶试片，分为两组做实验(每组各5片)，使用不同工艺退火并放置一段时间，测试氧碳含量与电阻率变化趋势。实验一以660C25min退火，实验数据具体如下：a)一次退火实验数据电阻率退火前不打磨电阻率退火前打磨后电阻率660C25min退火后风冷电阻率660C25min退火后浸水冷电阻率退火后第二天*电阻率退火后第三天电阻率退火后第四天氧含量退火前不打磨氧含量660C25min退火后浸水冷氧含量退火后第二天氧含量退火后第三天氧含量退火后第四天一次退火实验：电阻率退火后明显下降，但未找到规律性的数据，放置多日电阻率

2、多数无明显变化，氧含量平均升高值为0.412X10i7atoms/cc，放置多日测试氧含量无明显变化趋势;b)二次退火实验数据电阻率、氧含量对比图电阻率660C25min退火后风冷竄电阻率660C25min退火后浸水冷电阻率退火后第二天I电阻率退火后第三天电阻率退火后第四天氧含量660C25min退火后浸水冷章氧含量退火后第二天9氧含量660C25min退火后风冷氧含量退火后第三天氧含量退火后第四天二次退火实验：电阻率在经过二次退火实验时无明显变化，放置也无变化趋势，氧含量比二次退火前升高0.14X1017atoms/cc,放置多日测试氧含量无明显变化趋势。实验二以660C45min退火，实验

3、数据具体如下。a)一次退火实验数据电阻率、氧含量对比图9876电阻率退火前不打磨电阻率退火前打磨后电阻率660C45min退火后风冷电阻率660C45min退火后浸水冷电阻率退火后第二天电阻率退火后第三天电阻率退火后第四天氧含量退火前不打磨氧含量660C45min退火后浸水冷氧含量退火后第三天氧含量退火后第二天一次退火实验：电阻率退火后明显下降，但未找到规律性的数据，放置多日电阻率多数无明显变化，氧含量平均升高值为0.378X10i7atoms/cc，放置多日测试氧含量无明显变化趋势;电阻率、氧含量对比图0123456电阻率660C45min退火后风冷b)二次退火实验数据电阻率660C45min退火后浸水冷电阻率退火后第二天电阻率退火后第三天电阻率退火后第四天氧含量660C25min退火后浸水冷氧含量退火后第二天氧含量660C25min退火后风冷A_氧含量退火后第三天二次退火实验：电阻率在经过二次退火实验时无明显变化，放置也无变化趋势，氧含量平均升高值为0.05X10i7atoms/cc,放置多日测试氧含量无明显变化趋势。实验结论：1、热施主单晶经过660C退火后能够消除部分热施主现象，时间25min、45min对退火作用基本相同。2、退火后电阻率不

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