模拟电子技术基础-元器件的识别以及检测分解

1、模拟电子技术基础元器件的识别以及检测分解1绪 论 模拟电子技术基础是电子信息科学与技术专业、通信工程专业、电子信息工程专业以及物理学专业本、专科的一门重要的专业核心课，具有很强的综合性、技术性和实用性。该课程的研究对象是电子元器件及其组成的电路（包括分立、集成电路）。主要研究常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的变换、功率放大电路等内容。模拟电路已经广泛地应用于国防和国民经济的各个领域并极大地促进了相关领域的迅速发展，特别是模拟电路中的新器件、新技术、新方法的广泛应用，使得电子测量和探索自然规律的

2、实验方法进入了一个新阶段，因此模拟电子技术基础具有重要的地位和作用。 2模拟电子技术基础与其他课程的联系： 本课程的先修课程是普通物理、电路分析基础等。原子物理部分中的核外电子运动的规律、原子的能级、壳层结构、能带理论由普通物理讲授，本课程在此基础上进一步研究半导体器件的原理和性能。电压源、电流源、受控源等概念，基尔霍夫定律、叠加定理，戴维南定理和诺顿定理，以及RC电路时间常数等概念由电路分析基础（电工学）讲授，本课程应用上述内容分析讨论具体的电子电路等内容。同步课程：数字电子技术（数字电路与逻辑设计）后续课程：微机原理、高频电路等。3课程教学目标： 1、掌握模拟电路中的基本概念，电子元器件的

3、功能和使用。2、掌握组成模拟电路的各种单元电路（放大、振荡等）的工作原理、性能和特点。3、掌握模拟电路的基本原理、基本分析方法和计算方法，例如放大电路、反馈电路等基本分析方法，使学生具有一定的电路分析、计算的能力。4、在实验技能方面，能比较熟练地掌握模拟电子电路常用测试仪器的使用方法与基本测试技术，对电子线路的基本单元电路具有初步设计、安装和调试的能力。5、适当引入近些年来电子技术的新器件、新技术、新方法，以利于学生了解电子技术的新发展，扩展知识面，开阔视野。4教学内容与要求（64学时+实验30学时）学分：4+2 第一章 常用半导体器件 （6学时+习题课2学时）第二章 基本放大电路 （10学时

4、+习题课2学时）第三章 多级放大电路 （4学时）第四章 集成运算放大电路 （2学时）第五章 放大电路的频率响应 （4学时）第六章 放大电路中的反馈 （8学时）第七章 信号的运算和处理 （8学时）第八章 波形的发生和信号的转换 （8学时）第九章 功率放大电路 （4学时）第十章 直流电源 （4学时）第十一章 模拟电子电路读图 （2学时） （了解）5参考书目模拟电子技术基础（第三版）清华大学电子学教研组编，童诗白、华成英主编，高等教育出版社，2001模拟电子技术基础典型例题及习题解答 王正奎编著 聊大模拟电子技术简明教程华成英主编，清华大学出版社2006模拟电子技术简明教程（第二版）清华大学电子学教

5、研组编，杨素行主编，高等教育出版社，1998模拟电子技术基础，华中理工大学电子学教研室编，陈大钦主编，高等教育出版社，2000电子技术基础（模拟部分）第四版，华中理工大学电子学教研室编，康华光主编：高等教育出版社，1999模拟电子技术常见题型解析及模拟题张畴先 主编，西北工业大学出版社 6项目一 元器件的识别与检测 半导体的基础知识 半导体二极管 双极型晶体管 场效应管重点掌握：基本概念，晶体二极管的伏安特性及主要参数、晶体三极管和场效应管输入、输出特性及主要参数。不要将注意力过多放在管子内部，而以理解外特性为主。71.1 半导体的基本知识导体、半导体和绝缘体导体：容易导电的物质称为导体，金属

6、一般都是导体。绝缘体：几乎不导电的物质称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体, 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。例如：室温下，在纯硅中参入百万分之一的硼，可以使硅的导电能力提高50万倍。8 本征半导体一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅(14)和锗(32)，它们的最外层电子（价电子）都是

7、四个。本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体9在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的晶体结构：10硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的正离子形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。11二、本征半导

8、体的导电机理在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.载流子、自由电子和空穴+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子本征半导体中自由电子和空穴总是成对出现的，而且数量相等，称为电子空穴对。122.本征半导体的导电机理+4+4+4+4在电场力的作用下，自由电子作定向移动，空穴也会吸引附近的价电子来依次填补,结果相当于空穴也作定向移动，而空穴的移动相当于正电荷的移动，因此也可以

9、认为空穴是载流子。自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空穴而消失,称为复合；在一定的温度下，热激发产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，故达到动态平衡.本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度，在一定温度下,载流子的浓度是一定的，温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。本征半导体中电流由两部分组成： 自由电子移动产生的电流， 空穴移动产生的电流自由电子和空穴都参与导电13 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加了。P 型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(如硼)构成的杂质半

10、导体。N 型半导体：在本征半导体中掺入五价元素(如磷)构成的杂质半导体。14一、N 型半导体多余电子因不受共价键的束缚成为自由电子，同时磷原子就成为不能移动的带正电的离子，称为施主原子。另外N 型半导体中还有少量的空穴，其浓度远小于自由电子的浓度，所以把自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子，简称多子和少子。在本征半导体中掺入五价元素多余电子磷原子+N型硅表示15二、P 型半导体P 型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。当附近硅原子的外层电子由于热运动填补空穴时，硼原子成为不可移动的负离子。硼原子称为受主原子。在本征半导体中掺入三价元素空穴硼原子P型硅表示16三、杂质半导体的示意表

11、示法P 型半导体+N 型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子浓度与所掺杂质浓度相等。17一. PN 结的形成在同一片半导体基片上采用不同的掺杂工艺分别制造P 型半导体和N 型半导体，由于浓度的不同，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。PN 结具有单向导电性 PN 结18由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。在电场力的作用下，载流子的运动称为漂移运动。随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，阻止扩散运动的进行，但有利于少子的漂移，当扩散的多子和漂移的少子数目相等时，达到动态平衡，形成PN 结。空间电荷区，也称

12、耗尽层。空间电荷区中没有载流子。P 区中的电子和 N 区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。191、PN 结正向偏置P 正N 负,导通内电场外电场变薄+REPN+_内电场被削弱，多子的扩散加强，能够形成较大的扩散电流。二. PN结的单向导电性202、PN 结反向偏置P负N 正，截止内电场外电场变厚内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。+NP+_RE反向 饱和电流21三、PN 结的电流方程由理论分析知，PN 结外加电压 u 与流过的电流 i 的关系为：其中, IS 为反向饱和电流，q为电子电量，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度

13、。将 kT/q 用 UT代替，得：常温下（T=300K）， UT26mV22四、PN 结的伏安特性UI正向特性（u0）反向特性（u0）反向击穿部分PN 结处于反向偏置时，反向电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象称反向击穿。五、PN 结的电容效应（了解）在一定条件下，PN 结具有电容效应：势垒电容，扩散电容23 半导体二极管PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。点接触型：高频、小功率整流面接触型：整流符号平面型：大功率整流、开关 二极管的几种常见结构241.2.2 二极管的伏安特性开启电压Uon:硅管，锗管0.1V导通电压: 硅管0.60.8V,锗管0.1反向击穿电压UBRUI死

14、区电压25温度对二极管伏安特性的影响在室温附近，温度每升高1，正向压降减小，温度每升高10，反向电流大约增大一倍。可见，二极管的特性对温度很敏感。温度升高，正向曲线左移，反向曲线下移。261.2.3 二极管的主要参数 P151. 最大整流电流 IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2. 最高反向工作电压UR二极管工作时允许外加的最大反向电压。通常UR是击穿电压UBR的一半。3. 反向电流IR4. 最高工作频率 fM指二极管加反向电压且未击穿时的反向电流。二极管工作的上限频率。二极管的应用：主要利用它的单向导电性，应用于整流、限幅、保护等等。27 1. 理想模型3. 折线模型

15、2. 恒压降模型1.2.4 二极管的等效电路（等效模型）一. 由伏安特性折线化得到的等效电路28若，则若则精确计算例： P17 UDS断开时：D导通S闭合时：D截止29理想二极管：开启电压=0 V，导通压降=0 V。二极管：开启电压=0 .5V，导通压降0.7V(硅二极管)RLuiuouiuott1：二极管半波整流二极管应用电路举例：302、 二极管与门电路0V3VYABVCC=+5VD13kRD2&ABY=ABVAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3V电压功能表硅管 UD313、 二极管或门电路0V3VABYDD12R3kABY=A+B1电压功能表VAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3

16、V0V硅管 UD32二. 二极管的微变等效电路当二极管外加正向电压时，将有一直流电流，用 二极管特性曲线上的点Q表示。 rd 称为微变电阻二极管的动态电阻可用右图表示：若在Q点基础上外加微小的变化量,则可用以Q点为切点的直线来近似.即将二极管等效为一个动态电阻rd 。33电路波形分析直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路同学们可参看典型例题习题解答 上册第一章例题。V+ui-uD34 稳压二极管UIIZIZmaxUZIZ曲线越陡,电压越稳定.UZ稳压二极管工作在二极管特性曲线的反向击穿部分动态电阻：rz 越小，稳压性能越好。+-符号：（IZmin）外接负载电阻稳定电压稳定电流35（2）稳定

17、电流IZ、（3）额定功耗稳压二极管的主要参数:P18-19（1）稳定电压 UZ（5）温度系数 稳压值受温度变化影响的系数。（4）动态电阻36稳压二极管的应用举例：P20UoIZDZRILIRUIRL如图所示电路，稳压管的输入电压UI=10V，负载电阻RL=600，求限流电阻R的取值范围。解：37限流电阻R的取值范围为114 227 38一、 发光二极管发光二极管有足够大的正向电流流过时，能发出一定波长范围的光。外形符号1.2.6 其它类型的二极管 P20 -2239二、 光电二极管光电二极管是一种把光能转换成电能的器件，它的反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加40结构特点：1 发射区的

18、掺杂浓度最高2 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大3 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低1.3 双极型晶体管(半导体三极管) 基本结构和类型晶体管的几种常见外形由两个PN 结背靠背组成发射极集电极基极发射区基区集电区41becNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极bcePNP型发射区基区集电区发射结集电结421.3.2 晶体管的电流放大作用becNNPVBBRbIE基区空穴向发射区的扩散可忽略IEP进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB 多数扩散到集电结发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。一、晶体管内部载流子的运动VCCRCI

19、CN从基区扩散来的电子作为少子，漂移进入集电区被收集，形成IC。集电结反偏，有少子形成的反向电流 ICBOICBOIENIBNIC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP-ICBOIBIE=IEN+IEP43becNNPVBBRbIEIB进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB 多数扩散到集电结发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。一、晶体管内部载流子的运动VCCRCIC从基区扩散来的电子作为少子，漂移进入集电区被收集，形成IC。IEIBIE=IC+IBIC44二、晶体管的电流分配关系IC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP ICBO=IB- ICBOIE=IE

20、N+IEPIE=IC+IB三、晶体管的共射电流放大系数ICN 与 IB 之比称为直流电流放大系数45要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。在前面电路的基础上，若有交流电压UI 输入，则在IB 的基础上叠加动态电流iB，在IC 的基础上叠加动态电流iC， iC与iB之比称为交流电流放大系数：在一定范围内46IBIEIC总结：IEICIBIBIE=IC+IB47 晶体管的共射特性曲线iCmAAVVUCEUBERbiBVCCVBB 实验线路RC48一、输入特性曲线UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8导通压降：硅管UBE 0.60.8V,锗管UBE UCE=0V

21、UCE =0.5V开启电压：硅管，锗管。49二、输出特性曲线iC(mA )1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A放大区IC=IB截止区,IB0,IC0饱和区ICIB临界饱和UCE=UBEUBC=050输出特性三个区域的特点:(1) 截止区：发射结反偏UBEUON , UCEUBE IE=IC+IB， IC=IB , 且 IC = IB(3) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。UBEUON , UCEUBE ICIB，UCE0.3V 临界饱和时， UCE=UBE UBC=0倒置状态（反偏状态）：发射结反偏；集电结正偏。即c、e互换，IE=IB， Ic=IE+IB,但

22、是bec51例1： =50， VCC =12V， Rb =70k，RC =6k，UBE 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。解：当VBB = -2V时：UBEVON，晶体管导通IC最大饱和电流：ICVON，晶体管导通IC最大饱和电流：IC ICmax 工作在饱和区。或者：假设工作在放大区假设错误，工作在饱和区。531.3.4 晶体管的主要参数共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1. 电流放大倍数和 例：UCE=6V时：IB = 40 A, IC =1.5 mA；

23、 IB = 60 A, IC =2.3 mA。在以后的计算中，一般作近似处理： =542.集-基极反向饱和电流ICBOICBO是发射极开路时，集电结反偏由少子的漂移形成的反向饱和电流。受温度变化的影响较大。AICBO553. 基极开路时,集-射极间的穿透电流ICEObecNNPICBOICEO= IBP+ICBO =(1+ ) ICBO IBP IBPICBO进入N区，形成IBP根据放大关系，由于IBP的存在,必有电流IBP。集电结反偏有ICBOICEO受温度影响很大,当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。564.集电极最大电流ICM集电极电流IC大到一定程

24、度时，会导致三极管的值下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.反向击穿电压UCBO：发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压UCEO：基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压UEBO：集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压576. 集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC 流过三极管所产生的功耗为PC =ICUCEPC太大必定导致结温上升,所以PC 有限制。PCPCMICUCEPCM=ICUCE=常数ICMU(BR)CEO安全工作区581.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响1、对ICBO的影响：温度升高， ICBO增大2、对输入特性的影响3、对输出特性的影响59由PNP

25、型三极管组成的基本放大电路：ICIBVCCRbVBBcbeRCIEICU CE0UBEIB电源电压为负。同样具有三个区：放大区：发射结正偏，集电结反偏饱和区：发射结，集电结均正偏截止区： |UBE| VONPNP特性曲线601.3.6 光电三极管光电三极管根据光照的强度来控制集电极电流的大小光电三极管的等效电路、符号和外形61光电三极管的输出特性曲线621.4 场效应管场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它仅靠多数载流子导电,又称单极型晶体管。场效应管不但具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、能耗低等优点。结型场效应